东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC7S08FU(TE85L,F) 编号：C4153818

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.687
50+
￥0.5382
150+
￥0.4638
500+
￥0.408

有货

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型号：CUS05F30,H3F 编号：C7118902

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.7756
50+
￥0.7591
150+
￥0.7481

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型号：DF3A6.8LFU,LF 编号：C1974539

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电 (ESD) 保护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装上安装两个器件可减少零件数量和安装成本。低终端电容：CT = 6.0 pF（典型值）

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5+
￥0.9549
50+
￥0.744
150+
￥0.6536

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型号：SSM3J378R,LF 编号：C5908545

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。 1.5-V栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -ΔRDS(ON) = 88.4 mΩ（最大值）(@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 39.7 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 29.8 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.1108
50+
￥0.8654
150+
￥0.7602

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型号：TC75S63TU,LF 编号：C2058745

封装：SON-5(1.7x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低噪声：VNI = 7.8 nV/Hz（典型值）@VDD = 3.3 V。小相位延迟：-2.5 度 @VDD = 3.3 V（典型值），f = 2 kHz。低电流供应：500 μA @VDD = 3.3 V（典型值）。超紧凑型封装

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5+
￥1.1415
50+
￥1.1156
150+
￥1.0983

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型号：SSM3K329R,LF 编号：C150127

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电源管理开关应用和高速开关应用，具有低导通电阻的特点。

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3000+
￥0.428
9000+
￥0.424

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型号：CRS01(TE85L,Q,M) 编号：C146292

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VFM = 0.37V @ IFM = 0.7A。平均正向电流：IF(AV) = 1.0A。重复峰值反向电压：VRRM = 30V。适合采用小型表面贴装封装“S-FLAT”进行紧凑组装

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3000+
￥0.4601
9000+
￥0.4558

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型号：2SA1873-GR(TE85L,F 编号：C17478686

封装：TSSOP-5(SC-70-5)SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于音频频率通用放大器应用。小封装（双类型），高电压和高电流：VCEO = -50V，IC = -150mA（最大值），高hFE，出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值），与2SC4944互补。

5+
￥1.2971
50+
￥1.0106
150+
￥0.8878

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型号：TLP293(V4-GRTL,E 编号：C2998442

封装：SO-4-2.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥1.3005 ￥2.55
10+
￥1.1628 ￥2.28
30+
￥1.0965 ￥2.15
100+
￥1.0251 ￥2.01
500+
￥0.9843 ￥1.93
1000+
￥0.9639 ￥1.89

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型号：74HC4051D 编号：C2673644

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效LSTTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。具有8通道配置和4通道×2配置。控制端子的数字信号可开启每个通道的相应开关，大振幅信号(VCC·VEE)可由小逻辑振幅(VCC·GND)控制信号切换。例如，在VCC = 5 V，GND = 0 V，VEE = -5 V的情况下，-5 V至+5 V之间的信号可以通过5 V单电源的逻辑电路进行切换。由于每个开关的导通电阻较低，它们可以连接到低输入阻抗的电路。

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1+
￥1.5
10+
￥1.46
30+
￥1.44
100+
￥1.42

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型号：2SC4541(TE12L,ZC) 编号：C7421248

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。高速开关时间：tSTG = 0.5 μs（典型值）。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W（安装在陶瓷基板上）。与 2SA1736 互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

5+
￥1.5069
50+
￥1.2045
150+
￥1.0749

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C695252

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的红外发光二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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5+
￥1.6166
50+
￥1.2555
150+
￥1.1007

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型号：2SA2061(TE85L,F) 编号：C6054119

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高 DC 电流增益：hF 在 200 至 500 之间（IC =-0.5 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.19V（最大值）。高速开关：tF = 40 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

1+
￥1.73
10+
￥1.69
30+
￥1.66
100+
￥1.63

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型号：CUHZ20V,H3F 编号：C6162352

封装：SOD-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

1+
￥1.75
10+
￥1.71
30+
￥1.68
100+
￥1.65

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型号：TA75W393FU,LF 编号：C5975496

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥1.8
10+
￥1.76
30+
￥1.74
100+
￥1.71

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型号：TCR8BM33A,L3F 编号：C5955802

封装：DFNB-5(1.2x1.2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥1.82
10+
￥1.79
30+
￥1.76
100+
￥1.73

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型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C5331600

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.8986
50+
￥1.4755
150+
￥1.2942

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型号：TCR3UF20A,LM(CT 编号：C7067134

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR3UF 系列是采用 CMOS 工艺的单输出电压调节器，带有开/关控制输入，具有超低静态偏置电流和低压差电压的特点。这些电压调节器提供 0.8V 至 5.0V 之间的固定输出电压，能够驱动高达 300 mA 的电流。它们具备过流保护、热关断功能和自动放电选项

5+
￥2.0082
50+
￥1.5646
150+
￥1.3745

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型号：CRS08(TE85L 编号：C89063

封装：SOD-123

品牌：TOSHIBA(东芝)

开关模式电源应用、便携式设备电池应用

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1+
￥2.0629
10+
￥1.601
30+
￥1.403
100+
￥1.156

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型号：TLP265J(V4-TPL,E）编号：C516861

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

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1+
￥2.0862 ￥3.42
10+
￥1.3872 ￥2.72
30+
￥0.9922 ￥2.42
100+
￥0.8364 ￥2.04
500+
￥0.7708 ￥1.88
1000+
￥0.7257 ￥1.77

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型号：74VHC540FT(BE) 编号：C7421295

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器，反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压，该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备用）的接口，此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

1+
￥2.25
10+
￥2.19
30+
￥2.16

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型号：TLP290(TP,SE 编号：C5362374

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE)由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反并联连接的红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE)采用非常小巧轻薄的SO4封装。由于TLP290(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此它适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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1+
￥2.48
10+
￥1.94
30+
￥1.71

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型号：TC75S57FU(TE85L,F) 编号：C5797399

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

是CMOS通用单比较器。该器件可采用单电源供电，且与传统双极型通用比较器相比，其电源电流更低。该器件的推挽输出级可直接连接到TTL或CMOS逻辑IC等。

1+
￥2.49
10+
￥1.97
30+
￥1.75

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型号：74HC138D 编号：C2674688

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC138D是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS 3线-8线解码器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。当器件使能时，3个二进制选择输入（A、B和C）决定输出（\(\overline{{\mathrm{Y}}}0\cdot\overline{{\mathrm{Y}}}7\)）中的哪一个将变为低电平

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1+
￥2.59
10+
￥2
30+
￥1.75

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型号：TLP185(GB-TPR,E 编号：C7421357

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

1+
￥2.76
10+
￥2.43
30+
￥2.26
100+
￥2.1
500+
￥2
1000+
￥1.95

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型号：TLP185(SE 编号：C22452671

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

1+
￥3
10+
￥2.34
30+
￥2.05

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型号：TLP292(TPL,E 编号：C3008596

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器，采用 SO4 封装，由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C，因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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