DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > DDR存储器芯片

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共41845件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

64 Mb (8 MB) FL-L闪存

型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥14.93
10+
￥14.58
30+
￥14.35

有货

立即购买

64 Mb (8 MB) FL-L闪存

型号：S25FL064LABMFM013 编号：C22407164

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥20.08
10+
￥17.14
30+
￥15.38

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT21L16S2W 编号：C37388

封装：SOIC-8

品牌：GENITOP(高通)

标准点阵汉字库芯片，支持12x12点阵和16x16点阵

数据手册

1+
￥4.95
10+
￥4.08
30+
￥3.65

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT32L32S0140 编号：C126769

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT32L32S0140是一款内含12x12、16x16、24x24、32x32点阵的汉字字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）及ASCII字符，排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥7.15
10+
￥5.92
30+
￥5.25

有货

立即购买

DDR3(L)-2Gb 同步动态随机存取存储器

型号：NT5CB128M16JR-FL 编号：C2841155

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体，或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体

数据手册

1+
￥27.55
10+
￥23.53
30+
￥21.14

有货

立即购买

DDR3(L)-2Gb J型裸片

型号：NT5CC128M16JR-EKI 编号：C2904577

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

采用双倍数据速率架构实现高速运行，内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿）锁存。

数据手册

1+
￥35.04
10+
￥30.01
30+
￥27.02

有货

立即购买

标准矢量字库芯片

型号：GT5SLCD2E-1A 编号：C2874945

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT5SLCD2E-1A是一款支持16-192点阵的矢量字库芯片，使用灰度算法使汉字边缘变得比纯点阵字更加柔和、平滑。采用高通超小型嵌入式矢量字库，具有字体平滑及不失真等特点，可以产生多种高质量的文字输出，可以支持加粗、倾斜、反白、阴影等文字特效，支持ASCII码字符、拉丁文、GBK汉字。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥5.55
10+
￥4.47
30+
￥3.93
100+
￥3.39

有货

立即购买

64 Mb (8 MB) FL-L闪存

型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥15.6465 ￥27.45
10+
￥12.9015 ￥27.45
30+
￥10.1565 ￥27.45

有货

立即购买

64 Mb (8 MB) FL-L闪存

型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥20.6739 ￥36.27
10+
￥14.664 ￥31.2
30+
￥10.4303 ￥28.19
100+
￥9.3055 ￥25.15
500+
￥8.7838 ￥23.74
1000+
￥8.5507 ￥23.11

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT24L24A2W16 编号：C126761

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT24L24A2W16是一款热敏打印机专用字库，支持24点阵B18030国标汉字，9x17、12x24多国语言字符及条形码图库。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥4.97
10+
￥4.02
30+
￥3.55
90+
￥3.07

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT31L16M1Y80 编号：C126765

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT31L16M1Y80是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。GT31L16M1Y80除含有上述字库以外，还提供1024KB字节的可自由读写空间，包括256个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由读写空间地址范围为：0x000000-0xfffff，可重复擦写10万次以上。

数据手册

1+
￥6.33
10+
￥5.12
30+
￥4.51

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT30L24T3Y 编号：C126764

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT30L24T3Y是一款包含12x12点阵、16x16点阵和24x24点阵的中文字库芯片。它支持GB2312国家标准汉字（含国家标委会授权）、BIG5字符集和ASCII字符，并且兼容Unicode编码格式。

数据手册

1+
￥6.6
10+
￥5.33
30+
￥4.7

有货

立即购买

标准点阵中外文字库芯片

型号：GT5SL24K4W(HS) 编号：C2874948

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

是一款含有点阵字库和矢量字库的字库芯片，其中点阵字库含有12、16、24 点阵字库，矢量字库最大可支持64 点，同时支持GBK 国标简体汉字。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥9.57
10+
￥7.91
30+
￥7.01
100+
￥5.98

有货

立即购买

64 Mb (8 MB) FL-L闪存

型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

1+
￥9.81
10+
￥9.57
30+
￥9.4

有货

立即购买

64Mb 3.0V FL-L SPI闪存存储器

型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。

数据手册

1+
￥13.63
10+
￥11.59
30+
￥9.48

有货

立即购买

S78HS512TC0BHB010

型号：S78HS512TC0BHB010 编号：C22350271

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：SEMPER Flash和HYPERRAM 2.0采用多芯片封装（MCP），具备HYPERBUS接口。 1.8 V，512Mb SEMPER Flash和64Mb HYPERRAM 2.0（S76HS512TC0）。 3.0 V，512Mb SEMPER Flash和64Mb HYPERRAM 2.0（S76HL512TC0）。 FBGA 24球，8×8×1.2 mm封装。 HYPERBUS接口。 1.8 V I/O（S76HS-TC0）

1+
￥113.3494 ￥195.43
30+
￥108.0482 ￥186.29

有货

立即购买

型号：IS61LV12816L-10TLI 编号：C3646906

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

数据手册

1+
￥25.44
10+
￥24.93
30+
￥24.59

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT22L16M1Y 编号：C515654

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥4.97
10+
￥4.02
30+
￥3.55
100+
￥3.07

