东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP266J(TPL,E 编号：C2848501

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥2.9118 ￥12.66
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￥2.6818 ￥11.66
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￥2.5369 ￥11.03
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￥2.3897 ￥10.39
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￥2.323 ￥10.1
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￥2.2931 ￥9.97

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型号：TLP388(GB-TPL,E 编号：C17642524

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。集电极 - 发射极间的击穿电压（VCEO）高达350 V，TLP388适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

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￥3.05
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￥2.69
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￥2.51
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￥2.33
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￥2.22
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￥2.16

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型号：TLP184(V4GRTL,SE) 编号：C3003190

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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￥3.3098 ￥8.71
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￥2.2456 ￥8.02
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￥1.3644 ￥7.58
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￥1.2852 ￥7.14
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￥1.2492 ￥6.94
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￥1.2348 ￥6.86

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型号：TA78L05F(TE12L.F) 编号：C2762680

封装：HSOP-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合用于 TTL/CMOS 电源。无需外部零件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为 150 mA（结温 = 25℃）。采用 PW-mini（SOT-89）封装

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￥3.44
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￥2.74
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￥2.39
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￥1.7748 ￥2.04
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￥1.5921 ￥1.83
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￥1.4964 ￥1.72

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型号：TC74HC08AF(EL,F) 编号：C5221834

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 2输入与门，采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。内部电路由两级组成，包括缓冲输出，具有高抗噪性和稳定的输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥3.48
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￥2.51
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￥2.19

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型号：TK8A65D(STA4,X,M) 编号：C2929219

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥4.16
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￥3.38
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￥2.74
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型号：TPH3R704PL,L1Q 编号：C141553

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.0 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.2
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￥3.36
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￥2.94
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￥2.52

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C99487

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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￥4.29
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￥3.43
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￥2.99
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￥2.57
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￥2.31
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型号：TC74AC541FT(EL) 编号：C7421335

封装：TSSOP20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择，当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态，所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。

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￥4.43
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￥3.98
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￥3.76
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￥3.53

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型号：TK12A50D(STA4,X,M) 编号：C5154560

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.45Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

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￥4.59
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￥3.6
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￥2.96
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￥2.47
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￥2.02

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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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￥5.05
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￥4.03
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￥3.53
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￥3.02
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￥2.72
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￥2.57

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型号：TK100E10N1,S1X 编号：C5986394

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器

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￥5.46
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￥4.91
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￥4.6
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￥4.26

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型号：TLP293-4(LGBTR,E 编号：C17639925

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥5.69
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￥5.16
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￥4.87
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￥4.55
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￥4.4

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型号：TK13A65U(STA4,X,M) 编号：C4153804

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥6.28
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￥5.64
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￥5.03
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￥4.63

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型号：TK15J50D(F) 编号：C5361057

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.33Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥6.47
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￥5.45
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￥4.85

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型号：TK12A50W,S5X(M 编号：C5139772

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.265Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VDA = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 0.6mA。应用：开关稳压器

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￥8.35
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￥6.8
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￥5.69
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￥4.73
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￥4.31
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￥4.11

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型号：TK25A20D,S5X 编号：C2990812

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器

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￥8.51
10+
￥7.07
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￥6.28
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￥5.38
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￥4.99

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型号：TK9J90E,S1E 编号：C695269

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.9 mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥8.6
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￥7.16
25+
￥6.28
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￥5.38

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型号：TLP293-4(GB,E 编号：C3018643

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥8.71
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￥7.27
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￥5.76
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￥4.86
500+
￥4.46

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型号：TPD2007F(EL,F) 编号：C114443

封装：SOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥15.07
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￥12.66
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￥11.14

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型号：TBD62083APG 编号：C114143

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803APG(C5252)升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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1+
￥16.57
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￥13.94
40+
￥12.29
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￥10.6

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型号：TLP191B(U,C,F) 编号：C150137

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器适用于表面贴装组装，由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOS FET栅极驱动。

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1+
￥37.37
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￥32.63
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￥29.75

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型号：TC358870XBG(NOK) 编号：C3008712

封装：VFBGA-80(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

Ultra HD to DSI桥接器将高分辨率(高于4 Gbps)HDMI流转换为MIPI DSI Tx视频。它是TC358779XBG的后续产品,没有缩放功能。HDMI-RX以297 MHz运行,可承载高达7.2 Gbps的视频流。它需要双链路MIPI DSI Tx(1 Gbps/数据通道)来传输最大7.2 Gbps的视频数据。该桥接芯片是当前和下一代应用处理器通过其HDMI Tx输出端口驱动(双)DSI链路显示器所必需的。

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1+
￥52.12
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￥44.5
30+
￥39.86

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型号：THB6064AH 编号：C19935

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

42V/4.5A大电流步进电机驱动IC

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￥58.02
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￥49.54
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￥43.39
98+
￥39.06

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型号：2SC4116-GR,LF 编号：C189739

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压和高电流：VCBO = 50 V，IC = 150 mA（最大值）。出色的hFE线性度：hFE (IC = 0.1 mA) / hFE(IC = 2 mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 70至700。低噪声：NF = 1 dB（典型值），10 dB（最大值）。与2SA1586互补。应用：音频通用放大器应用

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