FLASH存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

SST的串行闪存系列具有四线、SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，并最终降低总系统成本。采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。该产品显著提高了性能，同时降低了功耗。对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术在编程时使用的电流更少，擦除时间更短，因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。该产品使用2.7-3.6V单电源供电。

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型号：SST25VF020B-80-4I-SAE 编号：C21719

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品线采用了四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF020B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF020B SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：SST25VF080B-50-4I-QAE 编号：C637020

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：W25Q32JWBYIQ 编号：C976194

封装：WLCSP-12

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作，掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成，每页256字节，一次最多可编程256字节

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型号：GD25WQ32ESIGR 编号：C2973995

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：MX29LV320EBTI-70G 编号：C71948

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

32-Mbit(4M x 8bit/2M x 16bit)，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：SST25VF080B-50-4I-QAF 编号：C637021

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品家族采用四线SPI兼容接口，支持低引脚数封装，可减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：GD25LQ128DWIGR 编号：C395515

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128D（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI和QPI模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。

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型号：SST26VF016B-104I/SN 编号：C631790

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：PC28F640J3F75A 编号：C412513

封装：BGA-64

品牌：micron(镁光)

特性：对称128-KB块。128 Mbit（128块）。64 Mbit（64块）。32 Mbit（32块）

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型号：IS25LP128F-JKLE-TR 编号：C6062482

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

45+
￥41.903027
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￥38.733891
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￥35.652786

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型号：W25Q128FVEIG TR 编号：C19353558

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

25+
￥84.037987
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￥73.821604
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￥67.971902

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型号：S25FL128LAGMFI010 编号：C2959152

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥27.28
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￥26.69
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￥25.9

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型号：W25Q64FWZPIG 编号：C401656

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该器件在1.65V至1.95V的单电源下工作，工作电流低至4mA，掉电电流为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由32,768个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以16个为一组进行擦除（4KB扇区擦除）

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￥10.59375
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￥9.80049
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型号：N25Q128A13ESE40F 编号：C5367259

封装：SO-8W

品牌：micron(镁光)

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￥35.94
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型号：SST39VF402C-70-4C-EKE 编号：C637408

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 器件是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 256K x16 CMOS 多用途闪存 Plus（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF401C/402C 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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