DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-3

11AA02EXX器件是一款2 Kbit串行电可擦除PROM。该器件采用×8位存储块结构，并支持单UNI/O串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被组合成一个单独的串行比特流（SCIO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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￥4.78
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型号：M24512-DRDW8TP/K 编号：C2832785

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

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型号：GD25LQ32ESIGR 编号：C2928890

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：M24M01-DFMN6TP 编号：C222230

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：DS2502P+T&R 编号：C22443045

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)

DS2502 1Kb 只追加存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些特定批次或产品的信息可通过简易接口访问，例如，利用微控制器的单端口引脚。DS2502 包含一个工厂激光刻蚀的注册号，其中有唯一的 48 位序列号、8 位循环冗余校验码（CRC）和 8 位家族代码（09h），另外还有 1Kb 用户可编程的电可擦可编程只读存储器（EPROM）

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型号：M24M01-RMN6P 编号：C1349431

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M01是一款1 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128 K×8位。M24M01 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下工作，M24M01 - DF可在1.7 V至5.5 V的电源电压下工作，工作环境为……（原句未完整）

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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型号：M95M01-DFCS6TP/K 编号：C221451

封装：WLCSP-8(1.7x2.6)

品牌：ST(意法半导体)

1-Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：HG25Q256BMW/TR 编号：C52204739

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3V, 256M-BIT [ x1/ x2/ x4] (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

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￥13.99
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型号：24FC1025T-I/SN 编号：C219471

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥16.5
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型号：M95M02-DWMN3TP/K 编号：C222181

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：W25Q256JVFIQ 编号：C115993

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

256Mbit(32Mx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),同W25Q256FVFIG,W25Q128JVSIQ,W25Q128FVSIG

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￥19.68
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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

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￥21.3
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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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￥27.43
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型号：IS42S16160J-6BLI 编号：C1351289

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥32.19
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￥20.77
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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥33.78
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型号：ZDSD02GLGEAG 编号：C2875853

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，2Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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￥34.02
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￥20
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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

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￥48.25
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型号：MT25QU256ABA1EW9-0SIT 编号：C2062658

封装：WPDFN-8-EP(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥56.38
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￥49.84
30+
￥45.85
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￥42.51

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型号：FM31256-GTR 编号：C24383

封装：SOIC-14_150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb，支持I2C接口，最大总线频率为1 MHz。

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￥58.87
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￥50.37
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￥37.34
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￥33

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型号：CSNP64GCR01-BOW 编号：C41380595

封装：LGA-8(7x8.5)

品牌：CS(创世)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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￥94.9
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￥91.03
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￥71.24

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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥199.538 ￥210.04
30+
￥189.392 ￥199.36

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型号：K4A8G165WC-BITD 编号：C2920133

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

特性：无

1+
￥282.05
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￥270.75

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型号：KLUFG8RHGB-B0E1 编号：C45261440

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥554.38
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￥526.91

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型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

数据手册

10+
￥0.20916 ￥0.2324
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￥0.16596 ￥0.1844
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￥0.14436 ￥0.1604
1000+
￥0.12816 ￥0.1424
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￥0.11214 ￥0.1246
8000+
￥0.10566 ￥0.1174

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型号：SL24C02D 编号：C5155390

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02D是2K位电可擦除PROM，采用I2C总线接口，支持1.8V~5.5V的工作电压，具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

10+
￥0.2587
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￥0.2059
300+
￥0.1795
1000+
￥0.1597
4000+
￥0.1372
8000+
￥0.1293

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型号：AT24C04CDBVRG 编号：C19723709

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
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￥0.2357
3000+
￥0.2087
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￥0.1871
9000+
￥0.1763

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型号：24C64S(XBLW) 编号：C41408505

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行EEPROM，组织为8192个8位字。支持标准2线双向串行接口，适用于1.8V至5.5V的宽电压范围。

5+
￥0.526395 ￥0.5541
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￥0.412395 ￥0.4341
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￥0.355395 ￥0.3741
500+
￥0.312645 ￥0.3291
3000+
￥0.278445 ￥0.2931
6000+
￥0.261345 ￥0.2751

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型号：AT24LC64M/TR 编号：C3007892

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24LC32 / AT24LC64 提供 32/768/65536 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 4096/8192 个 8 位字。该器件针对众多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24LC32 / AT24LC64 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP 和 8 引脚 MSOP 封装，可通过两线串行接口进行访问

数据手册

5+
￥0.8075
50+
￥0.7109
150+
￥0.6695
500+
￥0.6179
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￥0.5482
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