东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC7WZ74FK,LXGJ(CT 编号：C22385173

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

带预置和清零功能的D型触发器。

5+
￥1.5086
50+
￥1.1709
150+
￥1.0262
500+
￥0.8456

有货

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型号：2SC5810(TE12L,ZF) 编号：C7421249

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE 在 400 至 1000 之间（IC = 0.1A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.17V（最大值）。高速开关：tf = 85 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

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￥1.5831
50+
￥1.2303
150+
￥1.0791

有货

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型号：TC7W14FU(TE12L,F) 编号：C7421349

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速C²MOS施密特触发器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6135
50+
￥1.2858
150+
￥1.1454
500+
￥0.9702

有货

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型号：SSM6N58NU,LF 编号：C262142

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)（@VGS = 4.5V）；RDS(ON) = 117mΩ (最大值)（@VGS = 2.5V）；RDS(ON) = 180mΩ (最大值)（@VGS = 1.8V）。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

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￥1.764
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￥1.3709
150+
￥1.2024
500+
￥0.9922
3000+
￥0.8986
6000+
￥0.8424

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型号：TLP293(GRL-TPL,E 编号：C5156046

封装：SOIC-4-4.55mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是低输入和高隔离型光耦合器，由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

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￥1.79
10+
￥1.55
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￥1.44
100+
￥1.31
500+
￥1.25
1000+
￥1.22

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型号：TAR5S50TE85LF 编号：C146354

封装：SSOP-5-1.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TAR5Sxx 系列由通用双极型单电源器件组成，这些器件包含一个控制引脚，可用于开启/关闭器件。器件的输出电路内置了过温保护和过流保护电路。

数据手册

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￥1.915636 ￥2.1524
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￥1.511932 ￥1.6988
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￥1.338916 ￥1.5044
500+
￥1.123091 ￥1.2619
3000+
￥1.026971 ￥1.1539
6000+
￥0.96921 ￥1.089

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型号：TLP185(GRL-TL,SE 编号：C2848499

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

5+
￥1.9292
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￥1.5095
150+
￥1.3296
500+
￥1.0552

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型号：TLP2301(V4-TPL,E) 编号：C3003191

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥1.965 ￥6.55
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￥1.19 ￥5.95
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￥0.562 ￥5.62
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￥0.525 ￥5.25
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￥0.508 ￥5.08
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￥0.501 ￥5.01

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型号：TLP184(TPL,SE 编号：C3008590

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

数据手册

5+
￥2.27
50+
￥1.76
150+
￥1.55
500+
￥1.28

有货

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型号：TK13A65D(STA4,X,M) 编号：C471284

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥2.3598 ￥5.13
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￥1.6812 ￥4.67
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￥1.1466 ￥4.41
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￥1.0712 ￥4.12
500+
￥1.04 ￥4
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￥1.0244 ￥3.94

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型号：TLP185(GB-TPR,SE 编号：C75766

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPL,SE(T包装方式不一样，其他性能一致，详细区别请查阅链接：http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=4pin%20SO6&lang=zh_cn

数据手册

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￥2.36
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￥1.84
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￥1.61
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￥1.33
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￥1.21
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￥1.13

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型号：TK11S10N1L,LQ 编号：C5340739

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

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￥2.37
10+
￥2.09
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￥1.95
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￥1.81
500+
￥1.73

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型号：TK8P25DA,RQ(S 编号：C2929220

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥2.652 ￥6.63
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￥2.412 ￥6.03
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￥2.28 ￥5.7
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￥2.128 ￥5.32
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￥2.064 ￥5.16
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￥2.032 ￥5.08

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型号：TLP184(V4BLTL,SE 编号：C25715919

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE是AC输入型光电耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于TLP184(SE比DIP封装小，适用于混合IC等高密度表面贴装应用。

1+
￥2.68
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￥2.39
30+
￥2.25
100+
￥2.1
500+
￥2.02
1000+
￥1.97

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型号：TK58E06N1,S1X 编号：C7362295

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

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￥2.94
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￥2.6
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￥2.42
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￥2.25
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￥2.15
1000+
￥2.1

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C85066

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1Mbit高速光耦，支持5V和3.3V供电

数据手册

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￥3.05
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￥2.36
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￥2.02
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￥1.72
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￥1.57
1000+
￥1.52

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

数据手册

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￥3.43
10+
￥3.02
30+
￥2.81
100+
￥2.61

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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

1+
￥4.12
10+
￥3.29
30+
￥2.88

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型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

1+
￥4.29
10+
￥3.79
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￥3.53
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￥3.28
500+
￥3.13

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型号：TK5A80E,S4X(S 编号：C5370564

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9Ω（典型值）。低泄漏电流：IRS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.3
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￥3.83
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￥3.6
100+
￥3.37
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￥3.23
1000+
￥3.15

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型号：2SK2145-GR(TE85L,F 编号：C5367351

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

1+
￥4.49
10+
￥3.59
30+
￥3.14
100+
￥2.69
500+
￥2.42

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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4
100+
￥2.97

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型号：TLP5752(TP,E 编号：C2840186

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5752由一个红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用6引脚SO6L封装。与8引脚DIP封装相比，TLP5752尺寸缩小了50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥4.78
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￥3.82
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￥3.34
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￥2.86
500+
￥2.57

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型号：74HC245D 编号：C2675537

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC245D 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 八进制总线收发器。它们能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。这些器件用于数据总线之间的双向异步通信

数据手册

1+
￥4.9
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￥3.92
30+
￥3.42
100+
￥2.94

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型号：TLP2363(V4-TPL,E 编号：C5370586

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2363由高输出发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度下以及2.7至5.5V的电源下工作。它采用SO6封装。

数据手册

1+
￥4.92
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￥4.37
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￥4.07
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￥3.73
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￥3.57
1000+
￥3.5

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型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥3.91
30+
￥3.39
100+
￥2.88
500+
￥2.58

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型号：TLP2345(V4-TPL,E 编号：C38084587

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用 SO6 封装。可在 4.5V 至 30V 电源电压下工作，最高工作温度为 110℃。具有 3mA 低电源电流和 1.6mA 低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微电脑直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±30kV/μs，有缓冲输出，也有反相器输出版本。