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首页 > 热门关键词 > FLASH存储器芯片
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W29N04GV 是一款 4Gbit 3.3V NAND FLASH 存储器,支持标准 NAND 命令集,适用于代码阴影到 RAM、固态应用和数据存储。具有低功耗、高性能和紧凑封装的特点。
数据手册
  • 单价:

    ¥73.7 / 个
W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
  • 20+

    ¥15.251342
  • 100+

    ¥13.158021
  • 1000+

    ¥12.11136
  • 1+

    ¥5.41
  • 10+

    ¥4.35
  • 30+

    ¥3.82
  • 100+

    ¥3.3
  • 500+

    ¥2.98
  • 1000+

    ¥2.82
  • 订货
  • GD25LQ16C(16M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和 I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s,四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.09
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.42
    • 100+

      ¥3.75
    • 500+

      ¥3.45
    • 1000+

      ¥3.31
  • 订货
  • SLC NAND 2Gb
    数据手册
    • 1+

      ¥11.26
    • 10+

      ¥9.6
    • 30+

      ¥8.56
    • 96+

      ¥6.58
    • 480+

      ¥6.1
    • 960+

      ¥5.89
  • 订货
  • MX25U12832F是一款128Mb的串行NOR闪存,其内部配置为16,777,216 x 8。
    • 15+

      ¥17.944225
    • 100+

      ¥15.481293
    • 1000+

      ¥14.249826
    S29GL - S 中密度系列器件是采用 65 纳米 MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064S 是一款 64 Mb 的器件,组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。根据型号不同,这些器件仅配备 16 位宽的数据总线,或者配备 16 位宽的数据总线,该总线还可通过使用 BYTE# 输入作为 8 位宽的数据总线
    数据手册
    • 5+

      ¥63.947398
    • 10+

      ¥60.394765
    • 100+

      ¥52.105287
    • 1000+

      ¥47.960548
    GD25LQ128E(128M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s,四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.08
    • 10+

      ¥12.46
    • 30+

      ¥11.57
    • 95+

      ¥6.75
    • 475+

      ¥6.3
    • 1045+

      ¥6.1
  • 订货
    • 1+

      ¥16.43
    • 10+

      ¥14.42
    • 30+

      ¥13.16
    • 100+

      ¥11.88
    • 500+

      ¥11.3
    • 1000+

      ¥11.05
  • 订货
  • 3.3V 1Gbit
    数据手册
    • 1+

      ¥17.04
    • 10+

      ¥14.63
    • 30+

      ¥13.12
    • 96+

      ¥11.57
    • 480+

      ¥10.88
    • 960+

      ¥10.57
  • 订货
    • 1+

      ¥17.43
    • 10+

      ¥14.64
    • 30+

      ¥12.89
    • 100+

      ¥11.09
    • 480+

      ¥10.28
    • 960+

      ¥9.93
  • 订货
  • XT26G02E是一款2G位(256MB)的SPI(串行外设接口)NAND闪存,具备先进的写保护机制。XT26G02E支持标准串行外设接口(SPI)、双/四路I/O选项。• 单级单元(SLC)技术
    数据手册
    • 1+

      ¥19.1
    • 10+

      ¥16.34
    • 30+

      ¥14.7
    • 100+

      ¥12.54
    • 377+

      ¥11.77
    • 1131+

      ¥11.43
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率(STR/DTR)。时钟频率:STR下所有协议最高166 MHz。DTR下所有协议最高90 MHz
    • 1+

      ¥19.94
    • 10+

      ¥16.96
    • 30+

      ¥14.51
    • 100+

      ¥12.6
    • 500+

      ¥11.74
    • 1000+

      ¥11.37
  • 订货
  • 的S25FL128S和S25FL256S器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品:- MirrorBit技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.57416
    • 20+

      ¥24.53456
    • 100+

      ¥23.9108
    • 200+

      ¥23.28704
    • 500+

      ¥22.8712
    S29JL032J是一款32 Mb、仅支持3.0 V的闪存器件,其组织形式为2,097,152个16位字,或4,194,304个8位字节。字模式数据通过DQ15 - DQ0传输;字节模式数据通过DQ7 - DQ0传输。
    • 1+

