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描述

价格(含税)

库存

操作

CMOS数字集成电路

型号：TC7SZ07FE,LJ(CT 编号：C2675504

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高输出电流：±24mA (min)，VCC = 3.0V。超高速运行：tPZL = 2.3ns (typ.)，VCC = 5.0V，CL = 50pF。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。当在 3.3VVCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

数据手册

5+
￥0.7647
50+
￥0.6177
150+
￥0.5547
500+
￥0.476
2500+
￥0.441

有货

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CMOS数字集成电路，四路2输入与门

型号：74VHC08FT(BJ) 编号：C5379816

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四 2 输入与门。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入与门。在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的 4 级组成，具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及电池备份等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

5+
￥0.7757
50+
￥0.6077
150+
￥0.5237
500+
￥0.4607

有货

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四路二输入与非门（漏极开路）

型号：74VHC03FT(BJ) 编号：C7437584

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入与非门（漏极开路）。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与非门，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。引脚配置和功能与74VHC00FT相同，但74VHC03FT的输出为高性能MOS N沟道晶体管（漏极开路输出），因此，通过合适的上拉电阻，可用于线与、LED驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备份）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

5+
￥0.7925
50+
￥0.6873
150+
￥0.6423
500+
￥0.586

有货

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二输入或门

型号：TC7SZ32FU,LJ(CT 编号：C150181

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

双输入或门

数据手册

5+
￥0.8007
50+
￥0.6241
150+
￥0.5358
500+
￥0.4696

有货

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CMOS 数字集成电路硅单片机 TC4S66F/FU 双向开关

型号：TC4S66F,LF 编号：C146314

封装：SSOP-5-1.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4S66F/FU 包含一个双向开关电路。当控制输入 CONT 为高电平时，开关的输入和输出之间的阻抗变低；当控制输入为低电平时，开关的阻抗变高。适用于模拟信号和数字信号的切换。

数据手册

5+
￥0.8033
50+
￥0.6449
150+
￥0.5657
500+
￥0.5063

有货

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CMOS数字集成电路反相器

型号：TC7SZ04F,LJ(CT 编号：C2874933

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

反相器

数据手册

5+
￥0.818292 ￥0.8436
50+
￥0.586467 ￥0.6741
150+
￥0.453838 ￥0.5894
500+
￥0.404943 ￥0.5259
3000+
￥0.365827 ￥0.4751
6000+
￥0.346192 ￥0.4496

有货

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CMOS数字集成电路，四路2输入与非门

型号：74VHC00FT(BJ) 编号：C2762687

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC00FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与非门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。

数据手册

5+
￥0.8387
50+
￥0.6707
150+
￥0.5867
500+
￥0.5237

有货

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NPN 电流:2A 电压:50V

型号：2SC2873-Y(TE12L,CF 编号：C168896

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(sat)最大0.5V（IC = 1A）。高速开关时间：tSTG典型值为1.0μs。小型扁平封装，PC = 1.0至2.0W（安装在陶瓷基板上）。与2SA1213互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

数据手册

5+
￥0.8967
50+
￥0.6951
150+
￥0.6087
1000+
￥0.5009

有货

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高速低功耗施密特反相器

型号：TC7S14F(TE85L,F) 编号：C5366375

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 施密特触发器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。引脚配置和功能与 TC7SU04F 相同，但输入具有 25% VCC 的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路，输出电流是 TC74HC 系列型号的 1/2。

数据手册

5+
￥0.9554
50+
￥0.8294
150+
￥0.7754
500+
￥0.708

有货

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CMOS数字集成电路四总线缓冲器

型号：74VHC125FT(BJ) 编号：C5331506

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速CMOS四总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。74VHC125FT需要将三态控制输入G(overline)设置为高电平，以使输出进入高阻抗状态，而74VHC126FT需要将控制输入G设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。输入保护电路确保可以在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

数据手册

5+
￥1.0177
50+
￥0.7909
150+
￥0.6937
500+
￥0.5725

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP383(D4GL-TR,E 编号：C5346753

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入、高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度（-55 至 125℃）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.0223
50+
￥0.8858
150+
￥0.8272
500+
￥0.7542
3000+
￥0.7217
6000+
￥0.7022

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SSM3J374R,LF 编号：C7088717

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。 4.0V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 71mΩ（最大值）(@VGS =-10V)；RDS(ON) = 105mΩ（最大值）(@VGS =-4.5V)；RDS(ON) = 136mΩ（最大值）(@VGS =-4.0V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.0255
50+
￥0.799
150+
￥0.7019
500+
￥0.5808

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP385(BLL-TPL,E 编号：C4153846

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.0285
50+
￥0.892
150+
￥0.8335
500+
￥0.7605
3000+
￥0.728
6000+
￥0.7085

有货

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四路2输入或非门

型号：74VHC02FT(BJ) 编号：C5331502

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或非门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或非门，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的三级组成，提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V电压，可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件

