东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC4049BF-ELNF 编号：C7360574

封装：SOIC-16-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4049B、TC4050B包含六个缓冲器电路。TC4049B为反相器类型，TC4050B为非反相器类型。由于它们输出电流大，可直接驱动一个TTL或DTL电路，因此在CMOS与TTL或DTL的接口连接方面非常实用

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型号：TLP185(V4GHTL,SE 编号：C5370565

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP185(SE)由一个与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP185(SE)光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。

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型号：74HC151D 编号：C2674446

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC151D是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 8通道多路复用器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：SSM6N815R,LF 编号：C17538489

封装：TSOP-6F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 115 mΩ（典型值）(VGS = 4.0V)。RDS(ON) = 101 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

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型号：SSM6K341NU,LF 编号：C5930519

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值，VGS = 10V）；RDS(ON) = 36mΩ（典型值，VGS = 4.5V）；RDS(ON) = 43mΩ（典型值，VGS = 4V）。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

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型号：TCK420G,L3F 编号：C7067041

封装：WCSPG-6(0.8x1.2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK42xG 系列是用于外部 N 沟道 MOSFET 的过压保护栅极驱动 IC。该产品支持 MOSFET 在 2.7 V 至 28 V 的宽电压线路中工作，并具备多种过压锁定配置。

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型号：TLP183(BL,E 编号：C5370580

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：HN4C06J-BL(TE85L,F 编号：C17230471

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用，高电压：VCEO = 120V，高hFE：hFE = 200至700，出色的hFE线性度：hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），低噪声：NF = 1dB（典型值）

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型号：TLP2348(V4-TPL,E 编号：C6285465

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流 (I₍CCl₎) 和 1.6mA 低阈值输入电流 (I₍FHL₎)，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证 ±30kV/μs 的共模瞬态抗扰度，具有反相器输出。

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型号：74VHCT573AFT 编号：C2675272

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型锁存器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制锁存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将 0 至 5.5V 电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致器件损坏

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型号：TB67B001FTG,EL 编号：C2150544

封装：WQFN-36-EP(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是三相无刷电机的PWM斩波驱动器，可根据速度控制输入，通过改变PWM占空比来控制电机转速。两款产品的区别如下：锁定检测信号（LD_OUT），TB67B001FTG：正常状态为高电平，异常状态为低电平；TB67B001AFTG：正常状态为低电平，异常状态为高电平。

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型号：74VHCT240AFT 编号：C2676086

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT240AFT 和 74VHCT244AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。 74VHCT240AFT 是一个反相三态缓冲器，有两个低电平有效输出使能端。

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型号：TLP265J(T7-TPL,E 编号：C2987242

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：74VHCV14FT 编号：C5350391

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。输入引脚在正向和负向阈值之间具有迟滞特性，因此能够对缓慢变化的输入信号（如线路接收器）进行整形。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可以承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份等情况）而导致器件损坏。

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型号：TLP292(E 编号：C17292085

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：TCR15AG33,LF 编号：C5357188

封装：WCSP-6(0.8x1.2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR15AG 系列是带有开/关控制输入的 CMOS 单输出电压调节器，具有超低压降、低浪涌电流和快速负载瞬态响应的特点。这些电压调节器提供 0.65 V 至 3 V 的固定输出电压类型。

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型号：SSM6N813R,LF 编号：C5930520

封装：TSOP-6F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 88 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关

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型号：TJ8S06M3L,LXHQ 编号：C7400227

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 80 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。低泄漏电流：ILS = -10 μA（最大值）(VDS = -60V)。增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用：汽车。电机驱动器

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型号：TK13A60D(STA4,X,M) 编号：C471288

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0±0.4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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型号：TLP2768A(TP,E 编号：C5362560

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2768A由一个高输出的镓铝砷（GaAlAs）发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。TLP2768A保证隔离电压为5 kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准

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型号：TC7PCI3212MT,LF 编号：C2150859

封装：DHVQFN-20-EP(2.5x4.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TC74HC4066AFT(EL) 编号：C5346748

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速CMOS四通道双向开关，适用于数字或模拟信号控制，低功耗，高噪声免疫。

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型号：2SC3303-Y(T6L1,NQ) 编号：C5502682

封装：TO-251-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低集电极饱和电压：VCE (sat) = 0.4V (max) (IC = 3A)。高速开关时间：tSTG = 1.0 μs (typ.)。应用：工业应用。高电流开关应用

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型号：XPH4R714MC,L1XHQ 编号：C7397254

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥6.18
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￥5.96

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型号：TK90S06N1L,LXHQ 编号：C7400279

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。开关稳压器

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￥6.29
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￥6.18

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型号：TJ50S06M3L,LXHQ 编号：C6332831

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 qualified。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 10.3 mΩ (典型值) (VGS = -10V)。低泄漏电流：IDSS = -10 μA (最大值) (VDS = -60V)。增强模式：Vth = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

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￥6.49
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￥6.38

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型号：TLPN137(F 编号：C99491

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TPH1R306PL,L1Q(M 编号：C5379815

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：QSW = 22nC（标准）。 QSS = 77.5nC（标准）。 RDS(ON) = 1.0mΩ（标准）（VGS = 10V）。 IDS = 10μA，VDS = 60V。 Vth = 1.5~2.5V（ID = 1.0mA）

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￥6.88
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￥6.72
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￥6.62

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型号：TLP627M(D4-TP5,E 编号：C17497898

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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型号：TBD62783AFWG(Z,EHZ) 编号：C5349737

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：8 个电路内置。高电压：Vₒᵤₜ = 50V（最大值）。高电流：Iₒᵤₜ = -500mA（每个通道最大值）。输入电压（输出开启）：2.0V（最小值）。输入电压（输出关闭）：0.6V（最大值）。封装：PG 型 P-DIP18-300-2.54-001；FG 型 SOP18-P-375-1.27；FNG 型 SSOP18-P-225-0.65；FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001

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