EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

M24C01(C02) 是一款 1(2) Kbit 的 I²C 兼容 EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为 128 (256)×8 位。M24C01/02-W 可在 2.5 V 至 5.5 V 的电源电压下访问；M24C01/02-R 可在 1.8 V 至 5.5 V 的电源电压下访问，而 M24C02-F 可在……

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型号：M24128-BRDW6TP 编号：C283430

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

128 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C08-FCT6TP/T 编号：C2971314

封装：WLCSP-4(0.7x0.7)

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥1.7162
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型号：HG24C256MM/TR 编号：C5310844

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥1.8374
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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥1.9
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型号：CAT24C64C4CTR 编号：C463683

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64是64 Kb CMOS串行EEPROM设备，内部组织为8192个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。外部地址引脚可使最多8个CAT24C64设备在同一条总线上寻址。

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：M34E04-FMC9TG 编号：C262923

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

DRAM模块的4 Kbit I2C/SMBus总线串行EEPROM和SPD（DDR4）

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型号：24AA32AT-I/OT-TUDI 编号：C41411015

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24LC32/24AA32提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096字节。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。

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型号：AT24C512CP064 编号：C51026310

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C512是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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型号：24LC02BT-E/SN 编号：C615682

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：M24512-DFMC6TG 编号：C222237

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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型号：24AA256T-I/SN-TUDI 编号：C41410998

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：M95128-WMN6P 编号：C283457

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95128-WMN6P是一款128Kbit SPI接口的EEPROM，具有高时钟速度，适用于多种应用场景。

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型号：GX2431 编号：C2926931

封装：TO-92-3

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：GX2431Q 编号：C2763593

封装：QFN-16

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431Q是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：M24M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C36533665

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M02是一款2M位（262,144 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业应用。

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型号：ZD25C1MA-SSGMB 编号：C53552663

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD25C1MA是一款1Mbit (131,072x8) EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至105°C，写周期寿命为2百万次，数据保留时间为200年

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型号：CAT25512HU5I-GT3 编号：C463684

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb串行EEPROM SPI器件，内部结构为64Kx8位。它具备128字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS）(overline)输入使能

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型号：24LC16BT-E/OT 编号：C616242

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

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型号：M95M02-DWMN3TP/K 编号：C222181

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：24LC515T-I/SM 编号：C616117

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512K位I2C CMOS串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，支持100kHz和400kHz时钟频率，具有硬件写保护功能。

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￥22.31
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型号：24C02-HXY 编号：C7427344

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1 MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V)兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

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￥0.2337 ￥0.246
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￥0.191045 ￥0.2011
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型号：AT24C08CDR310 编号：C51026302

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

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￥0.284022 ￥0.3054
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￥0.224688 ￥0.2416
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￥0.14601 ￥0.157

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型号：AT24C16CDR179 编号：C51026305

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

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￥0.308367 ￥0.3807
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￥0.243081 ￥0.3001
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￥0.210438 ￥0.2598
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￥0.185895 ￥0.2295
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型号：FT24C02A-KLR-T 编号：C5189122

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持1.8V至5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护输入，自定时编程周期（最大5ms），1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间。

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￥0.3193
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￥0.2524
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型号：HX24LC02BDBVRG 编号：C2987265

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B是一款2K位I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于1.7V至5.5V的工作电压范围，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备包括一个写保护引脚，用于硬件写保护整个存储器阵列。此外，还提供了软件写保护功能，用户可以写保护整个存储器阵列。

数据手册

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￥0.38196 ￥0.4244
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￥0.29772 ￥0.3308
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￥0.18603 ￥0.2067

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型号：BL24C04F-PARC 编号：C2856707

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C04F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为256个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。

数据手册

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型号：AT24C02-TD 编号：C42421822

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

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