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封装：-

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

1+
￥17.69
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￥15.04
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￥13.38
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￥11.67
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￥10.91
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￥10.57

有货

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型号：DS24B33+ 编号：C1523890

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

数据手册

1+
￥20.94
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￥17.92
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￥16.13
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￥14.31

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型号：AT24C1024B-PU25 编号：C36533652

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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￥21.394 ￥22.52
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￥20.3205 ￥21.39
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￥19.6745 ￥20.71
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￥19.019 ￥20.02
500+
￥18.7245 ￥19.71
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￥18.5915 ￥19.57

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型号：AT24C1024-10PI-2.7 编号：C36533653

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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￥21.394 ￥22.52
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￥20.3205 ￥21.39
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￥19.6745 ￥20.71
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￥19.019 ￥20.02
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￥18.7245 ￥19.71
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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

数据手册

1+
￥22.37
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￥19.46
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￥17.72
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￥15.97

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型号：AT25M02-SSHM-T-TUDI 编号：C41355580

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02 是一款2M位（262,144x8）的串行EEPROM，具有256字节的可锁定识别页。支持部分页面写入，写保护功能可以保护四分之一、一半或整个内存阵列。工作电压范围为2.8V至5.5V，最高时钟频率为55MHz。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥22.8095 ￥24.01
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￥19.5035 ￥20.53
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￥17.537 ￥18.46
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￥15.542 ￥16.36
500+
￥14.63 ￥15.4
1000+
￥14.212 ￥14.96

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型号：W25Q128JWBAQ 编号：C52993625

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥23.67
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￥21.92
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￥20.83
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￥19.71
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￥19.2
1000+
￥18.98

有货

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型号：IS25WP256D-JLLE 编号：C178257

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

1+
￥28.41
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￥24.59
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￥22.33
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￥20.04
480+
￥18.98

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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

1+
￥33.0352 ￥37.54
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￥28.468 ￥32.35
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￥25.6784 ￥29.18
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￥23.3464 ￥26.53

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型号：IS66WVO32M8DALL-200BLI 编号：C17535354

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器，支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口，支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。

1+
￥33.42
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￥28.35
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￥25.34
100+
￥22.29

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥34.51
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￥29.36
30+
￥26.3
100+
￥23.21

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型号：W631GG6NB-12 编号：C17452711

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥37.81
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￥33.75
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￥31.34
198+
￥28.611 ￥28.9
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￥27.4923 ￥27.77
990+
￥26.9973 ￥27.27

有货

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥39.12
10+
￥34.6
30+
￥31.91
180+
￥29.2
540+
￥27.94
1080+
￥27.38

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥44
10+
￥39.06
30+
￥36.05
100+
￥31.03

有货

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型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥51.65
10+
￥44.16
30+
￥39.59
100+
￥35.76

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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

数据手册

1+
￥72.28
10+
￥61.59
30+
￥55.07
100+
￥49.61

有货

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型号：MR25H40CDF 编号：C246235

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说，它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制

数据手册

1+
￥104.52
10+
￥99.25
30+
￥90.12
100+
￥82.15

有货

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型号：IS61WV102416BLL-10MLI 编号：C1348798

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

高速16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字x16位。采用高性能CMOS技术制造，此高可靠性工艺结合创新电路设计技术，可实现高性能和低功耗。当CE为高电平时（未选中），设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入（CE和OE）可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节支持高字节（UB）和低字节（LB）访问。器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA（9mm x 11mm）。

数据手册

1+
￥108.57
10+
￥104.28
30+
￥96.84
100+
￥90.36

有货

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型号：H5AN4G6NBJR-UHI 编号：C46552766

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥126.66
10+
￥116.27
30+
￥109.95
100+
￥104.64

有货

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型号：MT40A1G8SA-062E:R 编号：C2859183

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

数据手册

1+
￥186
30+
￥180

有货

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型号：HX24C02P 编号：C5445110

封装：SOP-8

品牌：HX(恒佳兴)

HX24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，宽电压工作范围，两线串行接口，适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

数据手册

20+
￥0.2292
200+
￥0.1812
600+
￥0.1572
4000+
￥0.1392

有货

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型号：ZD24C02B-STGMT 编号：C5374815

封装：SOT23-5L

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

10+
￥0.2562
100+
￥0.2035
300+
￥0.1772
3000+
￥0.1552
6000+
￥0.1394
9000+
￥0.1315

有货

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型号：AT24C04CDRG 编号：C19723707

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
2500+
￥0.2226
5000+
￥0.1996
10000+
￥0.188

有货

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型号：ZD24C02B-XGMT 编号：C5375516

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。

数据手册

10+
￥0.378
100+
￥0.2965
300+
￥0.2557
3000+
￥0.2251
6000+
￥0.2007
9000+
￥0.1885

有货

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型号：ZD24C16A-SSGMT 编号：C2896785

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A是一款兼容I2C协议的16K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.4007
100+
￥0.3119
300+
￥0.2675
3000+
￥0.2416
6000+
￥0.215
9000+
￥0.2017

有货

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型号：AT24C08C-SSHM-T-CN 编号：C45369186

封装：SOP-8

品牌：ChipNobo(无边界)

串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。

10+
￥0.414485 ￥0.4363
100+
￥0.323285 ￥0.3403
300+
￥0.277685 ￥0.2923
1000+
￥0.243485 ￥0.2563
4000+
￥0.226575 ￥0.2385
8000+
￥0.2128 ￥0.224

有货

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型号：24C32-HXY 编号：C7427348

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C32系列是32,768位串行电气可擦除和可编程只读存储器（EEPROM）。这些设备内部组织为4096字节，每个字节8位。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，适用于多种应用。具有32字节页写模式，部分页写操作允许，自定时写周期（最大5ms），100万次写周期寿命，100年数据保留，工业温度范围（-40°C至85°C）。