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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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应用:ESD保护
  • 10+

    ¥0.2295
  • 100+

    ¥0.2237
  • 300+

    ¥0.2199
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCDS = -50V。 高集电极电流:IC = -150 mA (最大)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 与2SC1738互补。应用:低频放大器
    • 10+

      ¥0.2651
    • 100+

      ¥0.2075
    • 300+

      ¥0.1786
  • 有货
    • 5+

      ¥0.2913
    • 50+

      ¥0.2848
    • 150+

      ¥0.2805
    • 500+

      ¥0.2762
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2968
    • 50+

      ¥0.2901
    • 150+

      ¥0.2856
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@VGS = 10 V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@VGS = 5.0 V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@VGS = 4.5 V)。应用:高速开关
    • 5+

      ¥0.3454
    • 50+

      ¥0.3369
    • 150+

      ¥0.3312
    • 500+

      ¥0.3255
  • 订货
  • 特性:小封装:SC-70。 低正向电压:ΔVF(3) = 0.92V(典型值)。 快速反向恢复时间:trF = 1.6ns(典型值)。 小总电容:CT = 2.2pF(典型值)
    数据手册
    • 1+

      ¥0.4357
    • 10+

      ¥0.3487
    • 30+

      ¥0.3051
    • 100+

      ¥0.2725
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4777
    • 50+

      ¥0.4656
    • 150+

      ¥0.4575
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2401至RN2406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5385
    • 50+

      ¥0.5271
    • 150+

      ¥0.5194
  • 有货
  • 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON)=86mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V)。 -RDS(ON)=73mΩ(最大值)(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON)=45mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥0.5484
    • 50+

      ¥0.534
    • 150+

      ¥0.5244
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 US6封装中包含两个器件(超小型6引脚)。 集成偏置电阻,减少外部零件数量,可减小系统尺寸并缩短组装时间。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5541
    • 50+

      ¥0.5406
    • 150+

      ¥0.5316
  • 有货
  • 施密特缓冲器
    • 5+

      ¥0.5716
    • 50+

      ¥0.5567
    • 150+

      ¥0.5467
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5923
    • 50+

      ¥0.5796
    • 150+

      ¥0.5711
  • 有货
  • 应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6543
    • 50+

      ¥0.5235
    • 150+

      ¥0.4582
  • 有货
  • 特性:适合高密度安装,采用紧凑型封装。 低导通电阻:Ron = 3.0Ω max (VGS = 4V);Ron = 4.0Ω max (VGS = 2.5V);Ron = 15Ω max (VGS = 1.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.712
    • 50+

      ¥0.6945
    • 150+

      ¥0.6828
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 适合高密度安装的紧凑型封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω(最大值) (VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω(最大值) (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.7406
    • 50+

      ¥0.7219
    • 150+

      ¥0.7094
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7756
    • 50+

      ¥0.7591
    • 150+

      ¥0.7481
  • 有货
  • 二输入与门。
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.462
    • 6000+

      ¥0.4543
    • 12000+

      ¥0.44275
    • 24000+

      ¥0.4235
    特性:小封装。 典型VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.8025
    • 50+

      ¥0.6263
    • 150+

      ¥0.5382
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE 在 400 至 1000 之间(IC = 0.1A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.17V(最大值)。 高速开关:tf = 85 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.813
    • 50+

      ¥0.5358
    • 150+

      ¥0.417
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 1.2-V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 43 mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 50 mΩ(典型值)(VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 60 mΩ(典型值)(VGS = 1.8V)。 -RDS(ON) = 70 mΩ(典型值)(VGS = 1.5V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 5+

      ¥0.8219
    • 50+

      ¥0.8004
    • 150+

      ¥0.786
  • 有货
  • 特性:1.8V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 36.0mΩ(典型值)(VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 28.0mΩ(典型值)(VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 23.0mΩ(典型值)(VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥0.8916
    • 50+

      ¥0.869
    • 150+

      ¥0.854
  • 有货
  • 特性:重复峰值反向电压:VRRM = 200V。 平均正向电流:IF(AV) = 1A。 峰值正向电压:VFM = 0.98V(Max.)。 极快的反向恢复时间:trr = 35 ns (Max.)。 因采用小型表面贴装封装“S-FLATTM”,适合紧凑组装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9048
    • 50+

      ¥0.7128
    • 150+

      ¥0.6168
    • 500+

      ¥0.5449
    • 3000+

      ¥0.4528
    • 6000+

      ¥0.424
  • 订货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高速运行:tod = 3.8 ns(典型值)(VCC = 5.0V, CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25℃)。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28% VCC(最小值)。 5.5V 容限输入。 平衡传播延迟:tPLH = tPHL。 宽工作电压范围:VCC = 2.0 至 5.5V。 与 TC7W34 引脚分配和功能相同
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9089
    • 50+

      ¥0.8859
    • 150+

      ¥0.8705
  • 有货
  • 特性:N-ch: 4.0-V drive。 P-ch: 4.0-V drive。 N-ch, P-ch, 2-in-1。 低 ON 电阻: -Q1 N-ch: Ron = 182 mΩ (max) (@VGS = 4 V)。 -Ron = 132 mΩ (max) (@VGS = -10 V)。 -Q2 P-ch: Ron = 403 mΩ (max) (@VGS = -4 V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    • 5+

      ¥0.9153
    • 50+

      ¥0.8913
    • 150+

      ¥0.8752
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型的VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.9571
    • 50+

      ¥0.7511
    • 150+

      ¥0.6628
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型的VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.9626
    • 50+

      ¥0.7471
    • 150+

      ¥0.6548
  • 有货
  • 特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 高发射极-基极电压:VEBO = 25V(最小值)。 高反向hFE:反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 12(典型值)(IB = 5mA)。应用:静音和开关应用
    • 5+

      ¥1.0151
    • 50+

      ¥0.7966
    • 150+

      ¥0.703
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 150 mΩ(最大值)(@VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 100 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 75 mΩ(最大值)(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 55 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.1794
    • 9000+

      ¥0.17472
    是高速C²MOS施密特触发器,采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同,但输入具有25% VCC的滞后,凭借其施密特触发功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 3000+

      ¥1.1913
    • 6000+

      ¥1.1704
    • 9000+

      ¥1.1495
    适用于开关电源应用、便携式设备和电池应用。
    数据手册
    • 100+

      ¥2.71728
    • 200+

      ¥2.415359
    • 500+

      ¥1.972543
    • 1000+

      ¥1.690751
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