数据手册

5+
￥1.0523
50+
￥0.8178
150+
￥0.7173
500+
￥0.5919
2500+
￥0.536
5000+
￥0.5025

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：SSM5N15FU,LF 编号：C7320735

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω（最大值，VGS = 4V）；RDS(ON) = 7.0Ω（最大值，VGS = 2.5V）。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥1.0937
50+
￥0.9467
150+
￥0.8837
500+
￥0.805

有货

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CMOS 数字集成电路，双 2 输入与门

型号：TC7WZ08FK,LJ(CT 编号：C6716828

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

5+
￥1.1283
50+
￥0.8763
150+
￥0.7683
500+
￥0.6336

有货

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带预置和清除功能的D型触发器

型号：TC7WH74FK,LJ(CT 编号：C2652816

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：fMAX = 170 MHz（典型值），VCC = 5V。低功耗：ICC = 2 μA（最大值），TA = 25℃。高抗噪性：VNI N = VNHL = 28%VCC（最小值）。5.5V 耐受输入。平衡传播延迟：tLH ≃ tPHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 5.5V

数据手册

5+
￥1.1284
50+
￥0.8769
150+
￥0.7692
500+
￥0.6347

有货

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带预置和清除功能的D型触发器

型号：TC7WH74FU,LJ(CT 编号：C150164

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

带预置和清除的D型触发器

数据手册

5+
￥1.1408
50+
￥0.8888
150+
￥0.7808
500+
￥0.6461

有货

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光耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP291(BLL-TP,SE 编号：C5350396

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（-55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

5+
￥1.1763
50+
￥0.9141
150+
￥0.8018
500+
￥0.6616

有货

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用于高速开关和DC-DC转换器应用的硅NPN外延型晶体管

型号：2SC6135,LF 编号：C5382755

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：HF = 400 至 1000 (Ic = 0.1A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.17V (最大值)。高速开关：tf = 85 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.2244
50+
￥1.0609
150+
￥0.9908
500+
￥0.9034

有货

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高速C2MOS反相器

型号：TC7W04FU,LF 编号：C5331570

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C5MOS缓冲器。内部电路由包括缓冲输出在内的三级组成，可实现高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥1.2264
50+
￥1.0626
150+
￥0.9924
500+
￥0.9048

有货

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CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHC541FT(BJ) 编号：C261919

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC540FT：反相、三态输出 74VHC541FT：同相、三态输出 74VHC540FT/74VHC541FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速先进 CMOS 八进制总线缓冲器。

数据手册

5+
￥1.2308
50+
￥0.9788
150+
￥0.8708
500+
￥0.7361

有货

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1个N沟道耐压:50V

型号：2SK209-Y(TE85L,F) 编号：C2880444

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高正向传输导纳：|Yfs| = 15 mS（典型值），VDS = 10 V，VGS = 0。高击穿电压：VGD_S =-30 V。低噪声：NF = 1.0 dB（典型值），VDS = 10 V，ID = 0.5 mA，f = 1 kHz，RG = 1 kΩ。高输入阻抗：IGSS =-1 nA（最大值），VGS =-30 V。小封装。应用：音频频率低噪声放大器应用

5+
￥1.2721
50+
￥0.9641
150+
￥0.8321
500+
￥0.6674

有货

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耐压:60V 电流:2A

型号：SSM3K2615R,LXGF 编号：C22371361

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 380 mΩ（典型值） (VGS = 3.3V, ID = 0.5A)；RDS(ON) = 330 mΩ（典型值） (VGS = 4.0V, ID = 1.0A)；RDS(ON) = 230 mΩ（典型值） (VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用：负载开关。电机驱动器

5+
￥1.2945
50+
￥1.1194
150+
￥1.0443
500+
￥0.9507

有货

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低压、低电容双路总线开关

型号：TC7WBL3305CFK,L(CT 编号：C2673291

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

低压、低电容双总线开关。

5+
￥1.3322
50+
￥1.1537
150+
￥1.0772
500+
￥0.9818

有货

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光电耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP785F(GB-TP7,F) 编号：C2987250

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

数据手册

5+
￥1.357
50+
￥1.0546
150+
￥0.925
500+
￥0.7633
2000+
￥0.6913
4000+
￥0.648

有货

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1SS250(TE85L,F)

型号：1SS250(TE85L,F) 编号：C5364336

封装：SOT-23-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.369
50+
￥1.0666
150+
￥0.937
500+
￥0.7753

有货

立即购买

CMOS数字集成电路，8位移位寄存器（串行输入，并行输出）

型号：74HC164D(BJ) 编号：C7421253

封装：SOIC14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器（串行输入，并行输出）。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A，B），以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.4579
50+
￥1.2899
150+
￥1.2179
500+
￥1.128

有货

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停产 DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP781(D4-GB,F) 编号：C2840182

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC: 5kVRMS (min))。

数据手册

5+
￥1.4807
50+
￥1.1493
200+
￥1.0072
500+
￥0.83

有货

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74VHC245FT(BE) （BJ）日本产地（BE）菲律宾产地停产

型号：74VHC245FT(BE) 编号：C8096

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC245 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线收发器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行

数据手册

5+
￥1.5026
50+
￥1.2595
150+
￥1.1553
500+
￥1.0253

有货

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