东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TB6560AFTG,C8,EL 编号：C2150791

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥31.09
10+
￥26.4
30+
￥23.61
100+
￥20.79

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型号：TLP3406S(TP,E 编号：C2152167

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3406S光电继电器由一个与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用SVSON4封装。TLP3406S的特点是导通电阻非常小，能够对高达1的电流进行开/关切换

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1+
￥34.43
10+
￥29.18
30+
￥26.06

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型号：TLP3409S(TP,E 编号：C2653910

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成，采用S-VSON4封装。具有非常小的导通电阻，能够进行高达0.65A电流的通断切换，适用于高速测试仪中的开关应用。

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1+
￥44.85
10+
￥38.63
30+
￥34.84

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型号：2SC6026MFV-Y,L3F 编号：C6667943

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于通用放大器应用，具有高电压和高电流特性，VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值），hFE线性良好，hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），hFE为120至400，与2SA2154MFV互补。

10+
￥0.2121
100+
￥0.2065
300+
￥0.2028

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型号：1SS361,LJ(CT 编号：C17681907

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装。低正向电压：VF(3) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tF = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

5+
￥0.2879
50+
￥0.2808
150+
￥0.276

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型号：RN2106,LF(CT 编号：C17293655

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.2894
50+
￥0.2832
150+
￥0.2791

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型号：1SS387,L3F 编号：C5331483

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑的2引脚封装。适用于高密度安装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.5pF（典型值）

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10+
￥0.3013
100+
￥0.236
300+
￥0.2034

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型号：RN1106,LF(CT 编号：C17219061

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.3235
50+
￥0.3166
150+
￥0.312

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型号：1SS193(TE85L,F) 编号：C261913

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压VF(3) = 0.9V（典型值）。快速反向恢复时间：trF = 1.6ns（典型值）。小总电容Cr = 0.9pF（典型值）

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9280+
￥0.226869
18560+
￥0.21943
37120+
￥0.215711
74240+
￥0.204554

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型号：2SA2154CT-GR,L3F 编号：C5331488

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压和高电流：VCEO = -50V，IC = -100mA（最大值）。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 120至400。与2SC6026CT互补。应用：通用放大器应用

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5+
￥0.4086
50+
￥0.3985
150+
￥0.3918

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型号：RN2302,LF 编号：C5349734

封装：USM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1301至RN1306互补。应用：开关。逆变器电路

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5+
￥0.4128
50+
￥0.4027
150+
￥0.396

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型号：TCR2LF33,LM(CT 编号：C7067110

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是CMOS通用单输出电压调节器，具有开/关控制输入，特点是超低静态偏置电流和低压差电压。这些稳压器的固定输出电压范围为0.8V至3.6V，能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。封装为通用的SMV（SOT-25，2.8mm×2.9mm×1.1mm）和ESV（SOT-553，1.6mm×1.6mm×0.55mm），在2.5V输出、输出电流为150mA时，压差电压为270mV。由于可以使用0.1μF的小型陶瓷输入和输出电容，这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用，如手机。

5+
￥0.4235
50+
￥0.4131
150+
￥0.4061

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型号：T2N7002BK,LM 编号：C5358468

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@VGS = 10 V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@VGS = 5.0 V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@VGS = 4.5 V)。应用：高速开关

5+
￥0.4618
50+
￥0.4504
150+
￥0.4428

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型号：2SC2712-GR,LXHF 编号：C6054196

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至700。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

5+
￥0.4888
50+
￥0.4767
150+
￥0.4687

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型号：TCR2EF41,LM(CT 编号：C6880259

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR2EF和TCR2EE系列是带有开/关控制输入的CMOS单输出电压调节器，具有低压差、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0 V至5.0 V之间的固定输出电压，能够驱动高达200 mA的电流。它们具备过流保护和自动放电功能。TCR2EF和TCR2EE系列的压差低至180 mV（2.5 V输出，Iout = 150 mA），输出噪声电压低至35 μVrms（2.5 V输出），负载瞬态响应仅为ΔVout = ±60 mV（Iout = 1 mA ⇔ 150 mA，Cout = 1.0 μF）。因此，TCR2EF和TCR2EE系列适用于模拟和射频应用等对电源敏感的场合。

5+
￥0.4995
50+
￥0.4887
150+
￥0.4815

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型号：SSM3J35CTC,L3F 编号：C6685619

封装：SC-101(SOT-883)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）(VGS = -1.2V)。RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）(VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）(VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）(VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）(VGS = -4.5V)。应用：模拟开关

5+
￥0.5029
50+
￥0.4922
150+
￥0.4851

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型号：2SA1586-GR,LXHF 编号：C5502639

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。高电压：VCEO = -50V。高集电极电流：IC = -150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

5+
￥0.5399
50+
￥0.5284
150+
￥0.5207

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型号：RN1313,LXHF 编号：C38991825

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2312至RN2313互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.5414
50+
￥0.5298
150+
￥0.5222
500+
￥0.5145

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型号：HN1A01FE-Y,LF 编号：C150162

封装：SOT-666-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装（双类型）。高电压和高电流：VCEO = -50V，Ic = -150mA (max)。高hFE：hFE = 120 to 400。出色的hFE线性度：hFE(Ic = -0.1mA) / hFE(Ic = -2mA) = 0.95 (typ.)。应用：音频频率通用放大器应用

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5+
￥0.5531
50+
￥0.4374
150+
￥0.3795
500+
￥0.3361
2500+
￥0.2825
4000+
￥0.2652

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型号：2SC2713-GR(TE85L,F) 编号：C2880442

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.5813
50+
￥0.4554
150+
￥0.3924

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型号：TCR2EF50,LM(CT 编号：C5981499

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有低压降、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0V至5.0V的固定输出电压，能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。该系列在2.5V输出、I_OUT = 150mA时具有180mV的低压降，2.5V输出时输出噪声电压低至35μV_rms，负载瞬态响应仅为ΔV_OUT = ±60mV（I_OUT = 1mA⇔150mA，C_OUT = 1.0μF）。因此，适用于模拟和射频等敏感电源应用。

5+
￥0.5896
50+
￥0.575
150+
￥0.5653

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型号：SSM3J377R,LF 编号：C5358558

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 1.5V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 240 mΩ (最大值) (VGS = -1.5 V)；RDS(ON) = 168 mΩ (最大值) (VGS = -1.8 V)；RDS(ON) = 123 mΩ (最大值) (VGS = -2.5 V)；RDS(ON) = 93 mΩ (最大值) (VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

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5+
￥0.6118
50+
￥0.4894
150+
￥0.4282
500+
￥0.3823
3000+
￥0.3456
6000+
￥0.3273

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型号：SSM3K36FS,LF 编号：C5908555

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.6192
50+
￥0.606
150+
￥0.5972

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型号：SSM3K345R,LF 编号：C146369

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 33mΩ (max) (@ VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@ VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 74 mΩ (max) (@ VGS = 1.8V)。 -RDS(ON) = 108 mΩ (max) (@ VGS = 1.5V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

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