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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05 Ω (典型值) (@VGS = 10 V)。RDS(ON) = 1.15 Ω (典型值) (@VGS = 5.0 V)。RDS(ON) = 1.2 Ω (典型值) (@VGS = 4.5 V)。应用:高速开关
  • 5+

    ¥0.4035
  • 50+

    ¥0.3929
  • 150+

    ¥0.3858
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.4322
    • 50+

      ¥0.4212
    • 150+

      ¥0.4139
    • 500+

      ¥0.4066
  • 订货
  • 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON)=9.0Ω (max) (@VGS=1.2V, ID=10mA)。RDS(ON)=3.1Ω (max) (@VGS=1.5V, ID=20mA)。RDS(ON)=2.4Ω (max) (@VGS=1.8V, ID=150mA)。RDS(ON)=1.6Ω (max) (@VGS=2.5V, ID=150mA)。RDS(ON)=1.1Ω (max) (@VGS=4.5V, ID=150mA)。应用:高速开关。 模拟开关
    • 5+

      ¥0.4507
    • 50+

      ¥0.4389
    • 150+

      ¥0.431
    • 500+

      ¥0.4232
  • 订货
    • 5+

      ¥0.4903
    • 50+

      ¥0.4782
    • 150+

      ¥0.4701
  • 有货
  • TCR2EF和TCR2EE系列是带有开/关控制输入的CMOS单输出电压调节器,具有低压差、低输出噪声电压和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供1.0 V至5.0 V之间的固定输出电压,能够驱动高达200 mA的电流。它们具备过流保护和自动放电功能。TCR2EF和TCR2EE系列的压差低至180 mV(2.5 V输出,Iout = 150 mA),输出噪声电压低至35 μVrms(2.5 V输出),负载瞬态响应仅为ΔVout = ±60 mV(Iout = 1 mA ⇔ 150 mA,Cout = 1.0 μF)。因此,TCR2EF和TCR2EE系列适用于模拟和射频应用等对电源敏感的场合。
    • 5+

      ¥0.4995
    • 50+

      ¥0.4887
    • 150+

      ¥0.4815
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.5344
    • 50+

      ¥0.5208
    • 150+

      ¥0.5117
  • 有货
  • 特性:4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON)=86mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V)。 -RDS(ON)=73mΩ(最大值)(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON)=45mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥0.5484
    • 50+

      ¥0.534
    • 150+

      ¥0.5244
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5579
    • 50+

      ¥0.4348
    • 150+

      ¥0.3733
  • 有货
  • 施密特缓冲器
    • 5+

      ¥0.5716
    • 50+

      ¥0.5567
    • 150+

      ¥0.5467
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5923
    • 50+

      ¥0.5796
    • 150+

      ¥0.5711
  • 有货
  • 特性:两个独立二极管安装在四引脚超小型封装中,适合更高的安装密度。 低正向电压:VF(3) = 0.50V(典型值)。 低反向电流:IR = 0.5μA(最大值)。 小总电容:CT = 3.9pF(典型值)
    • 5+

      ¥0.6408
    • 50+

      ¥0.625
    • 150+

      ¥0.6145
  • 有货
  • CMOS通用单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是超低静态偏置电流和低压差电压。这些电压调节器提供0.8V至5.0V的固定输出电压,能够驱动高达300mA的电流。它们具有过流保护、热关断功能和自动放电功能。采用超小塑料模制封装DFN4/DFN4E 1.0mm×1.0mm,0.60mm(最大),在3.3V输出、I0UT = 300mA时具有196mV的低压差电压。由于TCR3UM系列可以使用1μF的小型陶瓷输入和输出电容器,这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机、物联网设备和可穿戴设备。
    • 5+

      ¥0.7003
    • 50+

      ¥0.6827
    • 150+

      ¥0.6709
  • 有货
  • DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性,具有低动态电阻和出色的保护性能。此外,其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装(1.0 mm×0.6 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7026
    • 50+

      ¥0.5686
    • 150+

      ¥0.5017
  • 有货
  • 带电平转换功能的二输入或门
    • 5+

      ¥0.7035
    • 50+

      ¥0.6851
    • 150+

      ¥0.6728
  • 有货
  • 2-输入异或门
    数据手册
    • 6000+

      ¥0.214
    • 9000+

      ¥0.212
    特性:AEC-Q101合格。 适合高密度安装的紧凑型封装。 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0Ω(最大值) (VGS = 4V);RDS(ON) = 7.0Ω(最大值) (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.7587
    • 50+

