EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：M95320-DRMN3TP/K 编号：C2971252

封装：SO-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

汽车用32 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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1+
￥13.55
10+
￥11.5
30+
￥10.22

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型号：BR24H256FVM-5ACTR 编号：C5336551

封装：MSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24H256xxx - 5AC系列是一款采用I²C总线接口的256 Kbit串行EEPROM。

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1+
￥14.12
10+
￥12.04
30+
￥10.73

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型号：M24M02E-FMN6TP 编号：C22143988

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

1+
￥15.07
10+
￥12.64
30+
￥11.12

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型号：AT24CM02-SSHD-B 编号：C220680

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为262,144个8位字。该器件的可级联特性允许最多两个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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1+
￥26.49
10+
￥22.54
30+
￥20.2

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型号：QN24C02 编号：C53285958

封装：SOP-8

品牌：QNHCHIP(乾能惠)

20+
￥0.2329
200+
￥0.1849
600+
￥0.1609
4000+
￥0.1429

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型号：ZD24C16A-MAGMT 编号：C52766491

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

接口类型：I2C 存储容量：16Kbit 时钟频率(fc)：1MHz 工作电压:1.7V~5.5V

10+
￥0.2559
100+
￥0.2501
300+
￥0.2463
1000+
￥0.2424

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型号：FEP24C04YSOP8G/TR 编号：C49425002

封装：SOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

4Kbit与I2C兼容的EEPROM，SOP8封装

10+
￥0.331835 ￥0.3493
100+
￥0.263435 ￥0.2773
300+
￥0.229235 ￥0.2413
2500+
￥0.203585 ￥0.2143
5000+
￥0.183065 ￥0.1927
10000+
￥0.17271 ￥0.1818

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型号：24C04N(LX) 编号：C49247851

封装：DIP-8

品牌：LX(灵星芯微)

5+
￥0.3838
50+
￥0.3752
150+
￥0.3694
500+
￥0.3636

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型号：FEP24C16YSOP8G/TR 编号：C49425005

封装：SOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

16Kbit与I2C兼容的EEPROM，SOP8封装

10+
￥0.42028 ￥0.4424
100+
￥0.33364 ￥0.3512
300+
￥0.29032 ￥0.3056
2500+
￥0.25783 ￥0.2714
5000+
￥0.2318 ￥0.244
10000+
￥0.218785 ￥0.2303

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型号：FT24C08A-KLR-T 编号：C5263769

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C08A 是一个8192位的串行EEPROM，内部组织为1024个8位字（1字节）。支持标准的2线双向串行接口，适用于多种封装类型。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

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型号：HG24LC02M/TR 编号：C3007878

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24LC02 / 04 / 08 / 16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 256/512/1024/2048 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。HG24LC02/04/08/16 有节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT23 封装可供选择，并可通过两线串行接口进行访问

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5+
￥0.5087
50+
￥0.4079
150+
￥0.3575
500+
￥0.3197
2500+
￥0.2619
5000+
￥0.2468

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型号：P24C08C-SSH-MIR 编号：C2977251

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C08C是一种8K位I2C兼容的串行EEPROM，具有16字节的页写模式，支持低功耗CMOS技术，工作电压范围为1.7V至5.5V。

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5+
￥0.5277
50+
￥0.4221
150+
￥0.3693

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型号：P24C02A-STH-MIR 编号：C5263799

封装：SOT-23-5

品牌：PUYA(普冉)

P24C02A是一款I2C兼容的串行EEPROM，具有400kHz/1MHz时钟频率，工作电压范围为1.7V到5.5V。它支持低功耗CMOS技术，具有噪声抑制输入、顺序和随机读取功能、页面写模式以及整体内存数组写保护。该设备具有1百万次写周期寿命和100年的数据保留能力。

5+
￥0.5367
50+
￥0.4215
150+
￥0.3639
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￥0.3207
3000+
￥0.2861
6000+
￥0.2688

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型号：FT24C32A-ELR-T 编号：C5263776

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C32A是一款32K位（8位宽）的串行EEPROM，支持低电压和低功耗操作，具有32字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为4096×8（32K）。标准2线双向串行接口，带有噪声保护的施密特触发输入，自定时写周期（最大5ms），1000 kHz（2.5V-5V）和400 kHz（1.7V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护写保护引脚，高可靠性（通常1,000,000次写周期耐久性），100年数据保留，工业温度范围（-40℃至85℃）。

5+
￥0.5877
50+
￥0.4653
150+
￥0.4041
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￥0.3582

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型号：FT24C32A-ETR-T 编号：C232881

