EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：S29AL016J70TFI020 编号：C914935

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：25AA1024-I/P 编号：C1349235

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA1024是1024 Kbit串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能，还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能对于字节或页写入操作不是必需的。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。

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型号：BY25D40ESTIG(T) 编号：C50172541

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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型号：BY25Q32ESHIG(R) 编号：C50176326

封装：DFN-8(3x4)

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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型号：24LC64T-E/MNY 编号：C2060994

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的8K×8位单块内存。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。24Xx64还具有高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，寻址空间高达512 Kbits。24XX64有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。24Xx64也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：AT25FF161A-MAHN-T 编号：C1857753

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费和联网应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行的系统，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，支持4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除。包含四个专用的128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于存储唯一设备ID和锁定密钥。支持读、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：CH424Q 编号：C2840470

封装：QFP-44(10x10)

品牌：WCH(南京沁恒)

CH424是一款容量为4000字节的FIFO存储芯片。CH424有两个8位无源并行端口：输入端口W和输出端口R。CH424通过8位数据线以及读写和片选控制线连接到DSP/MCU/MPU等控制器的系统总线

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型号：AT25XE321D-UUN-T 编号：C1852767

封装：WLCSP-12(1.8x2.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，并在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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型号：25AA512-I/SN 编号：C219767

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需使用这些功能

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型号：DS28EC20P+ 编号：C722466

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28EC20 是一个20480位的1-Wire EEPROM，分为80个256位的内存页，每个页面可以单独设置写保护或EPROM模式。该器件通过单线1-Wire协议通信，支持200k次擦写寿命（25℃），数据保留时间为40年（85℃）。工作电压范围为3.135V到5.25V，工作温度范围为-40℃到+85℃。

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：NT5CB128M16JR-FL 编号：C2841155

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体，或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体

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型号：MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126730

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。

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型号：MT41K256M16TW-093:P 编号：C2064402

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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型号：NT5CC128M16JR-EKI 编号：C2904577

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

采用双倍数据速率架构实现高速运行，内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿）锁存。

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型号：25LC1024-E/P 编号：C613787

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：S29GL064S80TFIV20 编号：C2948614

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon(英飞凌)

3.0-V单电源闪存存储器，采用65-nm MRRORBIT™技术制造。有4,194,304字或8,388,608字节的容量。根据型号，设备只有16位宽的数据总线，或者可以通过BYTE#输入作为8位宽的数据总线。可在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70 ns，每个访问时间都有特定的工作电压范围(VCC)。封装包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：GX2431GA 编号：C2926930

封装：SFN-2(3.5x6.5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431GA是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：GX2431G 编号：C2926929

封装：SFN-2(6x6)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。支持-40°C至+85°C的工作温度范围和2.8V至5.25V的工作电压。具有IEC1000-4-2 Level 4 ESD保护。

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型号：MB85RS128BPNF-G-JNERE1 编号：C126732

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）需要备用电池不同，MB85RS128B无需备用电池即可保留数据

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型号：S29AL008J70BFI020 编号：C511129

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 Volt-only Flash 内存，组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48-球细间距 BGA（0.8 mm 间距）和 48-引脚 TSOP 封装。字宽数据 (x16) 出现在 DQ15-DQ0；字节宽 (x8) 数据出现在 DQ7-DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源进行系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中进行编程

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￥12.11
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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥15.6465 ￥27.45
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￥12.9015 ￥27.45
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￥10.1565 ￥27.45

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型号：NT5CB128M16IP-EK 编号：C2846879

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3 SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：IS25LP128F-JBLA3-TR 编号：C6969441

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：DS2432P+T&R 编号：C6146619

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2432 在单芯片中集成了 1024 位 EEPROM、一个 64 位密钥、一个 8 字节寄存器/控制页（最多包含 5 个用户读写字节）、一个 512 位 SHA - 1 引擎以及一个功能完备的 1 - Wire 接口。每个 DS2432 都有自己的 64 位 ROM 注册号，该号码由工厂激光烧录到芯片中，以确保提供唯一标识，实现绝对可追溯性。数据通过 1 - Wire 协议进行串行传输，该协议仅需一根数据线和一根接地线

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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