东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SK208-Y(TE85L,F) 编号：C112988

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。

数据手册

5+
￥1.2663
50+
￥0.9974
150+
￥0.8822
500+
￥0.7384
3000+
￥0.604

有货

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型号：TC7WH14FU,LJ(CT 编号：C150165

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WH14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SH14相同，但输入具有迟滞特性

数据手册

5+
￥1.2818
50+
￥0.9697
150+
￥0.8359
500+
￥0.669

有货

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型号：SSM6J402TU,LF 编号：C5930513

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 225 mΩ（最大值）(@VGS = -4V)；RDS(ON) = 117 mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。应用：DC-DC转换器。高速开关

5+
￥1.2986
50+
￥1.1243
150+
￥1.0496
500+
￥0.9564

有货

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型号：2SC6100,LF 编号：C5382754

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000（IC = 0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.14 V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.3243
50+
￥1.1634
150+
￥1.0944
500+
￥1.0083

有货

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型号：74VHC245FT(BJ,K) 编号：C7421284

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC245FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

5+
￥1.369
50+
￥1.0666
150+
￥0.937
500+
￥0.7753
2500+
￥0.7033
5000+
￥0.66

有货

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型号：74LCX14FT(AE) 编号：C7421263

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.4047
50+
￥1.2367
150+
￥1.1647
500+
￥1.0748

有货

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型号：74VHCT08AFT 编号：C20247071

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.4241
50+
￥1.2351
150+
￥1.1541
500+
￥1.053
2500+
￥1.008
5000+
￥0.981

有货

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型号：TLP385(GR-TPL,E 编号：C17383409

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥1.4795
50+
￥1.28
150+
￥1.1945
500+
￥1.0878
3000+
￥1.0403

有货

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型号：74VHCT244AFT 编号：C5188726

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.6
50+
￥1.2724
150+
￥1.132
500+
￥0.9569

有货

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型号：2SJ168TE85LF 编号：C3279667

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 100 mS（最小值），aID =-50 mA。低导通电阻：RDS(ON) = 1.3 Ω（典型值），aID =-50 mA。增强模式。与2SK1062互补。应用：高速开关应用。模拟开关应用

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￥1.73
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￥1.5
30+
￥1.4
100+
￥1.28
500+
￥1.23
1000+
￥1.19

有货

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型号：74LCX08FT 编号：C4470442

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四通道 2 输入与门，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压 (3.3V) VCC 应用而设计，但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.7558
50+
￥1.3762
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￥1.1683
500+
￥0.9654

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型号：SSM6J414TU,LF 编号：C5379821

封装：SOT-363F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

1+
￥1.9
10+
￥1.64
30+
￥1.54
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.3

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型号：TLP183(YH-TPL,E 编号：C5370587

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55 至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥1.93
10+
￥1.67
30+
￥1.56
100+
￥1.42
500+
￥1.36
1000+
￥1.32

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型号：74VHC165FT 编号：C5349732

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 位移位寄存器（并行输入，串行输出）。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位并行/串行输入、串行输出移位寄存器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出 8 位移位寄存器组成

数据手册

5+
￥1.9883
50+
￥1.5599
150+
￥1.3763
500+
￥1.1473

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型号：TPC6113,LF(CM 编号：C5370546

封装：VS6-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装，占用空间小。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS =-4.5V)。低泄漏电流：IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。增强模式：Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。应用：锂离子电池应用。电源管理开关应用

数据手册

1+
￥2.64
10+
￥1.99
30+
￥1.67
100+
￥1.35
500+
￥1.15
1000+
￥1.05

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型号：74VHC138FT 编号：C2674733

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC138 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3 线 - 8 线解码器。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。

1+
￥2.69
10+
￥2.06
30+
￥1.67
100+
￥1.27
500+
￥1.08
1000+
￥1

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型号：TLP291(GR,SE 编号：C5121290

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度（-55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

1+
￥3
10+
￥2.39
30+
￥2.13
175+
￥1.57
525+
￥1.42

有货

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型号：TLP388(D4-TPL,E 编号：C17292517

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 125 °C）。集电极 - 发射极间的击穿电压（VCEO）高达350 V，TLP388适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

1+
￥3.13
10+
￥2.76
30+
￥2.57
100+
￥2.38
500+
￥2.27
1000+
￥2.21

有货

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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.67
30+
￥2.38
100+
￥2.02
500+
￥1.58
1000+
￥1.49

有货

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型号：TPH1R403NL1,LQ(M 编号：C5370568

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 10.6 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 50 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VTH = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥3
30+
￥2.8
100+
￥2.6
500+
￥2.48

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型号：TLP188(TPL,E 编号：C7527491

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP188采用非常小巧纤薄的SO6（4引脚）封装，可保证在高温环境下工作（最高环境温度Ta = 110 °C）。集电极 - 发射极间具有高击穿电压（VCEO = 350 V），TLP188适用于可编程逻辑控制器（PLC）和家用电器，包括空调

1+
￥3.53
10+
￥2.82
30+
￥2.47
100+
￥2.12
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C99487

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.43
30+
￥2.99
100+
￥2.57
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.68
30+
￥3.26
100+
￥2.85
500+
￥2.6
1000+
￥2.48

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型号：TBD62003AFNG,EL 编号：C150145

封装：SSOP-16-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，超小体积，ULN2003升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥4.87
10+
￥3.88
30+
￥3.38
100+
￥2.89
500+
￥2.59
1000+
￥2.44

有货

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型号：TK8A65D(STA4,X,M) 编号：C2929219

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥4.96
10+
￥4.22
50+
￥3.61
100+
￥3.25

有货

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型号：TK5A65D(STA4,Q,M) 编号：C435819

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 2.6S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥5.0138 ￥9.46
10+
￥3.4013 ￥7.91
30+
￥2.3298 ￥7.06
100+
￥2.013 ￥6.1
500+
￥1.8711 ￥5.67
1000+
￥1.8084 ￥5.48

有货

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型号：TK12E60W,S1VX(S 编号：C5374700

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.265Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V（VDS = 10V，ID = 0.6mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.14
10+
￥4.61
50+
￥4.32
100+
￥3.99
500+
￥3.84

有货

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C699470

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度。SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器有一个内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，因此适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥5.6236 ￥8.27
10+
￥4.002 ￥6.9
30+
￥2.952 ￥6.15
100+
￥2.544 ￥5.3
500+
￥2.3664 ￥4.93
1500+
￥2.2848 ￥4.76

有货

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型号：TLP5752(TP,E 编号：C2840186

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5752尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥5.23
30+
￥4.75
100+
￥4.27
500+
￥3.99
1500+
￥3.84

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型号：TK15A50D(STA4,X,S) 编号：C5143007

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.24Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

1+
￥6.25
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￥5.6
50+
￥5.25
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￥4.84
500+
￥4.66
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￥4.58

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