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首页 > 热门关键词 > SRAM存储器芯片
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23K640T-E/SN
型号：23K640T-E/SN 编号：C615582
封装：SOIC-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
23K640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM，支持最高20MHz时钟频率，具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围（-40°C至+85°C）和扩展温度范围（-40°C至+125°C）。符合AEC-Q100汽车标准，封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。
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    23K640-E/SN
    型号：23K640-E/SN 编号：C1350764
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    47C04 E/ST
    型号：47C04-E/ST 编号：C1350961
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    23A640-I/P
    型号：23A640-I/P 编号：C613586
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM，支持最高20MHz时钟频率，具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。
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    47C16 E/SN
    型号：47C16-E/SN 编号：C1350974
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥7.8084 / 个
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    47C16T E/SN
    型号：47C16T-E/SN 编号：C2063930
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47C16T-E/SN 是一个 16Kbit 的 SRAM，带有 EEPROM 备份。该设备通过 I2C 串行接口进行数据传输，支持无限次读写操作。当电源关闭时，SRAM 中的数据会自动传输到 EEPROM 中保存。电源恢复时，EEPROM 中的数据会自动恢复到 SRAM 中。
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    47L04-I/P
    型号：47L04-I/P 编号：C610319
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥8.1972 / 个
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    47L16T E/SN
    型号：47L16T-E/SN 编号：C2063944
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47L16T-E/SN 是一个 16Kbit 的 SRAM，带有 EEPROM 备份。该设备组织为 2,048 x 8 位的内存，并利用 I2C 串行接口。47L16 提供无限次读写 SRAM 的能力，而 EEPROM 单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器存在时，SRAM 数据在断电时会自动传输到 EEPROM 中。数据也可以通过硬件 Store 引脚或软件控制手动传输。
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    47C16-E/ST
    型号：47C16-E/ST 编号：C610314
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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      ￥8.6832 / 个
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    47L64T I/SN
    型号：47L64T-I/SN 编号：C1512851
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    47C04 E/P
    型号：47C04-E/P 编号：C1351802
    封装：DIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47C04-E/P 是一款4Kbit的SRAM，带有EEPROM备份。该设备采用8引脚PDIP封装，工作电压范围为4.5V至5.5V，最大时钟频率为1MHz。它支持无限次读写SRAM，并且EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器存在时，SRAM数据会在断电时自动传输到EEPROM。
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    47L64T I/MNY
    型号：47L64T-I/MNY 编号：C1512852
    封装：TDFN-8-EP(2x3)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    47L16-E/P
    型号：47L16-E/P 编号：C610322
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    23A256T-I/SN
    型号：23A256T-I/SN 编号：C2062581
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为1.5V至1.95V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。
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    23A256-I/P
    型号：23A256-I/P 编号：C1350703
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A256是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为1.5V至1.95V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。
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    23K256T-E/SN
    型号：23K256T-E/SN 编号：C615581
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。
    数据手册

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      ￥12.1608 / 个
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    23K256-E/P
    型号：23K256-E/P 编号：C613587
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。
    数据手册

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    HM3-6518-9
    型号：HM3-6518-9 编号：C5648962
    封装：PDIP-18
    品牌：TI(德州仪器)

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    CY62126EV30LL-45ZSXIT
    型号：CY62126EV30LL-45ZSXIT 编号：C2952513
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CDP68HC68R2E
    型号：CDP68HC68R2E 编号：C5591725
    封装：PDIP-8
    品牌：TI(德州仪器)

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    HM3-6508-5
    型号：HM3-6508-5 编号：C5730552
    封装：PDIP-16
    品牌：TI(德州仪器)

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      ￥75.26

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    AS6C4008 55BIN
    型号：AS6C4008-55BIN 编号：C1352064
    封装：TFBGA-36(6x8)
    品牌：Alliance Memory
    数据手册

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    STK15C88-SF45
    型号：STK15C88-SF45 编号：C2959515
    封装：SOIC-28
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY14E256L-SZ45XC
    型号：CY14E256L-SZ45XC 编号：C2958042
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    STK14C88-3NF45
    型号：STK14C88-3NF45 编号：C2953522
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    STK11C88-SF45
    型号：STK11C88-SF45 编号：C2959518
    封装：SOIC-28
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY7C1011G30-12ZSXE
    型号：CY7C1011G30-12ZSXE 编号：C2950312
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY7C1019CV33-12BVXI
    型号：CY7C1019CV33-12BVXI 编号：C2956030
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    预售商品
    CY7C1041CV33-10BAXE
    型号：CY7C1041CV33-10BAXE 编号：C2949851
    封装：TFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY10E422-7DC
    型号：CY10E422-7DC 编号：C2958166
    封装：CDIP-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥4.77

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