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符合条件商品：共5180件

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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

50V 100mA

型号：RN1106MFV,L3F 编号：C5349733

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.3989
100+
￥0.3125
300+
￥0.2693

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：CUS05S40.H3F 编号：C2762696

封装：USC

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(2) = 0.56V（典型值）（IF = 500mA）。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.4319
100+
￥0.3455
300+
￥0.3023

有货

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CMOS数字集成电路，硅单片双输入与门

型号：TC7SZ08FU,LXGJ(CT 编号：C7421347

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

10+
￥0.4648
100+
￥0.3736
300+
￥0.328

有货

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电压:40V 电流:100mA

型号：1SS388,L3F 编号：C22373371

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IR = 5μA（最大值）

5+
￥0.4853
50+
￥0.3797
150+
￥0.3269
500+
￥0.2873

有货

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15V

型号：1SV279(TPH3,F) 编号：C6423713

封装：1-1G1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于V/UHF频段无线电的VCO，具有高电容比和低串联电阻的特点，适用于小型调谐器。

5+
￥0.493
50+
￥0.3853
150+
￥0.3314
500+
￥0.291

有货

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单路反相器

型号：TC7SET04FU,LJ(CT 编号：C128635

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Tₒₚᵣ = -40 至 125℃。高速运行：tₚd = 5.0 ns（典型值）(VCC = 5.0V, CL = 15pF)。低功耗：ICC = 2.0μA（最大值）(Ta = 25℃)。与 TTL 输出兼容：VIL = 0.8V（最大值），VIH = 2.0V（最小值）。 5.5V 耐受输入。平衡传播延迟：tPLH = tPHL

数据手册

5+
￥0.568656 ￥1.7232
50+
￥0.501039 ￥1.5183
150+
￥0.472065 ￥1.4305
500+
￥0.435897 ￥1.3209
3000+
￥0.419793 ￥1.2721
6000+
￥0.410157 ￥1.2429

有货

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ESD 5V截止

型号：DF5A6.8JE,LM 编号：C1976558

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装四个器件，可减少零件数量和安装成本。

数据手册

5+
￥0.5863
50+
￥0.4685
150+
￥0.4096
500+
￥0.3654
2500+
￥0.3153

有货

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PNP 电流:500mA 电压:50V

型号：2SA1313-Y,LF 编号：C5184237

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的hPE线性度：在VCE = -6 V，IC = -400 mA时，hPE(μ) = 25（最小值）。高电压：VCEO = -50 V（最小值）。与2SC3325互补。小封装。应用：音频低功率放大器应用。驱动级放大器应用

5+
￥0.6041
50+
￥0.4841
150+
￥0.4241
500+
￥0.3791

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.9A

型号：SSM3J327R,LF 编号：C5358556

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5-V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)。RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)。RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)。RDS(ON) = 93 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.6341
50+
￥0.5017
150+
￥0.4354
500+
￥0.3857

有货

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10V 270mΩ 电容比3

型号：1SV305(TPH3,F) 编号：C2762669

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。高电容比：C₁V / C₄V = 3.0（典型值）。低串联电阻：rₛ = 0.27Ω（典型值）

数据手册

5+
￥0.6675
50+
￥0.5117
150+
￥0.4338
500+
￥0.3754

有货

立即购买

10V 280mΩ 电容比2

型号：1SV270(TPH3,F) 编号：C2762683

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C1V / C4V = 2.0（典型值）。低串联电阻：rs = 0.28Ω（典型值）。小封装

数据手册

5+
￥0.6872
50+
￥0.5405
150+
￥0.4672
500+
￥0.4123

有货

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高速双边开关

型号：TC7S66FU,LF 编号：C261924

封装：SC-74A

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS双边开关，采用硅栅C²MOS技术制造。它由一个高速开关组成，能够控制数字或模拟信号，同时保持C²MOS低功耗。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时，开关导通；当C输入为低电平时，开关关断。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥0.696
50+
￥0.5568
150+
￥0.4871
500+
￥0.4349

有货

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1个P沟道耐压:12V

型号：SSM6J216FE,LF(A 编号：C5362148

封装：ES6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 88.1mΩ（最大值，VGS = -1.5V）。 -RDS(ON) = 56.0mΩ（最大值，VGS = -1.8V）。 -RDS(ON) = 39.3mΩ（最大值，VGS = -2.5V）。 -RDS(ON) = 32.0mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.766843 ￥0.9959
50+
￥0.676291 ￥0.8783
150+
￥0.637483 ￥0.8279
500+
￥0.58905 ￥0.765
2500+
￥0.56749 ￥0.737
4000+
￥0.554554 ￥0.7202

有货

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光耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP291(GB-TP,SE 编号：C5255297

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

5+
￥0.8067
50+
￥0.6299
150+
￥0.5415

有货

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400mV@100nA

型号：2SK208-GR(TE85L,F) 编号：C2999170

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于通用和阻抗转换器以及电容式麦克风应用。

数据手册

5+
￥0.9276
50+
￥0.7298
150+
￥0.6308
500+
￥0.5567

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V

型号：SSM6L36FE,LM 编号：C7544186

封装：SOT-563

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 驱动。低导通电阻: -Q1 Nch: -Rₒₙ = 1.52Ω（最大值）(V_GS = 1.5V)。 -Rₒₙ = 1.14Ω（最大值）(V_GS = 1.8V)。应用：高速开关应用

