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1.8V、256Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO（串行多输入/输出）闪存

型号：MX25U25643GZ4I00 编号：C20099926

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

1+
￥11.17
10+
￥10.89
30+
￥10.71
100+
￥10.53

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具备快速擦除功能的超低功耗串行NOR闪存

型号：AT25EU0011A-MAHN-T 编号：C7495062

封装：DFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25EU 系列为设计人员提供了一种能效大幅提升的解决方案，适用于代码存储、事件记录和数据记录应用。

1+
￥14.24
10+
￥11.99
30+
￥10.58
100+
￥9.13
500+
￥8.48
1000+
￥8.2

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2Gbit 单层单元（SLC）NAND 闪存

型号：FSNS8A002G-TWT 编号：C5126835

封装：TSOP-48L

品牌：FORESEE(江波龙)

FSNS8A002G是一款2Gbit (256Mx8bit)的NAND Flash存储器，带有64M-bit的备用空间。该设备工作在3.3V的单电源下，支持硬件写保护和软件块保护。页面大小为(2K + 64)字节，块大小为(128K + 4K)字节。编程操作可以在典型350μs内完成，擦除操作可以在典型2ms内完成。

数据手册

1+
￥15.46
10+
￥14.29
30+
￥13.57
100+
￥11.81
500+
￥11.47
1000+
￥11.33

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1.8V、128Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS串行多输入输出（SMIO）闪存

型号：MX25U12835FM2I-10G 编号：C6611928

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为 1.65 至 2.0 伏。支持多 I/O。单 I/O、双 I/O 和四 I/O。四外围接口 (QPI) 读/编程模式。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。 23 球 WLCSP（球直径 0.30mm）

单价：
￥14.434232 / 个

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W25Q128JWEIQ

型号：W25Q128JWEIQ 编号：C6604658

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

40+
￥43.540131
100+
￥40.247181
1000+
￥37.0457

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3V、128Mbit CMOS串行多I/O闪存

型号：MX25L12835FZ2I-10G 编号：C504709

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

128Mb 串行闪存，内部配置为 16,777,216×8。在双或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位×2 或 33,554,432 位×4。在单 I/O 模式下，具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上操作，三个总线信号为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。在双 I/O 读模式下，SI 引脚和 SO 引脚变为 SIO0。

数据手册

1+
￥18.37
10+
￥15.66
30+
￥13.96

有货

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AT25SL128A-UUE-T

型号：AT25SL128A-UUE-T 编号：C20788390

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

100+
￥17.231338
1000+
￥15.860663

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GD25LE128ESIGR

型号：GD25LE128ESIGR 编号：C7197890

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥19.44
10+
￥19
30+
￥18.7
100+
￥18.4

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3V, 128M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS串行多I/O闪存

型号：MX25L12833FZNI-10G 编号：C2802709

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

128Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 16,777,216 x 8。在双 I/O 或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位 x 2 或 33,554,432 位 x 4。具有串行外设接口和软件协议，允许在单电源下运行。

数据手册

230+
￥7.889888
500+
￥6.552618
1000+
￥5.516235

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SST39VF040 70 4C NHE

型号：SST39VF040-70-4C-NHE 编号：C1350879

封装：PLCC-32(11.5x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥26.2
10+
￥22.38
30+
￥19.97
90+
￥17.67
600+
￥16.62
900+
￥16.14

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MT29F2G01ABBGDWB-IT:G

型号：MT29F2G01ABBGDWB-IT:G 编号：C5330479

封装：UPDFN-8

品牌：micron(镁光)

MT29F2G01ABBGDWB-IT是一款2Gb密度的串行NAND闪存，采用FBGA封装，支持-40°C至+85°C的工作温度。

1+
￥30
10+
￥29.29
30+
￥28.83
100+
￥28.36

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K9F1G08U0D-BIB0

型号：K9F1G08U0D-BIB0 编号：C53063413

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥14.125
20+
￥13.56
100+
￥12.995
200+
￥12.656
500+
￥12.43

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128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口

型号：S25FL256SAGBHIA00 编号：C2959320

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥37.12
10+
￥36.25
30+
￥35.67
100+
￥35.09

