DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：GD25Q32ETIGR 编号：C2986328

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32MBIT（4M x 8）SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 3.3V

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.68
30+
￥5.01
100+
￥4.25
500+
￥3.91
1000+
￥3.75

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型号：HX24LC64BDRG 编号：C2987261

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC64B提供65,536位串行可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为8192个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。HX24LC64B可在节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装中使用，并通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥1.0713
50+
￥0.8521
150+
￥0.7581
500+
￥0.6409
2500+
￥0.5539
5000+
￥0.5225

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型号：ZD24C128A-XGMT 编号：C54406638

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

EEPROM,I2C,1.7V ~ 5.5V,128Kb,TSSOP,Tube

5+
￥1.125
50+
￥0.8881
150+
￥0.7866
500+
￥0.6599
3000+
￥0.6035
6000+
￥0.5697

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型号：M24C16-RDW6TP 编号：C262922

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.232
50+
￥0.9609
150+
￥0.8448
500+
￥0.6998
2500+
￥0.6352

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型号：M24128-BRMN6TP 编号：C79989

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

128 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.3078
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￥1.0333
150+
￥0.9156
500+
￥0.7688

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型号：HT25WD40ARZ 编号：C2928800

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

宽温,宽电压带有双SPI的4M容量flash

数据手册

1+
￥1.463665 ￥1.5407
10+
￥1.152445 ￥1.2131
30+
￥1.019065 ￥1.0727
100+
￥0.852625 ￥0.8975
500+
￥0.73815 ￥0.777
1000+
￥0.69369 ￥0.7302

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型号：M24C16-FDW6TP 编号：C2061946

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.6351
50+
￥1.2691
150+
￥1.1123
500+
￥0.9166
2500+
￥0.8294

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型号：HX24C256DRG 编号：C5145458

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C256是一款256K位串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C到+85°C。该器件具有I2C接口，支持1MHz（5V）和400kHz（1.8V、2.7V、3.3V）的时钟频率。具备硬件数据保护功能，支持64字节页面写入模式，写周期时间为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

数据手册

5+
￥1.8049
50+
￥1.4269
150+
￥1.2649
500+
￥1.0628
2500+
￥0.9278
5000+
￥0.8738

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型号：ZD25WQ16CSIGT 编号：C5353597

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-208mil，Tape&Reel

数据手册

6+
￥1.8919
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￥1.5139
192+
￥1.2946
576+
￥1.0925
2976+
￥1.0025
5952+
￥0.9485

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型号：AT24C01C-SSHM-T 编号：C36157

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

数据手册

5+
￥2.2117
50+
￥1.7714
150+
￥1.5827
500+
￥1.3472

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型号：BR24T64FJ-WE2 编号：C694089

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24T64-W 是一款采用 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。

数据手册

5+
￥2.224
50+
￥1.7452
150+
￥1.54
500+
￥1.199
2500+
￥1.085

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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

数据手册

5+
￥2.3811
50+
￥1.9129
150+
￥1.7122
500+
￥1.3676
3000+
￥1.2561
6000+
￥1.1892

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型号：ZD24C512A-XGMT 编号：C53284087

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A是一个512K位的串行EEPROM，具有I2C兼容的双向数据传输协议，支持1 MHz的高速操作。该器件提供64K字节的EEPROM存储空间，分为512页，每页128字节。具有硬件数据保护功能，可防止误写入。

1+
￥3.12
10+
￥2.46
30+
￥2.18
100+
￥1.83
500+
￥1.67
1000+
￥1.58

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型号：AT25010B-SSHL-T 编号：C30499

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25010B/020B/040B 提供 1024/2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 128/256/512 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B 采用节省空间的 JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN 和 VFBGA 封装

数据手册

1+
￥3.49
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￥2.77
30+
￥2.46
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￥2.08
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

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型号：CAT25128VI-GT3 编号：C88047

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该产品是一款 128- Kb 串行 CMOS EEPROM 器件，内部组织为 16Kx8 位。它具有 64 字节页面写缓冲区，支持串行外设接口 (SPI) 协议。该器件通过片选 (CS(overline)) 输入启用。此外，所需的总线信号包括时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与该器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和全阵列保护。片上 ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥3.57
10+
￥2.83
30+
￥2.51
100+
￥1.9
500+
￥1.72
1000+
￥1.61

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型号：PY25Q32HB-SUH-IR 编号：C22439000

封装：SOP-8-208mil

品牌：PUYA(普冉)

PY25Q32HB是一款串行接口闪存存储设备，专为各种高产量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其扇区擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

1+
￥3.69
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￥2.95
30+
￥2.58
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￥2.22
500+
￥2
1000+
￥1.89

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型号：AT45DB021E-SSHN-T 编号：C161752

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

数据手册

1+
￥3.84
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￥3.09
30+
￥2.72
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￥2.34
500+
￥1.96
1000+
￥1.85

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

数据手册

1+
￥3.9494 ￥4.03
10+
￥2.8864 ￥3.28
30+
￥2.262 ￥2.9
100+
￥1.9656 ￥2.52
500+
￥1.794 ￥2.3
1000+
￥1.7004 ￥2.18

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型号：M24256-DFCS6TP/K 编号：C221515

封装：WLCSP-8(1.3x1.4)

品牌：ST(意法半导体)

M24256是一款256-Kbit I2C兼容EEPROM，组织为32 K × 8位。支持所有I2C总线模式，包括1 MHz、400 kHz和100 kHz。具有32 K字节的EEPROM，页面大小为64字节。支持单电源电压和高速操作，工作电压范围为1.7V到5.5V。工作温度范围为-40°C至+85°C，具有超过4百万次写入周期寿命和超过200年的数据保留时间。

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.14
30+
￥2.71
100+
￥2.28
500+
￥2.03
1000+
￥1.9

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型号：11AA02E48T-I/TT 编号：C616174

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AA02EXX器件是一款2 Kbit串行电可擦除PROM。该器件采用×8位存储块结构，并支持单UNI/O串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被组合成一个单独的串行比特流（SCIO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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1+
￥4.78
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.09
500+
￥2.73
1000+
￥2.6

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型号：24LC64T-E/SN 编号：C615720

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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1+
￥5.32
10+
￥4.86
30+
￥4.63
100+
￥4.4
500+
￥4.26
1000+
￥4.19

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型号：BL25CM1A-PARC 编号：C2943349

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL25CM1A是一款1Mbit (131,072x8) EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为2.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥5.7
10+
￥4.6
30+
￥4.05
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￥3.5
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￥3.17
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￥3

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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥6.15
10+
￥4.98
30+
￥4.39
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￥3.81
500+
￥3.46
1000+
￥3.28

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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

数据手册

1+
￥6.94
10+
￥6.77
30+
￥6.66
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￥6.55

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥10.69
10+
￥8.99
30+
￥7.92
100+
￥6.83
500+
￥6.34
1000+
￥6.12

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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

1+
￥12.96
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￥10.91
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￥9.63
100+
￥8.32
500+
￥7.73

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型号：APS6404L-SQN-SN 编号：C5360304

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

该伪静态随机存取存储器（PSRAM）设备具有高速、低引脚数接口。它有4个单数据速率（SDR）输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QPI）模式下运行，频率高达144 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据。它最适合用于低功耗和低成本的便携式应用。它集成了无缝的自管理刷新机制，因此不需要系统主机提供动态随机存取存储器（DRAM）刷新支持。自刷新功能是一种特殊设计，旨在最大限度地提高存储器读取操作的性能。