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封装：FBGA-153

e•MMC™产品遵循JEDEC e•MMC™ 5.1标准。它是众多电子设备的理想通用存储解决方案，这些设备包括智能手机、平板电脑、个人数字助理（PDA）、电子书阅读器、数码相机、录音机、MP3和MP4播放器、电子学习产品、数字电视和机顶盒。

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型号：MKDV1GCL-ABF 编号：C51966230

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-ABA升级款，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：IS25LP128F-JBLE-TR 编号：C2063014

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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型号：ML22594-900MBZ0BX 编号：C2982499

封装：SSOP-30

品牌：ROHM(罗姆)

ML22594-xxx是一款4通道混合语音合成LSI，内置MASK ROM用于存储语音数据。该LSI集成了高音质HQ-ADPCM解码器、16位D/A转换器、低通滤波器、1.0W单声道扬声器放大器以及过流检测功能。通过这些功能，可以实现高质量和长时间的语音再生。

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型号：W25Q256JVEIQ 编号：C2682312

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：GD5F2GM7UEYIGR 编号：C22412867

封装：WSON-8(8x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：MX35LF2GE4AD-Z4I 编号：C2802771

封装：WSON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：H5TC4G63EFR-RDAR 编号：C37953994

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。

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型号：W632GU6RB-09 编号：C42088618

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 编号：C395385

封装：VFBGA-63

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备，支持异步接口，具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小，每个块包含 64 个页面，总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压，工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。

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型号：W634GU6RB-09 编号：C33031009

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：IS42S32160F-6BLI 编号：C1348852

封装：BGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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型号：MKEV008GCB-SC510 编号：C2987689

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

MLC, 8GB, eMMC5.1, 11.5x13mm,-25°C to +85°C

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型号：MT25QU02GCBB8E12-0SIT 编号：C6916912

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

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型号：MKEML064GV1E-C 编号：C48936275

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,64GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°C ；LDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

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型号：EPCQ128ASI16N 编号：C1519138

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Intel/Altera

EPCQ128A串行配置设备支持FPGA的主动串行配置方案，具有低引脚数和非易失性存储特性，工作电压范围为2.7V至3.6V，支持在系统编程(ISP)。

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型号：MT40A2G8JC-062E IT:E 编号：C2887390

封装：TFBGA-78

品牌：micron(镁光)

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型号：H5ANAG6NCJR-XNC 编号：C2960662

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均进行采样

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型号：AT24C02 (LX) 编号：C26159244

封装：SOT-23-5

品牌：LX(灵星芯微)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。