DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：S25FL064LABMFI013 编号：C16197181

封装：SOIC-8-208mil

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥30.13
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￥25.92
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￥23.42

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型号：H26M41204HPR 编号：C390899

封装：FBGA-153

品牌：HYNIX(海力士)

SK hynix H26M41204HPR 是一款8GB eMMC5.1兼容的嵌入式NAND闪存，支持高速传输模式（HS400）。它集成了NAND闪存和MMC控制器，支持多种高级功能，如现场固件更新、健康报告、安全写保护等。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，控制器核心电压为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25℃至+85℃。

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￥86.07
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￥78.9
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￥68.67

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型号：AS4C256M16D3LC-10BIN 编号：C1012884

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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￥87.97
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￥77.6139 ￥85.29
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￥69.0849 ￥85.29

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型号：GT5HL20K2W 编号：C42438423

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL20K2W是一款内含16X16和20X20灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码，排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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￥3.35
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￥3.27
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￥3.22

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型号：GT5HL32S3W 编号：C42438373

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL32S3W是一款内含16x16、24x24、32x32灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标汉字（兼容UNICODE编码），ASCII字符编码。排列格式为W-横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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￥3.44
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￥3.36
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￥3.31

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型号：GT31L16S2W80 编号：C515655

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT31L16S2W80是一款内含 12x12 点阵和16x16点阵的汉字字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及Unicode转GB2312编码表。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥4.28
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￥3.41
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￥2.98

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥36.27
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￥28.19

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型号：GT32L24M0140 编号：C126767

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT32L24M0140是一款拥有12X12，16X16，24X24点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及条形码图库。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥5.01
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￥4.89
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￥4.82

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型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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￥56.31
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￥49
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￥42.1

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C2950646

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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￥112.81
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￥97.27

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型号：AS4C256M16D3LC-10BCN 编号：C1012883

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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￥105.46
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￥100.83
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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C5340038

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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￥112.03
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￥96.6

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型号：AS4C256M16D3LC-12BCN 编号：C1012881

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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￥74.36
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￥71.98

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型号：AS4C256M16D3C-12BCN 编号：C1012880

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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￥105.04
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￥100.43
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￥92.46

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型号：MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT 编号：C2917791

封装：VFBGA-130

品牌：micron(镁光)

Micron的多芯片封装（PoP）产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装（MCP）中，适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口（无共享地址、控制、数据或电源球）。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。

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￥118.48
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型号：MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT 编号：C5128470

封装：VFBGA-137

品牌：micron(镁光)

特性：美光NAND闪存和LPDDR组件。符合RoHS标准的“绿色”封装。独立的NAND闪存和LPDDR接口。节省空间的多芯片封装/堆叠封装组合。低电压工作（1.70-1.95V）。工业温度范围：-40℃至+85℃。无需外部电压参考。无最小时钟频率要求。1.8V LVCMOS兼容输入。可编程突发长度。部分阵列自刷新（PASR）。深度掉电（DPD）模式。可选输出驱动强度。支持状态寄存器读取（SRR）。页面大小-x8：2112字节（2048 + 64字节）。页面大小-x16：1056字（1024 + 32字）。块大小：64页（128K + 4K字节）

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￥134.68
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￥127.53

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型号：GT30L24A3W 编号：C124688

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT30L24A3W是一款含12点阵、16点阵以及24点阵的字库芯片，支持GB18030简繁体汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集等180国外文字符，同时兼容以上各种文字的Unicode字符集。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥7.7
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￥6.37
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￥5.64
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￥4.81
540+
￥4.44
990+
￥4.28

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型号：MX25V4035FZUI 编号：C6704275

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

715+
￥2.419519
1000+
￥2.073874

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型号：HYD1G16L3AE-B9A 编号：C19272577

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片的结构为 16Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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￥19.4
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￥16.58
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￥14.91
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￥13.22
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￥12.44
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￥12.09

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJT 编号：C5827969

封装：FBGA

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥137.43
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￥134.2

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型号：GT22L16U1Y40 编号：C515653

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

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￥4.28
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￥3.41
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￥2.98
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￥2.55
500+
￥2.3
1000+
￥2.16

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型号：GT32L24F0210 编号：C126766

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

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￥4.79
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￥3.84
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￥3.37
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￥2.9
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￥2.61
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￥2.47

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型号：AS4C256M16D3C-12BIN 编号：C1012885

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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1+
￥80.19
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￥76.42
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￥69.89
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￥64.2

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型号：IS61C256AL-12TLI 编号：C3039624

封装：TSSOP-28-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥18.49
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￥15.74
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￥14.02
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￥11.43
500+
￥10.64
1000+
￥10.29

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型号：IS62WV51216EBLL-45BLI 编号：C3039626

封装：VFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥33.61
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￥28.92
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￥26.12
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￥23.3
480+
￥22
960+
￥21.41

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型号：DS2502P-E48+T&R 编号：C2062001

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2502-E48是DS2502 1024位只读存储器的变体。它与标准DS2502的不同之处在于其自定义ROM系列代码89h，以及用UniqueWare标识符5E7h取代标准ROM序列化字段的高12位。否则，电气和逻辑行为与DS2502相同。DS2502-E48的EPROM存储器的前32个字节包含一个全球唯一的48位节点地址，并受写保护。数据结构遵循使用默认数据结构的UniqueWare设备的约定。这种格式也称为UDP（通用数据包），常用于1-Wire API

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