EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：M93C46-WDW6TP 编号：C2061219

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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￥2.49
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型号：AT25080B-SSHL-T 编号：C111442

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25080B/160B提供8192/16384位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为1024/2048个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25080B/160B有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN、8球VFBGA和8球WLCSP封装可供选择

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型号：24AA64T-I/SN 编号：C45707

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：CAT25128VI-GT3 编号：C88047

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该产品是一款 128- Kb 串行 CMOS EEPROM 器件，内部组织为 16Kx8 位。它具有 64 字节页面写缓冲区，支持串行外设接口 (SPI) 协议。该器件通过片选 (CS(overline)) 输入启用。此外，所需的总线信号包括时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与该器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和全阵列保护。片上 ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。

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型号：AT25320B-SSHL-T 编号：C81570

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25320B/640B提供32,768/65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096/8,192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25320B/640B采用节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN、8引脚XDFN和8球VFBGA封装

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型号：M95256-RDW6TP 编号：C283458

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：24LC04BT-E/OT 编号：C2061304

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：24FC512-I/SN 编号：C615159

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

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型号：24LC1025T-I/SM 编号：C183301

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：AT25M01-SSHM-T 编号：C117499

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25M01提供1,048,576位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT25M01通过片选引脚（CS(overline)）使能，并通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问

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型号：DS24B33S+T&R 编号：C117539

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：ZD24C08A-SSGMT 编号：C2896641

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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型号：HX24LC08BDBVRG 编号：C2987267

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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型号：BL24C02F-SFRC 编号：C2763396

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F提供2048位的串行EEPROM，组织为256个字节，支持I2C双向数据传输协议。具有硬件数据保护功能，支持部分页写入，高可靠性，增强ESD/闩锁保护，数据保留时间为100年。

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型号：BL24C32A-SFRC 编号：C177775

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32A是一款32Kbits的串行EEPROM存储器，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。工作电压范围为1.7V至5.5V，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

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型号：AT24C256CDR073 编号：C51026306

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C256是一款256K位I2C兼容串行EEPROM，设计用于1.7V至5.5V的供电电压范围，最高传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件写保护功能，可永久锁定整个存储阵列。

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型号：BL24C256A-NTRC 编号：C691875

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A是一款256K位（32768字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。该设备适用于多种工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作环境中。

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型号：M24C08-FMN6TP 编号：C322596

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C64-FDW6TP 编号：C222148

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：FM24C256E-SO-T-G 编号：C2912084

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C256E 是一款2-Wire Serial EEPROM，提供262,144位的存储容量，支持128位唯一ID和64字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1MHz和400kHz的时钟频率。

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型号：24LC04BT-I/SN 编号：C511263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx04是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位的存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：AT24C512C-SSHM-T 编号：C54668

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C512C 提供 524,288 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个 8 位字。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：CAT24C16HU4I-GT3 编号：C464144

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

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￥3.28
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￥2.6
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￥2.3
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￥1.45

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型号：AT25010B-SSHL-T 编号：C30499

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25010B/020B/040B 提供 1024/2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 128/256/512 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B 采用节省空间的 JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN 和 VFBGA 封装

数据手册

1+
￥3.32
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型号：AT24C64D-XHM-T 编号：C111440

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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￥3.39
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型号：AT24C512N 编号：C434600

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为65,536个8位字。该器件的可级联特性允许最多4个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

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￥3.6
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型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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￥3.68
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￥2.93
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￥2.62
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型号：AT25128B-SSHL-T 编号：C38927

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

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