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CMOS数字集成电路八进制总线缓冲器

型号：74VHCT240AFT 编号：C2676086

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT240AFT 和 74VHCT244AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。 74VHCT240AFT 是一个反相三态缓冲器，有两个低电平有效输出使能端。

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.17
30+
￥2.82

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1.0A负载开关IC，带压摆率控制驱动器，超小封装

型号：TCK106AG,LF 编号：C2149807

封装：WCSPD-4(0.79x0.79)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下，典型导通电阻仅为 34 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能

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1+
￥4.35
10+
￥3.55
30+
￥3.15

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光电耦合器（红外LED与光电IC）

型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥4.4
10+
￥3.54
30+
￥3.11
100+
￥2.68
500+
￥2.42
1500+
￥2.29

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16通道恒流LED驱动器

型号：TB62747AFNG(O,C,8,EL) 编号：C38761607

封装：SSOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62747系列是由为LED和LED面板显示屏设计的恒流驱动器组成的。调节电流源被设计为提供可调的恒定电流，该电流可以通过一个外部电阻进行调整。TB62747系列集成了16通道移位寄存器、锁存器、与门以及恒流输出。采用Bi-CMOS工艺制造，TB62747系列满足了高速数据传输的系统需求。它可在3.3或5.0 V电源下工作。

1+
￥4.44
10+
￥4.33
30+
￥4.26
100+
￥4.18

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N沟道耐压:100V 电流:3.5A

型号：SSM6N813R,LF 编号：C5930520

封装：TSOP-6F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 110 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 88 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关

1+
￥4.61
10+
￥3.69
30+
￥3.22
100+
￥2.77

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TLP2710(D4-TP,E(T

型号：TLP2710(D4-TP,E 编号：C5370561

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

5-Mbps低功耗光电耦合器，采用小型SO6L封装，厚度最大为2.3mm。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.3mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±25kV/μs。

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1+
￥5.24
10+
￥4.7
30+
￥4.4
100+
￥4.06

有货

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光电耦合器，GaAlAs红外LED与光电IC

型号：TLP2748(TP,E 编号：C2848502

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2748由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.27
30+
￥3.71
100+
￥3.15
500+
￥2.82

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双可重触发单稳态多谐振荡器

型号：TC74HC123AF(ELNE,F) 编号：C5381647

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS单稳态多谐振荡器，能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。有两个触发输入，A(overline)输入（负边沿）和B输入（正边沿），这些输入对于慢上升/下降时间信号有效，因为它们是施密特触发输入。该器件也可以通过CLR输入（正边沿）触发。触发后，输出在由外部电阻和电容 (Rx, Cx) 确定的时间段内保持单稳态。A(overline)CLR输入为低电平时会打破该状态。在单稳态下，如果施加新的触发，会延长单稳态周期（重触发模式）。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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1+
￥5.41
10+
￥4.33
30+
￥3.79

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四路2输入或非门

型号：TC74HC02APF 编号：C4468951

封装：DIP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC02A 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 二输入或非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 类似的高速运行

1+
￥5.78
10+
￥4.72
25+
￥4.19
100+
￥3.66

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5752(D4-TP,E 编号：C2990806

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

1+
￥6.08
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￥5
30+
￥4.41
100+
￥3.74
500+
￥3.44

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2SK3320-BL(TE85L,F

型号：2SK3320-BL(TE85L,F 编号：C17555716

封装：TSSOP-5(SC-70-5)SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥6.25
10+
￥4.99
30+
￥4.36
100+
￥3.73

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红外LED与光电IC光耦

型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥6.26
10+
￥5.01
30+
￥4.38
100+
￥3.76
500+
￥3.39
1500+
￥3.19

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DC输入 1通道

型号：TLP2962(F) 编号：C146458

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。

数据手册

1+
￥7.03
10+
￥5.77
30+
￥5.08
100+
￥4.3

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293-4(V4-GB,E 编号：C94261

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 - 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 - 4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP293 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

1+
￥7.64
10+
￥6.3
50+
￥5.57
100+
￥4.74
500+
￥4.37
1000+
￥4.2

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8通道源型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783AFWG(Z,EHZ) 编号：C5349737

封装：SOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：8 个电路内置。高电压：Vₒᵤₜ = 50V（最大值）。高电流：Iₒᵤₜ = -500mA（每个通道最大值）。输入电压（输出开启）：2.0V（最小值）。输入电压（输出关闭）：0.6V（最大值）。封装：PG 型 P-DIP18-300-2.54-001；FG 型 SOP18-P-375-1.27；FNG 型 SSOP18-P-225-0.65；FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001

