FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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1+
￥21.85
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￥19.67
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￥18.3
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型号：W25Q256JVEIQ 编号：C2682312

封装：WSON-8-EP(6x8)

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型号：GD25B512MEYIGR 编号：C2974186

封装：WSON-8-EP(6x8)

GD25B512ME（512M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持四路SPI和双数据速率（DTR）模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。四路I/O和四路输出数据的传输速率为532Mbit/s，DTR四路I/O数据的传输速率为720Mbit/s。

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥31.98
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￥27.15
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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

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￥36.88
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型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥79.1825 ￥83.35
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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥87.7705 ￥92.39
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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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￥114.551 ￥120.58
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型号：IS25LP040E-JYLA3-TR 编号：C6062478

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥3.41
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￥2.68
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型号：MX25L3233FM1I-08G 编号：C2802994

封装：SOP-8

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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￥3.98
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￥3.21
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型号：W25X40CLUXIG TR 编号：C401661

封装：USON8-EP(2x3)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥4.11
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型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

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￥5.24
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型号：GD25LQ32ESIGR 编号：C2928890

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：W25Q16JVSNIQ 编号：C115407

封装：SOIC-8

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥5.89
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￥5.09
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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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￥8.57
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￥7.3935 ￥7.95
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￥6.2665 ￥7.55
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￥5.9345 ￥7.15
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型号：GD25Q64CWIGR 编号：C395511

封装：WSON-8-EP(5x6)

GD25Q64C（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），还支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速率为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速率为480Mbits/s。

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1+
￥9.44
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￥8.2
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￥7.52
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￥4.16
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￥3.82
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￥3.66

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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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1+
￥10.27
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￥8.68
30+
￥7.8
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￥5.79
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￥5.35
1000+
￥5.15

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型号：AT25DF321A-SH-T 编号：C6490

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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￥10.5
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￥8.78
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￥7.84
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￥6.27
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￥5.8
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￥5.59

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型号：MX25L25645GZNI-08G 编号：C2802981

封装：WSON-8-EP(5x6)

1+
￥18.77
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￥15.76
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￥13.88
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￥11.95
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￥11.08
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￥10.7

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型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

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1+
￥26.22
10+
￥25.95
30+
￥25.77
100+
￥24

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型号：MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 编号：C410863

封装：U-PDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元 (SLC) 技术。2Gb 密度。页面大小 x1：2176 字节 (2048 + 128 字节)。块大小：64 页 (128K + 8K 字节)。平面大小：2Gb (2 个平面，每个平面 1024 个块)。标准和扩展 SPI 兼容串行总线接口

数据手册

1+
￥26.91
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￥23.44
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￥21.38
100+
￥19.29

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型号：MT25QL512ABB1EW9-0SIT 编号：C2063401

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥64.11
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￥55.35
30+
￥50.02
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￥45.54

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型号：CSNP16GCR01-AOW 编号：C7527488

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代16Gb pSLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.高可靠性,>3万次擦写寿命,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

1+
￥76.54
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￥72.81
30+
￥66.33
100+
￥60.69

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型号：CSNP32GCR01-BOW 编号：C5440134

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 32Gb MLC.标准SD 2.0协议.即插即用.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.自动stand by,降低功耗.高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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1+
￥80.86
10+
￥76.99
30+
￥70.27
100+
￥64.41

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型号：MKDN512GCL-ZC 编号：C52753986

封装：LGA-16(9x13)

SD NAND Flash类型:TLC, 512Gbit(64GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，别名SDNAND、贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;

1+
￥123.318 ￥132.6
30+
￥117.0498 ￥125.86

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型号：MKDN064GIL-ZA 编号：C3041336

封装：LGA-16(9x12.5)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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1+
￥142.5
10+
￥135.9
30+
￥124.46

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型号：MKDV32GIL-STPB 编号：C48937379

封装：LGA-8(6.6x8)

32Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

1+
￥160.189 ￥168.62
30+
￥152.437 ￥160.46

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型号：MKDN512GCL-ZAA 编号：C17700147

封装：LGA-16(9x12.5)