单价：
￥1.151791 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SSM6K504NU.LF 编号：C2762699

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。应用：高速开关

数据手册

1+
￥0.9917 ￥2.11
10+
￥0.8789 ￥1.87
30+
￥0.8319 ￥1.77
100+
￥0.7708 ￥1.64
500+
￥0.7426 ￥1.58
1000+
￥0.7238 ￥1.54

有货

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二输入或门

型号：TC7S32F 编号：C6943

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S32是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS二输入或门。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。内部电路由两级组成，包含缓冲输出，具备高抗噪能力和稳定的输出

数据手册

5+
￥0.9956
50+
￥0.8041
150+
￥0.7083
500+
￥0.6365

有货

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四路2输入或非门

型号：74VHC02FT(BJ) 编号：C5331502

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或非门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或非门，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的三级组成，提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V电压，可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件

数据手册

5+
￥1.0523
50+
￥0.8178
150+
￥0.7173
500+
￥0.5919
2500+
￥0.536
5000+
￥0.5025

有货

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74HC238D CMOS 数字集成电路硅单片集成

型号：74HC238D(BJ) 编号：C5379113

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速CMOS 3-to-8译码器，具有低功耗和宽工作电压范围。

数据手册

5+
￥1.0634
50+
￥0.9374
150+
￥0.8834
500+
￥0.816

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.0715
50+
￥0.9124
150+
￥0.8442
500+
￥0.7592
3000+
￥0.7213
6000+
￥0.6985

有货

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CMOS数字集成电路三反相器

型号：TC7WH04FU,LJ(CT 编号：C5126593

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：td = 3.8ns（典型值），VCC = 5V，CL = 15pF。低功耗：ICC = 2μA（最大值），Ta = 25℃。高抗噪性：VNI_H = VNI_L = 28%VCC（最小值）。 5.5V 耐受输入。宽工作电压范围：VCC = 2 至 5.5V。引脚分配和功能与 TC7W04 相同

数据手册

5+
￥1.1333
50+
￥0.8813
150+
￥0.7733
500+
￥0.6386

有货

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光耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP291(BLL-TP,SE 编号：C5350396

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（-55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

5+
￥1.1797
50+
￥0.9168
150+
￥0.8042
500+
￥0.6636

有货

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光耦合器，红外发光二极管与光电晶体管

型号：TLP291(V4GRTP,SE 编号：C3008599

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。

数据手册

5+
￥1.185658 ￥1.3322
50+
￥0.926828 ￥1.1732
150+
￥0.762519 ￥1.1051
500+
￥0.703869 ￥1.0201
2500+
￥0.677787 ￥0.9823
5000+
￥0.662124 ￥0.9596

有货

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CMOS数字集成电路单片硅TC7S66F/FU双边开关

型号：TC7S66F,LF 编号：C6331367

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7S66F/FU是一款高速C2MOS双边开关，采用硅栅C2MOS技术制造。它能够控制数字或模拟信号，并保持低功耗。

5+
￥1.1898
50+
￥0.9227
150+
￥0.8083
500+
￥0.6655

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP185(V4GBTL,SE 编号：C2848500

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.26356 ￥3.1589
50+
￥1.09996 ￥2.7499
150+
￥1.02984 ￥2.5746
500+
￥0.94236 ￥2.3559
3000+
￥0.9034 ￥2.2585
6000+
￥0.88 ￥2.2

有货

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1.5V@100nA

型号：2SK209-BL(TE85L,F) 编号：C17194931

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高正向传输导纳：|Yfs| = 15 mS（典型值），VDS = 10 V，VGS = 0。高击穿电压：VGD_S =-30 V。低噪声：NF = 1.0 dB（典型值），VDS = 10 V，ID = 0.5 mA，f = 1 kHz，RG = 1 kΩ。高输入阻抗：IGSS =-1 nA（最大值），VGS =-30 V。小封装。应用：音频频率低噪声放大器应用

5+
￥1.2771
50+
￥1.1089
150+
￥1.0367
500+
￥0.9467

有货

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停产 DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP781(GR-TP6,F) 编号：C58371

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP781由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

数据手册

5+
￥1.3568
50+
￥1.0544
150+
￥0.9248
500+
￥0.7632
2000+
￥0.6912

有货

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CMOS数字集成电路，8位移位寄存器（串行输入，并行输出）

型号：74HC164D(BJ) 编号：C7421253

封装：SOIC14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8-位移位寄存器（串行输入，并行输出）。是高速CMOS 8位串行输入并行输出移位寄存器，采用硅栅C2MOS技术制造。能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS低功耗。由一个带CK输入和优先CLR输入的串行输入、并行输出8位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A，B），以便其中一个可用作数据使能。所有输入均配备有防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.4047
50+
￥1.2367
150+
￥1.1647
500+
￥1.0748

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：SSM6J422TU,LF 编号：C5930517

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 1.5-V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 99.6 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)；RDS(ON) = 67.8 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)；RDS(ON) = 51.4 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)；RDS(ON) = 42.7 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.4299
50+
￥1.1378
150+
￥1.0127
500+
￥0.8565
3000+
￥0.787

有货

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