数据手册

1+
￥7.69
10+
￥6.31
30+
￥5.55
100+
￥4.7

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CMOS 数字集成电路，八进制总线收发器

型号：TC74AC640FTEL 编号：C6331343

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八总线收发器 TC74AC245F：三态、同相 TC74AC640F：三态、反相 TC74AC245F、TC74AC640F 是采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八总线收发器。

1+
￥8.12
10+
￥6.68
30+
￥5.89
100+
￥4.99

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4通道高电流灌电流型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62064AFG(Z,EL) 编号：C4153830

封装：HSOP-16-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

1+
￥8.22
10+
￥6.86
30+
￥6.12

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TK72E12N1,S1X(S

型号：TK72E12N1,S1X(S 编号：C4153811

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥10.77
10+
￥8.89
30+
￥7.71

有货

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硅N沟道MOS（U-MOSIX-H）

型号：XPHR7904PS,L1XHQ 编号：C41488267

封装：SOPAdvance(WF)-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小尺寸、薄封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：汽车。电机驱动器

1+
￥11.46
10+
￥9.65
30+
￥8.52
100+
￥7.36

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1个N沟道耐压:120V 电流:72A

型号：TK72E12N1,S1X 编号：C556306

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 120 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥12.99
10+
￥11.13
30+
￥9.97
100+
￥6.7606 ￥8.78
500+
￥6.3525 ￥8.25
1000+
￥6.1677 ￥8.01

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8通道高端功率开关阵列

型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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500+
￥12.96
1000+
￥12.6

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TLP2767(TP,E

型号：TLP2767(TP,E 编号：C7124357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥17.51
10+
￥14.94
30+
￥13.34

有货

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TLP521-2(GB)

型号：TLP521-2(GB) 编号：C43687163

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥18.49
10+
￥15.77
50+
￥14.08

有货

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三相全波正弦波PWM无刷电机驱动器

型号：TB67B000HG(O) 编号：C412441

封装：PDIP-30

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高压PWM无刷直流电机驱动器，将正弦波PWM/广角换向控制器和高压驱动器集成在一个封装中（“二合一”），旨在通过使用来自微控制器的速度控制信号（模拟）直接改变无刷直流电机的速度。

数据手册

1+
￥20.688 ￥68.96
10+
￥11.946 ￥59.73
30+
￥5.41 ￥54.1
105+
￥4.939 ￥49.39

有货

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DC 3.75kV

型号：TLX9188(GBTPL,F 编号：C17336323

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLX9188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLX9188采用非常小巧轻薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高（VCEO = 200 V），TLX9188适用于电池管理系统

1+
￥28.2
10+
￥23.94
30+
￥21.41
100+
￥18.86

有货

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具备输出增益控制功能和PWM灰度功能的16路恒流LED驱动器

型号：TC62D723FNG,C,EL 编号：C2679135

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：电源电压：VDD = 3.0 至 5.5 V。16 路输出内置，输出电流设置范围：IOUT = 1.5 至 90 mA。恒流输出精度（@ REXT = 1.2 kΩ，VOUT = 1.0 V，VDD = 3.3 V、5.0 V）：S 级，输出间 ±1.5%（最大值）；S 级，器件间 ±1.5%（最大值）；N 级，输出间 ±2.5%（最大值）；N 级，器件间 ±2.5%（最大值）。输出电压：VOUT = 17 V（最大值）。I/O 接口：CMOS 接口（施密特触发器输入）。数据传输频率：fSCK = 30 MHz（最大值）

数据手册

1+
￥31.738 ￥45.34
10+
￥23.574 ￥39.29
30+
￥17.805 ￥35.61
100+
￥16.26 ￥32.52

有货

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7通道灌电流型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62503AFNG,EL 编号：C2150031

封装：SSOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥33.672 ￥73.2
10+
￥26.352 ￥73.2
30+
￥19.032 ￥73.2

有货

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TLP3403(TP,F

型号：TLP3403(TP,F 编号：C7124369

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥34.35
10+
￥29.23
30+
￥26.18

有货

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AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5231(D4-TP,E 编号：C691205

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5231是一款高度集成的2.5 A双输出IGBT栅极驱动光电耦合器，其多功能IC采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。该光电耦合器适合作为预驱动器，通过外部p沟道和n沟道MOSFET作为缓冲器来驱动功率器件。TLP5231是一款智能栅极驱动光电耦合器，具备IGBT/功率MOSFET去饱和检测、隔离故障状态反馈、软关断栅极、有源密勒钳位和欠压锁定（UVLO）等功能

数据手册

1+
￥36.67
10+
￥31.58
30+
￥28.56
100+
￥16.32 ￥25.5
500+
￥15.4176 ￥24.09
1500+
￥15.008 ￥23.45

有货

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RN1107MFV,L3F(CT

型号：RN1107MFV,L3F(CT 编号：C17532991

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

10+
￥0.2344
100+
￥0.2294
300+
￥0.2261

有货

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