DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

是一款12、16、24、32点阵字库芯片，支持GB18030和GB2312国标简体汉字、BIG5繁体字符集并均兼容Unicode。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。除含有上述字库以外，还提供客户512KB字节的可自由读写空间，还提供128个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：0x380000-0x400000。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

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￥7.08
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￥5.18

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型号：GT5DL24A2W 编号：C515661

封装：DFN-8-EP(2x3)

GT5DL24A2W是一款具备16点阵和24点阵的字库芯片，支持GBK汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集以及其他180种外文符号，并且兼容上述文字的Unicode字符集。排列格式为横排和竖排。用户可通过字符内码，利用本公司提供的库文件中的功能接口，直接读取内码的点阵信息

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型号：GT5SL24K4W(HS) 编号：C2874948

封装：TDFN-8-EP(2x3)

是一款含有点阵字库和矢量字库的字库芯片，其中点阵字库含有12、16、24 点阵字库，矢量字库最大可支持64 点，同时支持GBK 国标简体汉字。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥9.57
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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C16197181

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥30.13
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￥25.92
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型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885

封装：WFDFN-8-EP

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：GT22L16M1Y 编号：C515654

封装：SOP-8

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥4.02
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型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232

封装：WFDFN-8-EP

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

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￥10.57
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￥10.33
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型号：AS4C256M16D3C-12BCN 编号：C1012880

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

4Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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￥98.01
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型号：GT5HL16S2W 编号：C42438374

封装：SOP-8A

GT5HL16S2W是一款内含16x16灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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￥3.72
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￥2.99
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￥2.62

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型号：GT31L16S2W80 编号：C515655

封装：SOP-8-208mil

GT31L16S2W80是一款内含 12x12 点阵和16x16点阵的汉字字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及Unicode转GB2312编码表。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥4.28
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￥3.41
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型号：GT5HL20K2W 编号：C42438423

封装：SOP-8A

GT5HL20K2W是一款内含16X16和20X20灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码，排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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￥6.12
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￥4.91
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型号：GT5HL24A2W 编号：C42438424

封装：SOP-8B

GT5HL24A2W是一款含16及24灰度点阵的字库芯片，支持GBK中文及繁体汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集等180国外文字符，同时兼容以上各种文字的Unicode字符集。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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￥10.19
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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

1+
￥36.27
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型号：AS4C256M16D3LC-10BIN 编号：C1012884

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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￥87.97
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￥85.29

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型号：GT32L24M0140 编号：C126767

封装：SOP-8-208mil

GT32L24M0140是一款拥有12X12，16X16，24X24点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及条形码图库。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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￥56.31
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￥49
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￥42.1

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C2950646

封装：VBGA-24

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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￥102.94
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￥101.51
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￥99.05

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJT 编号：C5827969

封装：FBGA

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥470.6
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￥456

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型号：F70ME0101D-RDWA 编号：C5126836

封装：BGA-162

品牌：FORESEE(江波龙)

该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM，支持独立的接口和核心电源连接，适用于需要高性能和高密度存储的应用。

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1+
￥22.33
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￥21.22
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￥20.57

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型号：AS4C64M16D3LB-12BIN 编号：C570205

封装：FBGA-96

1Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的结构为 8Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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￥55.16
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￥53.93
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￥53.1

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C5340038

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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￥112.03
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￥106.39
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￥96.6

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型号：KM4X6001KM-B321 编号：C2803266

封装：SMD

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥305.72
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￥291.09

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型号：32EP16-M4FTC32-GA68 编号：C21555750

封装：FBGA-144(8x9.5)

品牌：Kingston(金士顿)

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￥415.14
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￥402.37

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型号：AS4C256M16D3LC-12BCN 编号：C1012881

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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1+
￥74.36
10+
￥71.98

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型号：AS4C256M16D3LC-10BCN 编号：C1012883

封装：FBGA-96(7.5x13.5)