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价格(含税)

库存

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1个N沟道耐压:60V 电流:6A

型号：SSM3K341TU,LF 编号：C6302648

封装：SMD-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值）(@VGS = 10V)；RDS(ON) = 36mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 43mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

1+
￥1.19
10+
￥1.16
30+
￥1.14

有货

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TA75S01F(TE85L,F)

型号：TA75S01F(TE85L,F) 编号：C7421334

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：在线性模式下，输入共模电压范围包含地。内部补偿运算放大器采用小封装。低功耗和低电流消耗，适合电池供电。差分输入电压范围等于电源电压。大输出电压摆幅：0VDC 至 3.4VDC（VCC = 5V）。宽电源电压范围，支持单电源供电。单电源 3VDC 至 12VDC 或双电源 ±1.5VDC 至 ±6VDC

5+
￥1.1903
50+
￥1.1673
150+
￥1.1519

有货

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CMOS数字集成电路，双2输入与非门

型号：TC7WZ00FK,LJ(CT 编号：C6552002

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与非门

5+
￥1.1961
50+
￥1.1714
150+
￥1.1549

有货

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高速C2MOS施密特触发器

型号：TC7W14FK,LF 编号：C5156512

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后，凭借其施密特触发功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

3000+
￥1.121
6000+
￥1.0925
9000+
￥1.0545
18000+
￥1.026

我要订货

PNP 电流:1.5A 电压:10V

型号：2SA2058(TE85L,F) 编号：C165925

封装：2-3S1C

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hPE = 200 至 500（IC =-0.2 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.19V（最大值）。高速开关：tf = 25 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

数据手册

5+
￥1.3353
50+
￥1.0403
150+
￥0.9139

有货

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单运算放大器，超低电源电流，输入输出全范围，宽工作电压范围

型号：TC75S102F,LF(CT 编号：C7360605

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：输入和输出全范围。超低电源电流 0.27μA（典型值）@VDD=1.5V。低输入失调电压 1.3mV（最大值）@VDD=1.5V。宽工作电压范围 1.5V 至 5.5V

1+
￥1.37
10+
￥1.34
30+
￥1.32
100+
￥1.3

有货

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1个N沟道耐压:40V

型号：SSM6K514NU,LF 编号：C6235373

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 11.2mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 8.9mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关

1+
￥1.43
10+
￥1.39
30+
￥1.37

有货

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1个N沟道 400mV@0.1uA

型号：2SK208-O(TE85L,F) 编号：C17341628

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

1+
￥1.48
10+
￥1.45
30+
￥1.43
100+
￥1.4

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:180mA

型号：SSM6L35FU(TE85L,F) 编号：C17292449

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关应用。模拟开关应用

1+
￥1.6
10+
￥1.56
30+
￥1.53
100+
￥1.51

有货

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1个N沟道耐压:38V 电流:2A

型号：SSM3K347R,LF 编号：C6685627

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 (Rev. D) 合格。 4.0V 驱动。内置 47 kΩ 下拉电阻。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 480 mΩ（最大）(VGS = 4.0V)；RDS(ON) = 410 mΩ（最大）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 340 mΩ（最大）(VGS = 10V)。应用：继电器驱动器

1+
￥1.65
10+
￥1.61
30+
￥1.58
100+
￥1.55

有货

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30V 100nA@27V

型号：CUHZ30V,H3F 编号：C6493455

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

1+
￥1.67
10+
￥1.63
30+
￥1.6

有货

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CMOS 数字集成电路八进制总线缓冲器

型号：74VHCT541AFT(BJ) 编号：C6423716

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。当G1或G2为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.7466
50+
￥1.3938
150+
￥1.2426

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:1A

型号：SSM3J64CTC,L3F 编号：C7320709

封装：SC-101(SOT-883)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1040 mΩ（典型值）(VGS = -1.2V)。 -RDS(ON) = 676 mΩ（典型值）(VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 540 mΩ（典型值）(VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 400 mΩ（典型值）(VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 290 mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

1+
￥1.78
10+
￥1.74
30+
￥1.71

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.2A

型号：SSM3K116TU,LF 编号：C5908547

封装：SMD-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 2.5V驱动低导通电阻：Ron = 135mΩ (最大值) (VGS = 2.5V)；Ron = 100mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)

1+
￥1.81
10+
￥1.77
30+
￥1.74

有货

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电压:60V 电流:2A

型号：CUHS20F60,H3F 编号：C6542162

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

1+
￥1.86
10+
￥1.82
30+
￥1.78
100+
￥1.75

有货

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低压六施密特反相器

型号：74LCX14FT(AJ) 编号：C7421264

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.9439
50+
￥1.5145
150+
￥1.3305

