东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74LCX02FT 编号：C5381634

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥0.9426
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￥0.9042

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型号：CUZ30V,H3F 编号：C5636704

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。典型VZ电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

5+
￥1.1387
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￥0.8921
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￥0.7864

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型号：TC7WZ00FK,LJ(CT 编号：C6552002

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与非门

5+
￥1.1961
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￥1.1549

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型号：CRS01(TE85L,Q,M) 编号：C146292

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VFM = 0.37V @ IFM = 0.7A。平均正向电流：IF(AV) = 1.0A。重复峰值反向电压：VRRM = 30V。适合采用小型表面贴装封装“S-FLAT”进行紧凑组装

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3000+
￥0.506
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型号：TC75S102F,LF(CT 编号：C7360605

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：输入和输出全范围。超低电源电流 0.27μA（典型值）@VDD=1.5V。低输入失调电压 1.3mV（最大值）@VDD=1.5V。宽工作电压范围 1.5V 至 5.5V

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￥1.21
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型号：TC75S57FU(TE85L,F) 编号：C5797399

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

是CMOS通用单比较器。该器件可采用单电源供电，且与传统双极型通用比较器相比，其电源电流更低。该器件的推挽输出级可直接连接到TTL或CMOS逻辑IC等。

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型号：74HC595D(BJ) 编号：C7421255

封装：SOIC16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，能实现与等效LSTTL类似的高速操作，同时保持CMOS低功耗特性。包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立，因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且，由于并行输出是三态的，它可以直接连接到8位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TLP291(BLL-TR,SE 编号：C5370574

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291由光电晶体管和一个红外发光二极管光耦合组成。TLP291采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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型号：74HC32D 编号：C4468690

封装：SOIC-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TCR3UM33A,LF(SE 编号：C6552142

封装：DFN-4(1x1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS通用单输出电压调节器，具有开/关控制输入，特点是超低静态偏置电流和低压差电压。这些电压调节器提供0.8V至5.0V的固定输出电压，能够驱动高达300mA的电流。它们具有过流保护、热关断功能和自动放电功能。采用超小塑料模制封装DFN4/DFN4E 1.0mm×1.0mm，0.60mm（最大），在3.3V输出、I0UT = 300mA时具有196mV的低压差电压。由于TCR3UM系列可以使用1μF的小型陶瓷输入和输出电容器，这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用，如手机、物联网设备和可穿戴设备。

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型号：TLP185(Y-TPL,SE 编号：C17666883

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.58
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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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￥1.6166
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型号：74VHCT540AFT(BE) 编号：C2975841

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。当G1或G2为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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￥1.7595
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￥1.3968
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型号：TA75W393FU,LF 编号：C5975496

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.76
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型号：TLP293(V4-BLTL,E 编号：C5331604

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥1.86
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￥1.5
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型号：TC7SZ17F,LJ(CT 编号：C2675581

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

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￥1.9642
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型号：TCK106AF,LF 编号：C2653753

封装：SOT-25(SC-74A)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF 和 TCK108AF 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，特点是开关导通电阻低，输入电压工作范围宽，为 1.1 至 5.5 V。在 VIN = 5.0 V、lOUT = -0.5 A 的条件下，开关导通电阻典型值仅为 63 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AF 和 TCK108AF 具备输出自动放电功能

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￥2.203
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￥1.7368
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型号：TLP265J(V4-TPL,E）编号：C516861

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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￥2.223 ￥3.42
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￥1.496 ￥2.72
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￥0.918 ￥2.04
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型号：HN4A06J(TE85L,F) 编号：C22443435

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥2.34
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￥2.29
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￥2.25
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￥2.22

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型号：TLP184(V4-TPL,SE 编号：C5331593

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP184是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP184由一个光电晶体管和两个反并联连接的红外发光二极管光耦合而成，可由交流输入电流直接驱动。

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￥2.38
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￥2.09
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￥1.97
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￥1.82
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￥1.75
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￥1.71

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型号：74VHCV541FT 编号：C2675740

封装：TSSOP-20-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制施密特总线缓冲器 74VHCV540FT：反相、三态输出 74VHCV541FT：同相、三态输出 74VHCV540FT 和 74VHCV541FT 是采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

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1+
￥2.39
10+
￥1.86
30+
￥1.64

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型号：SSM3K341TU,LF 编号：C6302648

封装：SMD-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值）(@VGS = 10V)；RDS(ON) = 36mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 43mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器