东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TK32E12N1,S1X 编号：C146460

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥7.07
10+
￥6.91
30+
￥6.8

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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

1+
￥7.33
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￥5.99
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￥5.25
100+
￥4.42

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型号：TLP700H(TP,F) 编号：C4153775

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP700H是一款采用6引脚SDIP封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电检测IC芯片光学耦合而成。它在高达125℃的温度下提供保证的性能和规格。TLP700H比采用8引脚DIP封装的产品体积更小，并符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小的占位解决方案。内部噪声屏蔽确保了±20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。它非常适合用于IGBT和功率MOSFET的栅极驱动。

1+
￥7.76
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￥7.58
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￥7.46

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型号：TK6R9P08QM,RQ 编号：C7362303

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 11.6 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 46 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 5.5 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_th = 2.5 至 3.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.93
10+
￥7.72
30+
￥7.58
100+
￥7.45

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型号：TLP292-4(V4-TP,E 编号：C17588085

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥8.94
10+
￥7.32
30+
￥6.43

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型号：TLP293-4(V4LATPE 编号：C5362373

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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1+
￥8.95
10+
￥8.76
30+
￥8.63

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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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1+
￥8.95
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￥7.32
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￥6.43

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型号：TK33S10N1Z,LQ 编号：C7400260

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.2 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：汽车。开关稳压器

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￥9.33
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￥9.1
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￥8.95

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型号：TC4001BFT(EL,N) 编号：C5381641

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是2输入正或非门。由于这些门的输出配备了缓冲器，输入/输出传输特性得到改善，并且由于负载电容增加而导致的传输时间变化保持在最小。

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￥9.44
10+
￥7.94
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￥7

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型号：TLP293-4(LGB,E 编号：C37719608

封装：SO-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥9.63
10+
￥7.9
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￥6.95
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￥5.88

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型号：TCKE800NA,RF 编号：C1880272

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCKE8xx系列是18V高输入电压的单输入单输出eFuse集成电路。它可用作可重复使用的保险丝，具备多种保护功能，如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为28mΩ（典型值），高输出电流可达5.0A，宽输入电压工作特性使该系列非常适合用于电源管理应用，如硬盘驱动器的电源电路和电池充电应用。该系列采用0.4mm间距的小型封装WSON10B（3.0mm×3.0mm，厚度：0.7mm（典型值））。因此，该系列非常适合各种需要高密度焊接的应用，如便携式电子产品。

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￥10.12
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￥8.52
30+
￥7.52

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型号：TK18A50D(STA4,X,M) 编号：C471287

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.22Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

1+
￥10.23
10+
￥9.99
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￥9.83

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型号：TPH1R306P1,L1Q 编号：C6290261

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥11.14
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￥10.9
30+
￥10.74

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型号：TPH1R204PB,L1Q 编号：C6718988

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 21 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 0.85 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 2.0 至 3.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥11.23
10+
￥9.53
30+
￥8.47

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型号：TPH6R30ANL,L1Q 编号：C6560350

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Qsw = 14 nC（典型值）。小输出电荷：QDS = 46 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥12.04
10+
￥10.29
30+
￥9.19

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型号：TB67B001FTG,EL 编号：C2150544

封装：WQFN-36-EP(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是三相无刷电机的PWM斩波驱动器，可根据速度控制输入，通过改变PWM占空比来控制电机转速。两款产品的区别如下：锁定检测信号（LD_OUT），TB67B001FTG：正常状态为高电平，异常状态为低电平；TB67B001AFTG：正常状态为低电平，异常状态为高电平。

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1+
￥12.11
10+
￥10.34
30+
￥9.22
100+
￥3.0742 ￥8.09
500+
￥2.8766 ￥7.57
1000+
￥2.793 ￥7.35

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型号：TC74LCX541F(EL,K,F 编号：C5349738

封装：SOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74LCX541是一款高性能CMOS八进制总线缓冲器。它专为3.3V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。

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￥12.36
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￥10.55
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￥9.42

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型号：TCKE805NA,RF 编号：C1849459

封装：WSON-10-EP(3x3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCKE8xx 系列是 18V 高输入电压单输入 - 单输出电子保险丝（eFuse）集成电路。它可用作可重复使用的保险丝，具备多种保护功能，如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部 MOSFET 控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为 28 mΩ（典型值），最大输出电流高达 5.0A，宽输入电压工作特性使其非常适合用于硬盘驱动器电源电路和电池充电等电源管理应用

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1+
￥12.65
10+
￥10.62
30+
￥9.35

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型号：TDS4A212MX,ELF 编号：C39229776

封装：XQFN-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥13.4
10+
￥11.42
30+
￥10.19

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型号：TK100S04N1L,LXHQ 编号：C7123941

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥14.39
10+
￥14.07
30+
￥13.86

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型号：74LCX14FT 编号：C3272887

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

1+
￥14.42
10+
￥12.31
30+
￥10.99

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型号：TK90S06N1L,LQ 编号：C7362310

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。开关稳压器

1+
￥16.89
10+
￥16.46
30+
￥16.17

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型号：TB67H481FNG,EL 编号：C20247108

封装：HTSSOP-28

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H481FNG是一款双H桥驱动IC，用于驱动2个有刷电机或1个步进电机。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/2.5 A。内置的IC工作稳压器允许通过单个VM电源驱动电机。

1+
￥17.69
10+
￥14.84
30+
￥13.05

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型号：TPW2900ENH,L1Q 编号：C6560683

封装：DSOPADVANCE-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 24 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_DSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 200 V)。增强模式：V_DA = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥20.2
10+
￥19.7
30+
￥19.37

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型号：TPH4R008NH,L1Q 编号：C141587

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：Qsw = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）。低泄漏电流：IDss = 10 μA（最大值）（VDS = 80 V）。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V （ΔVDS = 10 V，ID = 1.0 mA）。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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