PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

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型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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型号：24CW1280T-I/OT 编号：C2061808

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：DS2431Q+T&R 编号：C879661

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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￥20.97
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型号：W9864G6KH-6I 编号：C503937

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥21.68
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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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￥22.66
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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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￥30.02
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型号：GD5F1GM7UEWIGR 编号：C24068147

封装：WSON-8(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

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型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C41349555

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。