      ¥34.11
    • 10+

      ¥29.16
    • 30+

      ¥26.22
    • 100+

      ¥23.24
    • 500+

      ¥21.87
    • 960+

      ¥21.25
  • 订货
  • 特性:单级单元(SLC)工艺技术。 密度:128Mb。 电源电压:VCC(overline) = 2.7-3.6V(编程、擦除、读取),VCCQ(overline) = 1.65-VCC(I/O缓冲器)。 异步随机/页读取。 页大小:16字或32字节。 页访问:20ns
    • 1+

      ¥41.82
    • 10+

      ¥36.87
    • 30+

      ¥33.85
    • 100+

      ¥31.32
  • 订货
  • 特性:单级单元(SLC)技术。4Gb密度。页面大小×1:4352字节(4096 + 256字节)。块大小:64页(256K + 16K字节)。平面大小:1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
    • 1+

      ¥51.72
    • 10+

      ¥44.8
    • 30+

      ¥40.58
    • 100+

      ¥37.04
  • 订货
  • HYN4G08UHTCC1是一款4Gb SLC NAND Flash,采用TSOP封装,支持ONFI 1.0标准,工作电压为2.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至85°C。
    • 1+

      ¥52.75
    • 10+

      ¥45.33
    • 30+

      ¥40.8
  • 有货
  • 特性:通用特性:电源操作:读取、擦除和编程操作为2.7至3.6伏。MX29GL256F H/L:VI/O = VCC = 2.7V~3.6V,VI/O电压必须与VCC紧密匹配。MX29GL256F U/D:输入/输出的VI/O = 1.65V~3.6V。字节/字模式可切换。33,554,432 x 8或16,777,216 x 16。64KW/128KB统一扇区架构。256个相等的扇区。16字节/8字页读取缓冲区
    • 5+

      ¥62.091359
    • 10+

      ¥58.641839
    • 100+

      ¥50.592959
    • 1000+

      ¥46.568519
    MX25UM25645G 是一款 256Mb 的八进制接口串行 NOR 闪存,其内部配置为 33,554,432 x 8。MX25UM25645G 具备串行外设接口和软件协议,在单 I/O 模式下可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)
    • 1+

      ¥66.37
    • 10+

      ¥65.27
    • 30+

      ¥64.53
    • 100+

      ¥63.8
  • 订货
    • 5+

      ¥139.753038
    • 50+

      ¥128.100995
    • 500+

      ¥115.805587
    • 1+

      ¥73.67
    • 200+

      ¥29.4
    • 500+

      ¥28.41
    • 1000+

      ¥27.93
  • 订货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥76.02
    • 10+

      ¥72.43
    • 30+

      ¥66.21
    • 112+

      ¥60.78
  • 订货
    • 1+

      ¥84.2
    • 10+

      ¥80.59
    • 30+

      ¥74.35
    • 100+

      ¥68.9
  • 订货
  • 特性:堆叠设备(四个512Mb裸片)。 SPI兼容串行总线接口。 单和双传输速率(STR/DTR)。 所有STR协议的时钟频率最大为133MHz。 所有DTR协议的时钟频率最大为90MHz。 双/四I/O命令,吞吐量高达90MB/s
    数据手册
    • 1+

      ¥374.98
    • 30+

      ¥355.08
  • 订货
    • 1+

      ¥0.8034
    • 10+

      ¥0.7844
    • 30+

      ¥0.7717
    • 100+

      ¥0.759
  • 订货
    • 1+

      ¥0.8521
    • 10+

      ¥0.8319
    • 30+

      ¥0.8185
    • 100+

      ¥0.805
  • 订货
    • 5+

      ¥0.8852
    • 50+

      ¥0.8598
    • 150+

      ¥0.8429
    • 500+

      ¥0.826
  • 订货
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