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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ(典型值)(VGS = 4.0V)。RDS(ON) = 101 mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
  • 1+

    ¥2.88
  • 10+

    ¥2.81
  • 30+

    ¥2.77
  • 有货
  • 是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器,采用硅栅C²MOS技术制造。实现了与等效LSTTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。8通道配置,4通道×2配置和2通道×3配置。数字信号到控制终端可打开每个通道的相应开关,大振幅信号(VCC-VEE)可以通过小逻辑振幅(VCC-GND)控制信号进行切换。每个开关的导通电阻低,可以连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.99
    • 10+

      ¥2.92
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.83
  • 有货
  • 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值,VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值,VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值,VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.1
    • 100+

      ¥1.74
  • 有货
  • N沟道,30V,11A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.22
  • 有货
  • TLP290(SE)由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合,并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此它适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.26
  • 有货
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥3.16
    • 100+

      ¥3.11
  • 有货
    • 1+

      ¥3.29
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.95
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.73
    • 30+

      ¥2.38
    • 100+

      ¥2.04
  • 有货
  • 适用于甚高频-超高频的低噪声、低失真放大器应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.48
    • 10+

      ¥2.8
    • 30+

      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.12
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷:QSW = 18 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.63
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 17 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 56 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IJSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器-开关稳压器
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.66
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。输入引脚在正向和负向阈值之间具有迟滞特性,因此能够对缓慢变化的输入信号(如线路接收器)进行整形。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入和输出引脚可以承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份等情况)而导致器件损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥4
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.85
  • 有货
  • TAR5SxxU 系列由通用双极型 LDO 稳压器组成,具备开/关控制引脚,并设有过温及过流保护电路。
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.24
    • 30+

      ¥2.83
    • 100+

      ¥2.43
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 4-V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(VGS = -10 V);RDS(ON) = 35 mΩ(典型值)(VGS = -4.5 V);RDS(ON) = 38 mΩ(典型值)(VGS = -4 V)。应用:电源管理开关
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.86
  • 有货
  • 是可重配置/可复位的单稳态多谐振荡器,触发操作可通过A和B两个输入在上升沿或下降沿进行。由于输出单稳态脉冲宽度由外部电阻 (RX) 和外部电容 (CX) 的时间常数决定,因此可以设置较宽范围的输出脉冲宽度。
    • 1+

      ¥4.33
    • 10+

      ¥4.23
    • 25+

      ¥4.16
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.0 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_RSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 40 V)。 增强模式:V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.72
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.55
  • 有货
  • 低电压八进制总线收发器,具有5V容限输入和输出。是高性能CMOS八进制总线收发器,专为3.3V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC应用而设计,但可用于输入和输出的5V电源环境接口。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (OE(overline)) 可用于禁用该器件,以使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 1+

      ¥5
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
  • 有货
  • 东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷(GaAlAs)发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms,符合加强绝缘的国际安全标准
    • 1+

      ¥5.04
    • 10+

      ¥4.02
    • 30+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.01
  • 有货
    • 1+

      ¥5.22
    • 10+

      ¥5.11
    • 50+

      ¥5.03
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.27
    • 50+

      ¥3.73
  • 有货
  • 高速CMOS四通道双向开关,适用于数字或模拟信号控制,低功耗,高噪声免疫。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.49
    • 10+

      ¥4.46
    • 30+

      ¥3.94
  • 有货
  • TC78H660FTG是一款双H桥驱动IC,其输出晶体管采用了低导通电阻的DMOS。它可以控制两台有刷直流电机或一台步进电机。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.52
    • 10+

      ¥5.38
    • 30+

      ¥5.29
  • 有货
  • 由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用六引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.75
    • 10+

      ¥5.61
    • 30+

      ¥5.51
    • 100+

      ¥5.41
  • 有货
    • 1+

      ¥6.1
    • 10+

      ¥4.94
    • 30+

      ¥4.35
  • 有货
  • TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.11
    • 10+

      ¥5.03
    • 40+

      ¥4.43
    • 100+

      ¥3.76
  • 有货
  • 特性:低源极-源极导通电阻:ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.1 mΩ(典型值)(@V_GS = 3.8 V);ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.0 mΩ(典型值)(@V_GS = 4.5 V)。 RoHS兼容。 无卤。应用:电池保护电路
    • 1+

      ¥6.14
    • 10+

      ¥5.96
    • 30+

      ¥5.84
  • 有货
  • 该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品,该光耦合器体积更小,并且符合加强绝缘的国际安全标准,为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度,拥有图腾柱输出,能够吸收和提供电流,非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥6.42
    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥4.06
  • 有货
  • TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围(-55至110°C)内性能有保障,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥6.53
    • 10+

      ¥6.37
    • 50+

      ¥6.27
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,TLP2361具有内部法拉第屏蔽,可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥6.67
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥4.8
  • 有货
  • 由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成,采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽,可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.57
    • 30+

      ¥4.92
    • 100+

      ¥4.28
    • 500+

      ¥3.89
  • 有货
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