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C32A系列是32,768位的串行EEPROM，组织为4096个8位字。这些设备使用专有的先进CMOS工艺制造，适用于低功耗和低压应用。支持1.8V到5.5V的工作电压，具有32字节的页写模式，自定时写周期（最大5ms），1000 kHz (2.5V-5V) 和 400 kHz (1.8V) 兼容性，硬件数据保护引脚，1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间和工业温度范围（-40°C至85°C）。

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5+
￥0.5954
50+
￥0.4658
150+
￥0.401
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型号：BL24C04F-NTRC 编号：C2974708

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C04F是一款4Kbits（512字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。该器件适用于许多工业和商业应用，特别是在低功耗和低压操作方面。

数据手册

5+
￥0.5963
50+
￥0.4715
150+
￥0.4091
500+
￥0.3623

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型号：FT93C46A-UTR-T 编号：C5263792

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT93C46/56/66系列是1024/2048/4096位的串行电可擦除可编程只读存储器，通常称为EEPROM。当ORG引脚连接到VCC（或未连接）时，它们被组织为64/128/256个16位的字；当ORG引脚接地时，则被组织为128/256/512个8位（1字节）的字。这些器件采用专有的先进CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用

5+
￥0.6311
50+
￥0.5111
150+
￥0.4511
500+
￥0.4061

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型号：AT24C04C-SSHM-T-TUDI 编号：C22469380

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C04 提供 4096 位（512 字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），通过 I2C 兼容的 2 线串行接口访问。

5+
￥0.65303 ￥0.6874
50+
￥0.51623 ￥0.5434
150+
￥0.44783 ￥0.4714
500+
￥0.39653 ￥0.4174
2500+
￥0.35549 ￥0.3742
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

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型号：AT24C64D-XHM-T-TUDI 编号：C36533632

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C64提供64K位（8192 x 8位）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有双向数据传输协议，内部组织为8192个8位字。兼容400kHz时钟频率。

5+
￥0.712025 ￥0.7495
50+
￥0.69692 ￥0.7336
150+
￥0.686945 ￥0.7231
500+
￥0.676875 ￥0.7125
2500+
￥0.572375 ￥0.6025

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型号：FT24C128A-ETR-T 编号：C417369

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C128A系列是具有131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器，通常称为EEPROM。它们被组织为16,384个8位（即一个字节）的字。这些器件采用专有的先进CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用

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5+
￥0.8477
50+
￥0.6701
150+
￥0.5813
500+
￥0.5147

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型号：FT24C128A-TNR-T 编号：C53085299

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：FMD(辉芒微)

5+
￥0.8847
50+
￥0.7023
150+
￥0.6111
500+
￥0.5427

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型号：M24C08-FMH6TG 编号：C222189

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.9329
50+
￥0.9127
150+
￥0.8992
500+
￥0.8858

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型号：24LC01BT-I/OT-TUDI 编号：C41411017

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24LC01/24AA01 提供 2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 256 个 8 位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。

5+
￥1.07008 ￥1.1264
50+
￥0.840275 ￥0.8845
150+
￥0.74176 ￥0.7808
500+
￥0.61883 ￥0.6514
2500+
￥0.56411 ￥0.5938
5000+
￥0.53124 ￥0.5592

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型号：CAT24C04C4ATR 编号：C895341

封装：WLCSP-4(0.8x0.9)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04C4是一款4Kb I2C接口的串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有16字节的页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次擦写周期，100年的数据保留时间，工业和扩展温度范围。

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1+
￥1.122 ￥1.7
10+
￥1.0956 ￥1.66
30+
￥1.0758 ￥1.63
100+
￥1.0626 ￥1.61

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型号：24LC02B-I/P-TUDI 编号：C41410975

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

2K SERIAL EEPROM：Internally organized with 16 pages of 16 bytes each, the 2K requires an 8-bit data word address for random word addressing.

5+
￥1.22607 ￥1.2906
50+
￥0.96273 ￥1.0134
150+
￥0.84987 ￥0.8946
500+
￥0.70908 ￥0.7464
2500+
￥0.64638 ￥0.6804
5000+
￥0.60876 ￥0.6408

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型号：CAT34C02YI-GT5A 编号：C895351

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT34C02 是一款用于 DDR2 DIMM 的 EEPROM 串行 2-Kb SPD，内部组织为 16 页，每页 16 个字节，总共 256x8 位。它具有 16 字节页写入缓存，支持 Standard (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。写入操作可以通过将 WP 引脚置于高电平（保护整个内存）或通过软件命令设置内部写保护标志（保护内存的下半区）来禁止。除了永久性软件写保护之外，CAT34C02 还具有兼容 JEDEC 的可逆向软件写保护，用于基于 1.7 V 至 3.6 V 电源电压范围运行的 DDR2 顺序内存指示位检测 (SPD) 应用。CAT34C02 完全向后兼容之前基于 1.7 V 至 5.5 V 电源电压范围运行的 DDR1 SPD 应用。

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