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP293(V4-GLTL,E 编号：C39597287

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥1.99
10+
￥1.75
30+
￥1.65
100+
￥1.52
500+
￥1.47
1000+
￥1.43

有货

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74HC00D

型号：74HC00D 编号：C22420827

封装：SOIC-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥1.99
10+
￥1.94
30+
￥1.92

有货

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1.0A负载开关IC，带压摆率控制驱动器，小封装

型号：TCK106AF,LF 编号：C2653753

封装：SOT-25(SC-74A)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF 和 TCK108AF 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，特点是开关导通电阻低，输入电压工作范围宽，为 1.1 至 5.5 V。在 VIN = 5.0 V、lOUT = -0.5 A 的条件下，开关导通电阻典型值仅为 63 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AF 和 TCK108AF 具备输出自动放电功能

数据手册

5+
￥2.0215
50+
￥1.5749
150+
￥1.3835

有货

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CMOS通用单比较器

型号：TC75S57F,LF 编号：C7399440

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC75S57F/TC75S57FU是一款CMOS通用单比较器。该器件可采用单电源供电，且与传统双极型通用比较器相比，其电源电流更低。该器件的推挽输出级可直接连接到TTL或CMOS逻辑IC等。

1+
￥2.03
10+
￥1.99
30+
￥1.96

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：SSM3J145TU,LF 编号：C5930492

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 260 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 180 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 132 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 103 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

1+
￥2.07
10+
￥2.03
30+
￥2

有货

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超低静态电流1.0A负载开关IC

型号：TCK127BG,LF 编号：C17341073

封装：WCSPG-4(0.7x0.7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于一般电源管理的负载开关IC，具有压摆率控制驱动器，特点是超低静态电流、低开关导通电阻和1.0至5.5V的宽输入工作电压范围。静态电流仅为0.08nA，输出电流可达1.0A，还具备输出自动放电功能。采用0.35mm间距的超小型封装WCSP4G（0.645mm×0.645mm，最大厚度0.465mm），背面有涂层，可防止外部损坏。

5+
￥2.2184
50+
￥1.7607
150+
￥1.5645

有货

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200V 100mA

型号：1SS306TE85LF 编号：C441770

封装：SC-61B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-61。低正向电压：VF(2) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 30 ns（典型值）。小总电容：CT = 1.5 pF（典型值）

数据手册

5+
￥2.2533
50+
￥1.7555
150+
￥1.5422

有货

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3.3V 150mA 36V

型号：TCR1HF33B,LM(CT 编号：C21189965

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

是CMOS通用单输出电压调节器，具有40V高电压、1μA低静态电流、高响应负载瞬态、开/关控制输入。这些电压调节器提供1.8V至5.0V之间的固定输出电压，能够驱动高达150mA的电流。它们具有过流保护、热关断和自动放电功能。采用标准小型塑料模制封装SMV (2.9mm×2.8mm×1.1mm (Typ.))。

5+
￥2.299
50+
￥1.8247
150+
￥1.6214
500+
￥1.3678
3000+
￥1.2548
6000+
￥1.1871

订货

我要订货

CMOS数字集成电路，四路2输入与门

型号：74VHC08FT(BE) 编号：C4153813

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

四输入与门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与门。实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗。内部电路由包括缓冲输出的4级组成，提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏

数据手册

1+
￥2.3
10+
￥2.24
30+
￥2.2

有货

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74VHC125FT(BE)

型号：74VHC125FT(BE) 编号：C5331505

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

5+
￥2.3228
50+
￥1.844
150+
￥1.6388

有货

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CMOS数字集成电路，八路施密特总线缓冲器

型号：74VHCV541FT 编号：C2675740

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制施密特总线缓冲器 74VHCV540FT：反相、三态输出 74VHCV541FT：同相、三态输出 74VHCV540FT 和 74VHCV541FT 是采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

数据手册

1+
￥2.39
10+
￥1.86
30+
￥1.64

有货

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场效应晶体管，P沟道硅MOS型

型号：SSM3J130TU,LF 编号：C6342361

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 63.2mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)

1+
￥2.49
10+
￥1.98
30+
￥1.75

有货

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硅N沟道MOSFET

型号：SSM6N62TU,LF 编号：C5189038

封装：UF6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。 1.2-V 驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 67 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 74 mΩ（典型值）(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 94 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.5V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

1+
￥2.54
10+
￥2.48
30+
￥2.44

有货

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DC 5kV

型号：TLP2703(D4-TP,E 编号：C6342363

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2703由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管晶体管芯片耦合而成。它采用薄型SO6L封装，厚度最大为2.3 mm。

1+
￥2.56
10+
￥2.26
30+
￥2.11
100+
￥1.96
500+
￥1.87

有货

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