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首页 > 热门关键词 > SDRAM存储器芯片
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MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR
型号：MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR 编号：C20447337
封装：54-TSOP II
品牌：micron(镁光)

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    MT46V32M8TG-5B:G
    型号：MT46V32M8TG-5B:G 编号：C20581995
    封装：66-TSOP
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥120.15

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    IS43LR32800F-6BL-TR
    型号：IS43LR32800F-6BL-TR 编号：C20585132
    封装：90-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥120.2

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    IS42RM32800E-6BLI
    型号：IS42RM32800E-6BLI 编号：C17525124
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800E 是一款移动同步 DRAM，具有 268,435,456 位存储容量，组织为 4 个bank，每个bank有 2,097,152 个字 × 32 位。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 供电，具有自动刷新和自刷新功能，支持数据掩码功能，4K 刷新周期，内部 4 个bank操作，可编程突发长度和类型，特殊功能支持等。

    • 1+

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    IS42SM32160E-75BLI
    型号：IS42SM32160E-75BLI 编号：C17672248
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥120.4

    • 240+

      ￥48.04

    • 480+

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    IS42S32400E-7BLI
    型号：IS42S32400E-7BLI 编号：C20584553
    封装：90-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥120.52

    • 240+

      ￥48.09

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    EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
    型号：EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR 编号：C17490368
    封装：VFBGA-134(10x11.5)
    品牌：micron(镁光)

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      ￥120.61

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    IS45S16320F 7CTLA2 TR
    型号：IS45S16320F-7CTLA2-TR 编号：C2066109
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V或2.5V系统。它支持多种时钟频率和工作模式，包括突发读写操作和自动预充电功能。
    数据手册

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    IS45S16320F 7BLA2 TR
    型号：IS45S16320F-7BLA2-TR 编号：C2065091
    封装：TFBGA-54(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，支持3.3V供电，具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新。
    数据手册

    • 1+

      ￥120.62

    • 200+

      ￥46.68

    • 500+

      ￥45.04

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    MT48LC16M16A2BG-75:D TR
    型号：MT48LC16M16A2BG-75:D TR 编号：C20511974
    封装：54-VFBGA (8x14)
    品牌：micron(镁光)

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      ￥120.68

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    IS43LQ16128AL-062TBLI
    型号：IS43LQ16128AL-062TBLI 编号：C17616185
    封装：TFBGA-200(10x14.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S83200B-7TL-TR
    型号：IS42S83200B-7TL-TR 编号：C20494425
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥120.72

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      ￥48.17

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    IS43LR32320C-6BLI
    型号：IS43LR32320C-6BLI 编号：C17277431
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作，支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。

    • 1+

      ￥120.8

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    MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L
    型号：MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L 编号：C20457144
    封装：54-VFBGA (8x8)
    品牌：micron(镁光)

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      ￥120.88

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    MT48LC32M8A2P-75 L:D
    型号：MT48LC32M8A2P-75 L:D 编号：C20450287
    封装：54-TSOP II
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥120.89

    • 200+

      ￥48.24

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      ￥45.83
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    MT47H64M8B6-5E:D
    型号：MT47H64M8B6-5E:D 编号：C20552229
    封装：60-FBGA
    品牌：micron(镁光)

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    MT46V128M4TG-6T:F
    型号：MT46V128M4TG-6T:F 编号：C20583004
    封装：66-TSOP
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

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    MT53B128M32D1NP-062 WT:A
    型号：MT53B128M32D1NP-062 WT:A 编号：C20556115
    封装：200-WFBGA (10x14.5)
    品牌：micron(镁光)

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    IS43LR16640C-6BLI-TR
    型号：IS43LR16640C-6BLI-TR 编号：C17526509
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作，支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。

    • 1+

      ￥122.13

    • 200+

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    IS42S83200D-6TL
    型号：IS42S83200D-6TL 编号：C20493440
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥122.48

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      ￥48.87

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      ￥46.43
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    IS42S16160D-75ETLI-TR
    型号：IS42S16160D-75ETLI-TR 编号：C20493817
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥122.61

    • 200+

      ￥48.92

    • 500+

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    MT46V32M16P-5B IT:F
    型号：MT46V32M16P-5B IT:F 编号：C20582941
    封装：66-TSOP
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥122.96

    • 200+

      ￥49.06

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      ￥47.42

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      ￥46.61
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    MT46V64M8TG-6T IT:F
    型号：MT46V64M8TG-6T IT:F 编号：C20583955
    封装：66-TSOP
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥123.08

    • 200+

      ￥49.11

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    MT46V32M16CV-5B:J TR
    型号：MT46V32M16CV-5B:J TR 编号：C20506407
    封装：60-FBGA (8x12.5)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥123.15

    • 200+

      ￥49.14

    • 500+

      ￥47.5

    • 1000+

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    MT46V16M16TG-6T IT:F
    型号：MT46V16M16TG-6T IT:F 编号：C20580784
    封装：66-TSOP
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥123.31

    • 200+

      ￥49.2

    • 500+

      ￥47.56

    • 1000+

      ￥46.75
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    MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
    型号：MT53B128M32D1DS-062 AAT:A 编号：C19711462
    封装：-
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥123.41

    • 200+

      ￥49.24

    • 500+

      ￥47.6

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    IS43LD32640C-18BLI
    型号：IS43LD32640C-18BLI 编号：C17282374
    封装：TFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LD16128C/32640C是一款2Gbit CMOS LPDDR2 SDRAM，采用双数据速率架构实现高速操作。内部配置为8个bank，每个bank8兆字x32位。支持高带宽操作，时钟频率范围为10MHz到533MHz。

    • 1+

      ￥123.45

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      ￥46.8
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    IS42S83200D-7TLI-TR
    型号：IS42S83200D-7TLI-TR 编号：C20494244
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥123.56

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    IS45S16320F 7CTLA2
    型号：IS45S16320F-7CTLA2 编号：C1352613
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM，高速CMOS动态随机存取存储器，支持3.3V VDD/VDDQ，具有内部四bank结构和同步接口，适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。
    数据手册

    • 1+

      ￥123.75

    • 200+

      ￥47.89

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      ￥46.21

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    MT40A256M16GE-075E IT:B TR
    型号：MT40A256M16GE-075E IT:B TR 编号：C20464039
    封装：96-FBGA (9x14)
    品牌：micron(镁光)

    • 1+

      ￥123.83

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      ￥49.41

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