      ¥0.74
    • 150+

      ¥0.7275
  • 有货
  • 特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 高发射极-基极电压:VEBO = 25V(最小值)。 高反向hFE:反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 12(典型值)(IB = 5mA)。应用:静音和开关应用
    • 5+

      ¥0.7821
    • 50+

      ¥0.7628
    • 150+

      ¥0.7499
  • 有货
  • 二输入与门。
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.42
    • 6000+

      ¥0.413
    • 12000+

      ¥0.4025
    • 24000+

      ¥0.385
    特性:AEC-Q101合格。 小封装(双类型)。 高电压:VCEO = -60 V。 高集电极电流:IC = -150 mA (max)。 高hFE:hFE = 120 to 400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)。应用:低频放大器
    • 5+

      ¥0.8171
    • 50+

      ¥0.7969
    • 150+

      ¥0.7835
  • 有货
  • 特性:低反向电流:IR = 0.7 μA(最大值),VR = 30V。应用:高速开关
    • 5+

      ¥0.8308
    • 50+

      ¥0.6509
    • 150+

      ¥0.5609
    • 500+

      ¥0.4934
    • 2500+

      ¥0.4394
    • 5000+

      ¥0.4124
  • 订货
  • 特性:高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150 mA(最大)。 高hFE:hFE = 120 至 400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高电压:VCEO = -50V。 高集电极电流:IC = -150 mA(最大)。应用:低频放大器
    • 5+

      ¥0.8404
    • 50+

      ¥0.8197
    • 150+

      ¥0.8059
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8853
    • 50+

      ¥0.8663
    • 150+

      ¥0.8536
  • 有货
  • 特性:N-ch: 4.0-V drive。 P-ch: 4.0-V drive。 N-ch, P-ch, 2-in-1。 低 ON 电阻: -Q1 N-ch: Ron = 182 mΩ (max) (@VGS = 4 V)。 -Ron = 132 mΩ (max) (@VGS = -10 V)。 -Q2 P-ch: Ron = 403 mΩ (max) (@VGS = -4 V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    • 5+

      ¥0.8984
    • 50+

      ¥0.8749
    • 150+

      ¥0.8591
  • 有货
  • DF2S14P2FU是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S14P2FU实现了高IPP,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。此外,DF2S14P2FU采用标准封装(2.5 mm×1.25 mm),适用于各种应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9673
    • 50+

      ¥0.942
    • 150+

      ¥0.9251
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型的VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥0.9753
    • 50+

      ¥0.7599
    • 150+

      ¥0.6675
  • 有货
  • 是CMOS通用单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是超低静态偏置电流和低压差电压。这些稳压器的固定输出电压范围为0.8V至3.6V,能够驱动高达200mA的电流。它们具有过流保护和自动放电功能。封装为通用的SMV(SOT-25,2.8mm×2.9mm×1.1mm)和ESV(SOT-553,1.6mm×1.6mm×0.55mm),在2.5V输出、输出电流为150mA时,压差电压为270mV。由于可以使用0.1μF的小型陶瓷输入和输出电容,这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机。
    • 5+

      ¥0.9855
    • 50+

      ¥0.7821
    • 150+

      ¥0.695
    • 500+

      ¥0.5863
  • 有货
  • 特性:高电容比:C2V/C10V = 2.4(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.44Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0081
    • 50+

      ¥0.7855
    • 150+

      ¥0.69
    • 500+

      ¥0.5709
  • 有货
  • 特性:AEC Q101合格。应用:ESD保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0553
    • 50+

      ¥1.0276
    • 150+

      ¥1.0092
  • 有货
  • 特性:适合高密度安装。 高漏源电压。 高速开关。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥1.0744
    • 50+

      ¥1.0477
    • 150+

      ¥1.0298
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS反相器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,0至5.5V可应用于输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如备用电池、热板插入等)而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥1.1046
    • 50+

      ¥1.0816
    • 150+

      ¥1.0662
  • 有货
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