东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP266J(V4-TPL,E 编号：C3002259

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.971 ￥10.45
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￥2.6936 ￥9.62
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型号：SSM6J808R,LXHF 编号：C6685676

封装：TSOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 4-V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)；RDS(ON) = 35 mΩ（典型值）(VGS = -4.5 V)；RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS = -4 V)。应用：电源管理开关

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￥4.01
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型号：TPH1R204PL,LQ(M1 编号：C6916290

封装：SOP-8Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 17 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IJSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器-开关稳压器

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型号：TLP2962F(TP4,F) 编号：C4153773

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。满足8mm的PC板间距要求。

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￥4.25
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型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TCK106AG,LF 编号：C2149807

封装：WCSPD-4(0.79x0.79)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下，典型导通电阻仅为 34 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能

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型号：TB62747AFNG(O,C,8,EL) 编号：C38761607

封装：SSOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62747系列是由为LED和LED面板显示屏设计的恒流驱动器组成的。调节电流源被设计为提供可调的恒定电流，该电流可以通过一个外部电阻进行调整。TB62747系列集成了16通道移位寄存器、锁存器、与门以及恒流输出。采用Bi-CMOS工艺制造，TB62747系列满足了高速数据传输的系统需求。它可在3.3或5.0 V电源下工作。

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型号：74LCX245FT(AJ) 编号：C7473283

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制总线收发器，具有5V容限输入和输出。是高性能CMOS八进制总线收发器，专为3.3V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC应用而设计，但可用于输入和输出的5V电源环境接口。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (OE(overline)) 可用于禁用该器件，以使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电保护电路。

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型号：TC74HC123AF(ELNE,F) 编号：C5381647

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS单稳态多谐振荡器，能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。有两个触发输入，A(overline)输入（负边沿）和B输入（正边沿），这些输入对于慢上升/下降时间信号有效，因为它们是施密特触发输入。该器件也可以通过CLR输入（正边沿）触发。触发后，输出在由外部电阻和电容 (Rx, Cx) 确定的时间段内保持单稳态。A(overline)CLR输入为低电平时会打破该状态。在单稳态下，如果施加新的触发，会延长单稳态周期（重触发模式）。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TLP628(GB,F) 编号：C435821

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成，集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：TLP2710(D4-TP,E 编号：C5798521

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2710 是一款采用小型 SO6L 封装的 5Mbps 低功耗光电耦合器。它采用厚度最大为 2.3mm 的薄型 SO6L 封装。

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￥7.36
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型号：TLP292-4(V4LATPE 编号：C5351376

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证宽工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥7.7221 ￥16.43
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型号：TLP719(D4-TP,F) 编号：C393901

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs高输出发光二极管和高速探测器组成。这是一款6引脚SDIP封装产品，比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。在光电探测器芯片上集成了法拉第屏蔽层，可有效抗共模噪声瞬变，适用于嘈杂的环境条件。

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￥8.05
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型号：TLP292-4(4LGBTP,E 编号：C5348963

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP160J(TPL.U.C.F) 编号：C2762665

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型外形耦合器，适用于表面贴装组件。由一个光控三端双向可控硅开关元件和一个红外发光二极管光耦合而成。

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￥9.072 ￥10.8
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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C393891

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。

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￥9.08
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￥7.58
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￥6.76

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型号：TB67S539FTG(O,EL) 编号：C5955026

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S539FTG是一款采用脉宽调制（PWM）斩波方式的两相双极步进电机驱动器。TB67S539FTG采用BiCD工艺制造，额定值为40V/2.0A（绝对最大额定值）。

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￥9.23
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￥6.66

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型号：TJ90S04M3L,LXHQ 编号：C5986388

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.4 mΩ（典型值）。低漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40V)。增强模式：VDM = -1.0 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用：汽车。电机驱动器

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￥9.29
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￥8.89

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型号：TLP3906(C20TL,E 编号：C7528661

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由红外发光二极管和光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

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￥9.96
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￥8.45
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￥7.51

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型号：TK72E12N1,S1X 编号：C556306

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 120 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

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￥10.0023 ￥12.99
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￥8.5701 ￥11.13
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￥7.6769 ￥9.97
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￥6.7606 ￥8.78
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￥6.3525 ￥8.25
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￥6.1677 ￥8.01

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型号：TK72E12N1,S1X(S 编号：C4153811

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥10.77
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￥8.89
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￥7.71

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型号：TK20A60W,S5VX(M 编号：C4153807

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.13Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器

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￥9.23
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￥8.18

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型号：TLP293-4(E 编号：C17185266

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥12.2
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￥10.41
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￥9.29

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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￥12.41
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￥10.45
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￥9.22
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￥7.97

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型号：tlp548j 编号：C165888

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥12.9276 ￥20.52
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￥11.0313 ￥17.51
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￥9.8469 ￥15.63
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￥8.631 ￥13.7
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￥8.0829 ￥12.83
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￥7.8435 ￥12.45

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型号：TPH2R506PL,L1Q 编号：C2758656

封装：SOPAdvance-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Qsw = 19 nC (典型值)。小输出电荷：QBS = 51 nC (典型值)。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA (最大值)(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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￥13.89
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￥11.65
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型号：TMPM372FWUG 编号：C4153831

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ARM Cortex-M3微处理器核心。通过使用Thumb -2指令实现了更高的代码效率。新的16位Thumb指令用于改进程序流程，新的32位Thumb指令用于提高性能，新的Thumb混合16/32位指令集可生成更快、更高效的代码。实现了高性能和低功耗。高性能方面，32位乘法(32×32 = 32bit)可在一个时钟内执行，除法根据被除数和除数需要2到12个周期；低功耗方面，采用低功耗库进行优化设计，具备停止微控制器核心操作的待机功能。具有适合实时控制的高速中断响应，有可中断的长指令，硬件自动处理堆栈推送。片上程序存储器和数据存储器：片上RAM为6Kbyte，片上FlashROM为128Kbyte。16位定时器(TMRB)：8个通道，具有16位间隔定时器模式、16位事件计数器模式、输入捕获功能、外部触发PPG输出