有货

立即购买

64M x 16位DDR3L同步动态随机存取存储器（SDRAM）

型号：AS4C64M16D3LB-12BIN 编号：C570205

封装：FBGA-96

品牌：Alliance Memory

1Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的结构为 8Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

数据手册

1+
￥32.5444 ￥55.16
10+
￥31.8187 ￥53.93
30+
￥31.329 ￥53.1
100+
￥30.8452 ￥52.28

有货

立即购买

4Gb DDR3L同步DRAM

型号：AS4C256M16D3LC-12BIN 编号：C1012886

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

数据手册

1+
￥57.67
10+
￥49.6
30+
￥44.67

有货

立即购买

标准中文字体集成电路

型号：GT24L16M1Y20 编号：C126762

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT24L16M1Y20字库芯片包含16×16字号，支持GB18030简体中文字符集（由中国标准化研究院授权）和ASCII字符。数据排列格式为编码形式，用户可通过本数据手册给出的计算方法获取特定字符点阵的地址，从而通过GT24L16M1Y20访问更多字符数据。除了包含字库外，该芯片还提供256kB的可擦除空间，由64个扇区组成，每个扇区4kB，或16页，每页256字节

1+
￥2.03
10+
￥1.99
30+
￥1.96

有货

立即购买

灰度字库芯片

型号：GT5HL16S2W 编号：C42438374

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL16S2W是一款内含16x16灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

1+
￥2.04
10+
￥1.99
30+
￥1.96

有货

立即购买

标准点阵中外文字库芯片

型号：GT24L16A2Y 编号：C515673

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT24L16A2Y是一款12、16点阵字库芯片，支持GB18030国标简体汉字、BIG5繁体、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集及其它多国字符集并均兼容Unicode。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。GT24L16A2Y除含有上述字库以外，还提供64个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：1C0000-1FFFFF。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.61
30+
￥2.57

有货

立即购买

标准点阵中外文字库芯片

型号：GT32L32M4W40 编号：C515660

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

是一款12、16、24、32点阵字库芯片，支持GB18030和GB2312国标简体汉字、BIG5繁体字符集并均兼容Unicode。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。除含有上述字库以外，还提供客户512KB字节的可自由读写空间，还提供128个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：0x380000-0x400000。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥4.06
30+
￥3.99

有货

立即购买

标准点阵汉字库芯片

型号：GT21L24S1W 编号：C126756

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

GT21L24S1W是一款内含 24×24 点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥4.49
10+
￥3.62
30+
￥3.19

有货

立即购买

标准点阵中外文字库芯片

型号：GT5DL24A2W 编号：C515661

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT5DL24A2W是一款具备16点阵和24点阵的字库芯片，支持GBK汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集以及其他180种外文符号，并且兼容上述文字的Unicode字符集。排列格式为横排和竖排。用户可通过字符内码，利用本公司提供的库文件中的功能接口，直接读取内码的点阵信息

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.4
30+
￥6.55

有货

立即购买

灰度字库芯片

型号：GT5HL24A2W 编号：C42438424

封装：SOP-8B

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL24A2W是一款含16及24灰度点阵的字库芯片，支持GBK中文及繁体汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集等180国外文字符，同时兼容以上各种文字的Unicode字符集。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

1+
￥9.15
10+
￥7.57
30+
￥6.7

有货

立即购买

矢量汉字库芯片

型号：GT60L16M2K4 编号：C126771

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

高通曲线字库模组GT60L16M2K4是以二次余弦曲线函数算法来描述汉字和字符的字型笔划轮廓。它的特点是字形压缩比高，可以任意缩放（16点到192点），变形效果（加粗，倾斜，反白，钩边，灰度等），具有字体平滑而不失真等优点，可产生多种高质量的汉字输出，适用于各种嵌入式电子产品，包括需要高分辨率的显示或打印设备。

数据手册

1+
￥11.95
10+
￥10.11
30+
￥8.96

有货

立即购买

2Gb DDR3L同步动态随机存取存储器

型号：HYD2G16L3AE-B9A 编号：C19272579

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片组织形式为 16Mbit × 16 输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

1+
￥15.008 ￥18.76
10+
￥12.864 ￥16.08
30+
￥11.584 ￥14.48
100+
￥10.296 ￥12.87
500+
￥9.704 ￥12.13
1000+
￥9.432 ￥11.79

有货

立即购买

NMCP 1+11Gbit+1Gbit

型号：F70ME0101D-RDWA 编号：C5126836

封装：BGA-162

品牌：FORESEE(江波龙)

该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM，支持独立的接口和核心电源连接，适用于需要高性能和高密度存储的应用。

数据手册

1+
￥22.33
10+
￥21.22
30+
￥20.57
136+
￥19.9

有货

立即购买

共1395页，41845条记录到页

立创商城为您提供DDR存储器芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买DDR存储器芯片提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content