FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作，掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成，每页256字节，一次最多可编程256字节

数据手册

50+
￥11.594278
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型号：AT45DB161D-CCU 编号：C184788

封装：BGA-24

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型号：W25Q32RVSSJQ 编号：C33342627

封装：SOIC-8-208mil

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型号：P25Q128H-SUH-IT 编号：C2977258

封装：SOP-8 208mil

品牌：PUYA(普冉)

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￥9.46
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型号：M29W800DT70N6E 编号：C598773

封装：TSOP-48

品牌：micron(镁光)

数据手册

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￥9.5
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型号：MX25U6432FBBI02 编号：C2913609

封装：XFBGA-14

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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￥10.03
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型号：W25Q40RVSNJQ 编号：C32268516

封装：SOIC-8

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型号：SST26VF016BT-104V/MF 编号：C629158

封装：WDFN-8-EP(5x6)

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￥20.2384
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型号：SST25PF040CT-40I/SN 编号：C624747

封装：SOIC-8

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型号：F35SQA512M-WWT 编号：C5126826

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

FORESEE 512Mbit SPI NAND Flash F35SQA512M 支持标准SPI接口，最高支持133MHz时钟频率。该器件提供JEDEC标准制造商和设备ID，唯一ID，一个参数页和62个OTP页。内部1位ECC逻辑默认启用，支持软件和硬件写保护。

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型号：ZD25Q256AYIGY 编号：C41371654

封装：DFN-8L(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,256Mbit,2.7~3.6V,DFN-8L(6x8),WSON-8-EP(6x8),Tube

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￥15.66
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￥13.25
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型号：MX25L6445EM2I-10G 编号：C27796

封装：SOIC-8-208mil

64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit/16M x 4bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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15+
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型号：SST25PF040CT-40V/NP 编号：C626315

封装：USON-8-EP(2x3)

具有四线SPI兼容接口，允许使用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低了系统总成本。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更好的可靠性和可制造性。该串行闪存显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。设备使用2.3V-3.6V的单电源进行写入（编程或擦除）。

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￥16.08
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型号：MX30LF2G28AD-TI 编号：C2894350

封装：TFSOP-48-18.4mm

MX30LF2G28AD是一款2G-bit SLC NAND Flash存储器，支持8位ECC，具有硬件数据保护功能，适用于嵌入式系统代码和数据存储。

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￥73.782252
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￥67.935668

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型号：MX25V1635FZNQ03 编号：C5139359

封装：WSON-8(5x6)

特性：2.3V-3.6V用于读取、擦除和编程操作。支持唯一ID和安全一次性可编程（OTP）。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口。模式0和模式3。 16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或每个块为64K字节

1+
￥20.83
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￥14.23
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型号：W25Q256JVEIQ 编号：C5334276

封装：WSON-8(6x8)