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首页 > 热门关键词 > DDR存储器芯片
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S76HS512TC0BHB013
型号：S76HS512TC0BHB013 编号：C22175413
封装：-
品牌：Infineon(英飞凌)

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    S78HS512TC0BHB013
    型号：S78HS512TC0BHB013 编号：C21424198
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    S78HL512TC0BHB003
    型号：S78HL512TC0BHB003 编号：C22246228
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT
    型号：MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT 编号：C2917790
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    MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR
    型号：MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR 编号：C22223153
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109
    型号：MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109 编号：C21052277
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J
    型号：MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J 编号：C22310685
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR
    型号：MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR 编号：C21709273
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J
    型号：MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J 编号：C21785464
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J
    型号：MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J 编号：C20907244
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112
    型号：MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 编号：C21344799
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112
    型号：MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 编号：C22029729
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112
    型号：MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 编号：C21635840
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    MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112
    型号：MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 编号：C20966608
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K
    型号：MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 编号：C20685147
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

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    IS49RL36160 125EBL
    型号：IS49RL36160-125EBL 编号：C1353414
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL36160-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。
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    IS49RL18320 125EBL
    型号：IS49RL18320-125EBL 编号：C1353440
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL18320-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。
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    IS49RL36160-107BLI
    型号：IS49RL36160-107BLI 编号：C1353418
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL36160-107BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。
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    IS49RL18320-093BLI
    型号：IS49RL18320-093BLI 编号：C1353586
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL18320-093BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。
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    IS49RL18320 093EBL
    型号：IS49RL18320-093EBL 编号：C1353581
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL18320-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。
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    IS49RL36160 093EBL
    型号：IS49RL36160-093EBL 编号：C1353580
    封装：FBGA-168
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS49RL36160-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。
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    MX63U1GC12HAXMI01
    型号：MX63U1GC12HAXMI01 编号：C22099942
    封装：-
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    MX69GL642EEXGI-70G
    型号：MX69GL642EEXGI-70G 编号：C2802793
    封装：-
    品牌：MXIC(旺宏电子)

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    THGBMJG8C4LBAU8
    型号：THGBMJG8C4LBAU8 编号：C5365276
    封装：FBGA-153
    品牌：KIOXIA(铠侠)
    数据手册

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    32EM16-M4CTX29-8AD11
    型号：32EM16-M4CTX29-8AD11 编号：C21911102
    封装：-
    品牌：Kingston(金士顿)

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    NDL16PFJ-8KIT
    型号：NDL16PFJ-8KIT 编号：C20193941
    封装：FBGA-96(8x13)
    品牌：Insignis
    1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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    NDL16PFJ-9MET TR
    型号：NDL16PFJ-9MET TR 编号：C17691313
    封装：FBGA-96(8x13)
    品牌：Insignis
    1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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    NDL16PFJ-9MET
    型号：NDL16PFJ-9MET 编号：C17684394
    封装：FBGA-96(8x13)
    品牌：Insignis
    1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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    NDL16PFJ-8KET
    型号：NDL16PFJ-8KET 编号：C20193940
    封装：FBGA-96(8x13)
    品牌：Insignis
    1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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    NDL16PFJ-9MIT TR
    型号：NDL16PFJ-9MIT TR 编号：C17535321
    封装：FBGA-96(8x13)
    品牌：Insignis
    1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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