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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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逆变器(开漏)
  • 5+

    ¥0.3716
  • 50+

    ¥0.3627
  • 150+

    ¥0.3567
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。应用:静音和开关应用
    • 3000+

      ¥0.46
    • 6000+

      ¥0.4025
    DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性,具有低动态电阻和出色的保护性能。此外,其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装(1.0 mm×0.6 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4099
    • 50+

      ¥0.4018
    • 150+

      ¥0.3965
  • 有货
  • 双施密特反相器
    • 5+

      ¥0.4589
    • 50+

      ¥0.4474
    • 150+

      ¥0.4397
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2114至RN2118互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5005
    • 50+

      ¥0.4877
    • 150+

      ¥0.4792
    • 500+

      ¥0.4707
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:Rₒₙ = 12Ω(最大值)(V_GS =-4V),Rₒₙ = 32Ω(最大值)(V_GS =-2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥0.5018
    • 50+

      ¥0.396
    • 150+

      ¥0.3431
  • 有货
  • DF2B7ACT是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。DF2B7ACT利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B7ACT采用超紧凑型封装(1.0 mm×0.6 mm),满足对空间要求苛刻的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5053
    • 50+

      ¥0.3959
    • 150+

      ¥0.3411
  • 有货
  • 特性:高电容比:C2V/C10V = 2.4(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.44Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.516
    • 50+

      ¥0.5032
    • 150+

      ¥0.4947
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:Ic = 150 mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至700。 出色的hFE线性度:hFE (Ic = 0.1mA) / hFE (Ic = 2mA) = 0.95(典型值)。 与2SA1832互补。应用:低频放大器。 AM放大器
    • 3000+

      ¥0.38985
    • 9000+

      ¥0.37968
    本产品仅用于静电放电(ESD)防护,不用于任何其他用途,包括但不限于恒压二极管应用。由于两个器件封装在超紧凑型封装中,因此可以减少元件数量和安装成本。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5855
    • 50+

      ¥0.4685
    • 150+

      ¥0.41
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高速运行:tod = 5.0 ns(典型值)(VCC = 5.0V, CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25℃)。 与 TTL 输出兼容:VIL = 0.8V(最大值) VIH = 2.0V(最小值)。 5.5V 耐受输入
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6147
    • 50+

      ¥0.4797
    • 150+

      ¥0.4122
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6421
    • 50+

      ¥0.5161
    • 150+

      ¥0.4531
    • 500+

      ¥0.4059
    • 2000+

      ¥0.3681
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6777
    • 50+

      ¥0.5289
    • 150+

      ¥0.4545
    • 500+

      ¥0.3987
  • 有货
  • 是高速C²MOS双边开关,采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时,开关导通;当C输入为低电平时,开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6906
    • 50+

      ¥0.5514
    • 150+

      ¥0.4818
  • 有货
  • 特性:低正向电压:Vr(3) = 0.40V(典型值)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    • 5+

      ¥0.6912
    • 50+

      ¥0.5394
    • 150+

      ¥0.4636
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7006
    • 50+

      ¥0.6857
    • 150+

      ¥0.6758
  • 有货
  • CMOS通用单输出电压调节器,具有开/关控制输入,特点是低压降、低输出噪声电压和低浪涌电流。提供1.0V至4.5V的固定输出电压,能够驱动高达300mA的电流。具有过流保护、过温保护、浪涌电流保护电路和自动放电功能。采用超小型塑料模制封装DFN4/DFN4E(1.0mm x 1.0mm;厚度0.58mm)。在2.5V输出时,压降为210mV(典型值),输出噪声电压为38μVrms(典型值),负载瞬态响应仅为ΔVOUT = ±80mV(典型值)。由于可以使用小型陶瓷输入和输出电容器,因此适用于需要高密度电路板组装的便携式应用,如手机。
    • 5+

      ¥0.8092
    • 50+

      ¥0.7891
    • 150+

      ¥0.7756
    • 500+

      ¥0.7622
  • 有货
  • 应用:高速开关
    • 5+

      ¥0.8545
    • 50+

      ¥0.8363
    • 150+

      ¥0.8242
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5000 Vrms(最小值))。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8683
    • 50+

      ¥0.7523
    • 200+

      ¥0.7026
    • 500+

      ¥0.6406
    • 2500+

      ¥0.613
  • 有货
  • DF2B6M4BSL是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护电子设备天线和高速接口端口中的半导体元件免受静电和噪声影响。该产品具有超低电容特性,能够抑制天线和高速信号线中令人担忧的信号质量下降问题。此外,DF2B6M4BSL在施加静电放电时可提供较低的峰值电压,具备出色的保护性能
    • 5+

      ¥0.9032
    • 50+

      ¥0.7227
    • 150+

      ¥0.6325
    • 500+

      ¥0.5648
  • 有货
  • 特性:正向电压:VFM = 0.49V(最大值)。 平均正向电流:IF(AV) = 1A。 重复峰值反向电压:VRRM = 40V。 适合采用小型表面贴装封装“S-FLATTM”进行紧凑组装。应用:开关电源应用。 便携式设备
    • 5+

      ¥0.9291
    • 50+

      ¥0.909
    • 150+

      ¥0.8956
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:Ron = 4.0Ω 最大 (VGS = 4V);Ron = 7.0Ω 最大 (VGS = 2.5V)。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    • 5+

      ¥1.0291
    • 50+

      ¥0.8076
    • 150+

      ¥0.7126
  • 有货
  • 特性:小封装。 由2个独立二极管组成。 低正向电压:V(3)=0.54V(典型值)。 低反向电流:IR = 5μA(最大值)
    • 5+

      ¥1.1
    • 50+

      ¥0.857
    • 150+

      ¥0.7529
  • 有货
  • 特性:低噪声:VNI = 7.8 nV/Hz(典型值)@VDD = 3.3 V。 小相位延迟:-2.5 度 @VDD = 3.3 V(典型值),f = 2 kHz。 低电流供应:500 μA @VDD = 3.3 V(典型值)。 超紧凑型封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1415
    • 50+

      ¥1.1156
    • 150+

      ¥1.0983
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成,可由交流输入电流直接驱动。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1751
    • 50+

      ¥0.9143
    • 150+

      ¥0.8026
    • 500+

      ¥0.6632
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1774
    • 50+

      ¥1.1523
    • 150+

      ¥1.1356
  • 有货
  • 特性:- ARC-0101合格。 出色的hFE线性度:在VCE = -6V,IC = -400mA时,hFE(2) = 25(最小值)。 与2SC2859互补。应用:音频低频功率放大器应用。驱动级放大器应用
    • 50+

      ¥0.972
    • 500+

      ¥0.9
    • 1000+

      ¥0.864
    • 5000+

      ¥0.828
    • 10000+

      ¥0.8064
    特性:高速开关应用。 2.5V驱动低导通电阻:Ron = 135mΩ (最大值) (VGS = 2.5V);Ron = 100mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)
    • 5+

      ¥1.191
    • 50+

      ¥1.1633
    • 150+

      ¥1.1448
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购的零件编号列表)。 1.5-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -ΔRDS(ON) = 88.4 mΩ(最大值)(@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 56.0 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 39.7 mΩ(最大值)(@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 29.8 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.2291
    • 50+

      ¥0.9838
    • 150+

      ¥0.8786
  • 有货
  • 特性:小封装。 典型的VZ电压符合E24系列。应用:电压浪涌保护
    • 5+

      ¥1.2941
    • 50+

      ¥1.0083
    • 150+

      ¥0.8857
  • 有货
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