EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

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型号：AT24HC02C-SSHM-T 编号：C615974

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24HC02C提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为256个8位字。

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型号：AT25080B-SSHL-T 编号：C111442

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25080B/160B提供8192/16384位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为1024/2048个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25080B/160B有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN、8球VFBGA和8球WLCSP封装可供选择

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型号：HX24LC512BDRG 编号：C2987264

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC512B提供524,288位的串行EEPROM，组织为65,536个8位字。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能。工作温度范围为-40°C至+85°C，支持部分页写入，自定时写周期时间为5ms。写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。支持I2C两线串行接口。

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型号：CAT25128VI-GT3 编号：C88047

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该产品是一款 128- Kb 串行 CMOS EEPROM 器件，内部组织为 16Kx8 位。它具有 64 字节页面写缓冲区，支持串行外设接口 (SPI) 协议。该器件通过片选 (CS(overline)) 输入启用。此外，所需的总线信号包括时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与该器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和全阵列保护。片上 ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。

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型号：BL24CM1A-NTRC 编号：C2999164

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072x8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。该器件提供高可靠性，支持部分页写入，增强的ESD/Latch-up保护，以及100年的数据保留时间。适用于多种工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作方面。

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型号：GX28E01D2F 编号：C22435413

封装：DFN-6(3x3)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX28E01D2F是一款带有SHA-1引擎保护的1Kb单总线EEPROM，用于提供高度的身份验证安全性。该芯片可以处理64位和320位的SHA-1输入块密钥以及64位随机挑战和附加芯片数据。EEPROM阵列配置分为4页256位，带有一个64位暂存器来执行写操作。所有的存储器页都可以设置为写保护，其中一页可以置于EEPROM仿真模式。

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型号：BL24CM2A-PARC 编号：C2932512

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM2A提供2097152位（262144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。包含一个额外的256字节识别页，支持1百万次写入寿命，数据保留时间为100年。

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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

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型号：M95M01-RMN6P 编号：C1349274

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：封装形式：SO8 (MN) 150 mil宽度、TSSOP8 (DW) 169 mil宽度、WLCSP (CS和CU)、未切割晶圆。与串行外设接口 (SPI) 总线兼容。内存阵列：1 Mbit (128 Kbytes) EEPROM，页面大小为256字节。写入速度：字节写入在5 ms内，页面写入在5 ms内

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型号：M24M01-RMN6P 编号：C1349431

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M01是一款1 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128 K×8位。M24M01 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下工作，M24M01 - DF可在1.7 V至5.5 V的电源电压下工作，工作环境为……（原句未完整）

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型号：M95M01-DFCS6TP/K 编号：C221451

封装：WLCSP-8(1.7x2.6)

品牌：ST(意法半导体)

1-Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：DS28E07P+T 编号：C2063921

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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型号：AT25M01-SSHM-T 编号：C117499

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25M01提供1,048,576位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT25M01通过片选引脚（CS(overline)）使能，并通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问

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型号：24FC1025T-I/SN 编号：C219471

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

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￥24.33
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￥21.38
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型号：24C04BN(XBLW) 编号：C18723543

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行EEPROM，组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。

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￥0.215365 ￥0.2267
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￥0.183445 ￥0.1931
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￥0.167485 ￥0.1763
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￥0.155515 ￥0.1637
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￥0.141075 ￥0.1485

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型号：SL24C02D 编号：C5155390

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02D是2K位电可擦除PROM，采用I2C总线接口，支持1.8V~5.5V的工作电压，具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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￥0.2542
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￥0.2014
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￥0.175
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￥0.1552
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￥0.1328
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型号：AT24C04CDBVRG 编号：C19723709

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.2377
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型号：AT24C02M/TR 编号：C356696

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

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