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64 Mbit串行四路I/O闪存

型号：SST26VF064B-104V/MF 编号：C637031

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

数据手册

1+
￥39.33
10+
￥38.46
30+
￥36.11
100+
￥35.53

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具备双/四SPI接口的3V、256Mbit 串行闪存

型号：W25Q256JVEIM TR 编号：C5830879

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥45.45
10+
￥39.66
30+
￥36.12
100+
￥33.16

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MX25UM51345GXDI00

型号：MX25UM51345GXDI00 编号：C20099949

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

1+
￥56.59
200+
￥22.58
480+
￥21.83
960+
￥21.45

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S25FL-P(32Mb/64Mb)封装布线指南

型号：S26HL512TFPBHI000 编号：C2944560

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥75.62
10+
￥71.8
30+
￥65.2
100+
￥59.44

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1 Gbit FL-S闪存SPI多输入/输出

型号：S70FL01GSAGMFI010 编号：C2944437

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V Core。串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥84.06
10+
￥72.99
30+
￥66.24
100+
￥60.58

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MX25R1635FM2IL0

型号：MX25R1635FM2IL0 编号：C152602

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

数据手册

1+
￥0.8731
10+
￥0.8554
30+
￥0.8437
100+
￥0.8319

订货

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BY25D40ASTIG(T)

型号：BY25D40ASTIG(T) 编号：C384591

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

数据手册

5+
￥0.9574
50+
￥0.7558
200+
￥0.6507
500+
￥0.5429
2500+
￥0.4949
5000+
￥0.466

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IS25WP016D JKLE

型号：IS25WP016D-JKLE 编号：C1348868

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥1.2027
10+
￥1.1765
30+
￥1.1591
100+
￥1.1416

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2.3V-3.6V，8Mbit [x1/x2/x4] CMOS MXSMIO（串行多输入输出）闪存

型号：MX25V8035FM1ITR 编号：C2803050

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：2.3V-3.6V用于读取、擦除和编程操作。支持唯一ID和安全一次性可编程（OTP）。支持多输入输出（I/O）。支持单I/O、双I/O和四I/O

2500+
￥1.177
5000+
￥1.166

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BY25Q80BSSIG(T)

型号：BY25Q80BSSIG(T) 编号：C918199

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

数据手册

1+
￥1.5262
10+
￥1.2238
30+
￥1.0942
95+
￥0.9325
475+
￥0.8605
1045+
￥0.8172

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BY25Q80BSTIG(T)

型号：BY25Q80BSTIG(T) 编号：C918200

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

数据手册

1+
￥1.6338
10+
￥1.3062
30+
￥1.1658
100+
￥0.9907
500+
￥0.9127
1000+
￥0.8658

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1.8V 统一扇区双路和四路串行闪存

型号：GD25LQ80CEIGR 编号：C395487

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ80C（8M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

数据手册

1+
￥2.04
10+
￥1.9
30+
￥1.81
100+
￥1.72

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停产 W25X10BVSNIG

型号：W25X10BVSNIG 停产编号：C44608

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥2.13
10+
￥2.08
30+
￥2.05
100+
￥2.02

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GD25D10CTIG

型号：GD25D10CTIG 编号：C395518

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1Mbit

数据手册

1+
￥2.14
10+
￥2.1
30+
￥2.08
100+
￥2.05

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GD25LQ64CVIG

型号：GD25LQ64CVIG 编号：C2903922

封装：VSOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥2.48
10+
￥1.96
30+
￥1.73
100+
￥1.46
500+
￥1.27
1000+
￥1.2

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我要订货

2.3V-3.6V，16Mbit [x1/x2] CMOS MXSMIO（串行多I/O）闪存

型号：MX25V16066M2I02 编号：C2913623

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V16066是一款16Mb的串行NOR闪存，其内部配置为2,097,152 x 8。MX25V16066具备串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）

1+
￥2.7148
200+
￥1.0506
500+
￥1.0137
1000+
￥0.9955

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S29GL128P90FFIR20

型号：S29GL128P90FFIR20 编号：C2948549

封装：LBGA-64

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥77.592
10+
￥76.32
50+
￥73.14
100+
￥69.96
200+
￥68.688

我要订货

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最快4小时发货
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