东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-3

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥6.28
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￥5.03
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￥4.63

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型号：TLP5751(TP4,E 编号：C2991189

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

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￥6.32
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￥5.09
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￥4.48
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￥3.86
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￥3.14

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型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

数据手册

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￥6.82
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￥5.59
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￥4.97
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￥3.99

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型号：TLP3052A(F 编号：C22413501

封装：插件

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥7.09
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型号：TK560P65Y,RQ 编号：C5798210

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS，RDS(ON) = 0.43Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：VtA = 3至4V，VDS = 10V，ID = 0.24mA。应用：开关稳压器

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￥7.97
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￥5
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型号：TK12A50W,S5X(M 编号：C5139772

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.265Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VDA = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 0.6mA。应用：开关稳压器

数据手册

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￥8.35
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￥6.8
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￥5.69
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￥4.73
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￥4.31
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型号：TPH1R405PL,L1Q 编号：C7364712

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 22 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 67 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 1 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 45 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.5 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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￥11.2
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￥9.41
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￥8.29
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￥7.15
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￥6.63
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型号：TLP227GA-2(F 编号：C99481

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP227GA系列由一个砷化镓红外发光二极管与一个光电MOSFET光耦合而成，采用4引脚DIP或8引脚DIP封装，其峰值关态电压为400V。

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￥12.65
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￥10.84
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￥8.03

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型号：TK16G60W,RVQ(S 编号：C22458004

封装：D2PAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）。应用：开关稳压器

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￥12.77
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￥10.73
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￥9.44
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￥8.13

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型号：TCB503HQ(Z) 编号：C43682943

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥18.86
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￥16.05
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￥14.38
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￥12.69

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型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

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￥20.57
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￥17.62
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￥15.78
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￥13.9

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型号：TLP2270(TP4,E 编号：C5943071

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2270由一个高输出红外LED和一个高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。它采用厚度最大为2.35 mm的薄型SO8L封装。

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￥20.89
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￥17.76
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￥15.89
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￥14.01
500+
￥13.14

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型号：TLP3109(TP,F 编号：C393897

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3109光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用2.54SOP6封装。

数据手册

1+
￥22.17
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￥19
30+
￥17.12
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￥15.36

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型号：CES388,L3XGF 编号：C7421313

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF(1) = 1μA（最大值）。小型紧凑的ES0封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

10+
￥0.2395
100+
￥0.2085
300+
￥0.193
1000+
￥0.1814
5000+
￥0.1721

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型号：CUS357,H3LCFCF 编号：C2847424

封装：USC

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF(1) = 1μA（最大值）。通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.27464 ￥0.6866
50+
￥0.16566 ￥0.5522
150+
￥0.097 ￥0.485
500+
￥0.08692 ￥0.4346
3000+
￥0.07886 ￥0.3943
6000+
￥0.07482 ￥0.3741

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型号：1SS396,LF 编号：C2762668

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

1SS396型硅外延肖特基势垒二极管，低压高速开关。

数据手册

10+
￥0.2936
100+
￥0.236
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￥0.2072
3000+
￥0.1856
6000+
￥0.1683

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型号：RN1302,LXGF 编号：C22385523

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.3295
100+
￥0.2575
300+
￥0.2215

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型号：RN2405,LF 编号：C7421324

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1401至RN1406互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.3397
100+
￥0.2647
300+
￥0.2273

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型号：TC7SZ17FU,LJ 编号：C5352780

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特缓冲器

数据手册

5+
￥0.3809
50+
￥0.3714
150+
￥0.3651
500+
￥0.3588

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型号：SSM3K56CT,L3F 编号：C5358559

封装：SOT-883

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON) = 480 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。RDS(ON) = 840 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.4013
50+
￥0.3533
150+
￥0.3293
500+
￥0.3113
2500+
￥0.2969
5000+
￥0.2897

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型号：RN1403(TE85L,F) 编号：C5381790

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2401至RN2406互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.4324
100+
￥0.346
300+
￥0.3028

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型号：1SS321,LF 编号：C2847901

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低正向电压：VF(2) = 0.42V（典型值）。低反向电流：IR = 500nA（最大值）。小封装：SC-59

数据手册

10+
￥0.4399
100+
￥0.3525
300+
￥0.3088
3000+
￥0.276

有货

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型号：TC7SZ08FU,LXGJ(CT 编号：C7421347

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

10+
￥0.4648
100+
￥0.3736
300+
￥0.328

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型号：1SS184(TE85L,F) 编号：C5366204

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.5028
100+
￥0.4214
300+
￥0.3807

有货

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型号：SSM3K35AMFV,L3F 编号：C150155

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,20V,0.25A,1.1Ω@4.5V

数据手册

5+
￥0.5371
50+
￥0.3535
150+
￥0.2616

有货

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型号：TC7SET126FU,LJ(CT 编号：C2675660

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器

数据手册

5+
￥0.539
50+
￥0.469
150+
￥0.434
500+
￥0.4078

有货

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型号：TC7PZ05FU,LJ(CT 编号：C5156526

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

双反相器（开漏）

数据手册

5+
￥0.5744
50+
￥0.4994
150+
￥0.4619
500+
￥0.4338

有货

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型号：DF5A6.8LF,LF 编号：C1976553

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

本产品仅用于静电放电（ESD）防护，不用于任何其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

数据手册

5+
￥0.6447
50+
￥0.5586
150+
￥0.5217
500+
￥0.4756

有货

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型号：TC7SH14FU,LJ 编号：C5221346

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

施密特反相器

数据手册

5+
￥0.6829
50+
￥0.5389
150+
￥0.4669
500+
￥0.4129

有货

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型号：TC7S32F(TE85L,F) 编号：C5331564

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpHL = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25°C时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNH = VNL = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ÷ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

数据手册

5+
￥0.7339
50+
￥0.5899
150+
￥0.5179
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