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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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适用于超高速开关应用,小封装,正向电流和正向电压特性出色,反向恢复时间快,总电容小。
数据手册
  • 10+

    ¥0.441
  • 100+

    ¥0.3508
  • 300+

    ¥0.3057
  • 有货
  • 特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V),RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)
    • 10+

      ¥0.4559
    • 100+

      ¥0.3647
    • 300+

      ¥0.3191
    • 1000+

      ¥0.2849
    • 5000+

      ¥0.2575
    • 8000+

      ¥0.2439
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 采用US6封装(6引脚超小型),包含两个器件。 集成偏置电阻,减少所需外部部件数量,可减小系统尺寸和组装时间。应用:开关。 逆变器电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4653
    • 100+

      ¥0.3693
    • 300+

      ¥0.3213
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -120V。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 高hFE:hFE = 200至700。 低噪声:NF = 1dB (典型值),10dB (最大值)。 与2SC2713互补。应用:音频通用放大器应用
    • 5+

      ¥0.4654
    • 50+

      ¥0.3646
    • 150+

      ¥0.3142
    • 500+

      ¥0.2764
  • 有货
  • 特性:小封装。 小总电容:CT = 1.2 pF(最大值)。 低串联电阻:rs = 0.6 Ω(典型值)。应用:VHF调谐器频段切换应用
    • 10+

      ¥0.4799
    • 100+

      ¥0.3839
    • 300+

      ¥0.3359
    • 1000+

      ¥0.2999
  • 有货
  • 特性:高输出电流:±24mA (min) at VCC = 3V。 超高速运行:Ind = 3.7ns (typ.) at VCC = 5V, 50pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 to 5.5V。 5.5V 耐受输入。 5.5V 掉电保护输出
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5549
    • 50+

      ¥0.4349
    • 150+

      ¥0.3749
    • 500+

      ¥0.3299
  • 有货
  • 施密特缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5951
    • 50+

      ¥0.4703
    • 150+

      ¥0.4079
    • 500+

      ¥0.3611
    • 2500+

      ¥0.3237
  • 有货
  • 2-输入与门
    • 5+

      ¥0.6119
    • 50+

      ¥0.5419
    • 150+

      ¥0.5069
    • 500+

      ¥0.4807
  • 有货
  • TC7S14是采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时,能实现与等效LSTTL类似的高速运行。
    • 5+

      ¥0.6475
    • 50+

      ¥0.5131
    • 150+

      ¥0.4459
    • 500+

      ¥0.3955
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpHL = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25°C时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ÷ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    • 5+

      ¥0.6488
    • 50+

      ¥0.5627
    • 150+

      ¥0.5258
    • 500+

      ¥0.4797
  • 有货
  • 特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用:负载开关。 超高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5089
    • 150+

      ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.3829
    • 3000+

      ¥0.3397
    • 6000+

      ¥0.318
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±8.0mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 3.3V、CL = 15pF 时,tpd = 2.5ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 0.9 至 3.6V。 3.6V 耐受输入。 3.6V 掉电保护输出
    • 5+

      ¥0.6558
    • 50+

      ¥0.5676
    • 150+

      ¥0.5298
    • 500+

      ¥0.4827
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.6589
    • 50+

      ¥0.5149
    • 150+

      ¥0.4429
    • 500+

      ¥0.3889
  • 有货
  • 特性:高速。 低功耗。 高抗噪性。 输出驱动能力。 对称输出阻抗:|IOH| = |IO| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    • 5+

      ¥0.9165
    • 50+

      ¥0.7149
    • 150+

      ¥0.6285
    • 500+

      ¥0.5207
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0285
    • 50+

      ¥0.892
    • 150+

      ¥0.8335
    • 500+

      ¥0.7605
    • 3000+

      ¥0.728
    • 6000+

      ¥0.7085
  • 有货
  • 四2输入或门 74VHCT32AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。
    • 5+

      ¥1.0535
    • 50+

      ¥0.9275
    • 150+

      ¥0.8735
    • 500+

      ¥0.8061
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 施密特触发器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。引脚配置和功能与 TC7SU04F 相同,但输入具有 25% VCC 的滞后特性,凭借其施密特触发功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路,输出电流是 TC74HC 系列型号的 1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0596
    • 50+

      ¥0.9336
    • 150+

      ¥0.8796
    • 500+

      ¥0.8122
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购的零件编号列表)。 4.0V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 71mΩ(最大值)(@VGS =-10V);RDS(ON) = 105mΩ(最大值)(@VGS =-4.5V);RDS(ON) = 136mΩ(最大值)(@VGS =-4.0V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.099
    • 50+

      ¥0.8725
    • 150+

      ¥0.7754
    • 500+

      ¥0.6543
  • 有货
  • 特性:高速:fMAX = 170 MHz(典型值),VCC = 5V。低功耗:ICC = 2 μA(最大值),TA = 25℃。高抗噪性:VNI N = VNHL = 28%VCC(最小值)。5.5V 耐受输入。平衡传播延迟:tLH ≃ tPHL。宽工作电压范围:VCC = 2 至 5.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1284
    • 50+

      ¥0.8769
    • 150+

      ¥0.7692
    • 500+

      ¥0.6347
  • 有货
  • 带预置和清除的D型触发器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1408
    • 50+

      ¥0.8888
    • 150+

      ¥0.7808
    • 500+

      ¥0.6461
  • 有货
  • 特性:重复峰值反向电压:VRRM = 600 V。 平均正向电流:IF(AV) = 1.0 A。 峰值正向电压:VFM = 1.1 V(max)。 使用小型、薄型表面贴装封装,是高密度安装的最佳方式
    • 5+

      ¥1.2224
    • 50+

      ¥0.9705
    • 150+

      ¥0.8625
    • 500+

      ¥0.7277
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125℃)。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2775
    • 50+

      ¥0.9952
    • 150+

      ¥0.8743
    • 500+

      ¥0.7233
    • 3000+

      ¥0.6561
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值) (VGS = 3.3V, ID = 0.5A);RDS(ON) = 330 mΩ(典型值) (VGS = 4.0V, ID = 1.0A);RDS(ON) = 230 mΩ(典型值) (VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用:负载开关。 电机驱动器
    • 5+

      ¥1.2945
    • 50+

      ¥1.1194
    • 150+

      ¥1.0443
    • 500+

      ¥0.9507
  • 有货
  • 8位带输出寄存器的移位寄存器。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位带输出寄存器的移位寄存器,能实现类似于等效LSTTL的高速操作,同时保持CMOS的低功耗。包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立,因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且在移位寄存器和存储寄存器上都提供了直接覆盖清除(SCLR和RCLR)功能。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.3806
    • 50+

      ¥1.1927
    • 150+

      ¥1.1121
    • 500+

      ¥1.0116
  • 有货
  • 六反相器74VHCT04AFT 是一种采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速操作。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3 V 到 5 V 系统之间的电平转换器。输入保护和输出电路确保可以在输入和输出(注释)引脚上施加 0 至 5.5 V 的电压,而不考虑电源电压。这种结构可以防止由于电源和输入/输出电压不匹配(例如电池备份、热插拔等)导致的器件损坏。注:VCC=0 V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4022
    • 50+

      ¥1.0897
    • 150+

      ¥0.9558
    • 500+

      ¥0.7887
    • 2500+

      ¥0.7143
    • 5000+

      ¥0.6696
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器,反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时,终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加0至5.5V的电压,该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统(如电池备用)的接口,此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5222
    • 50+

      ¥1.1946
    • 150+

      ¥1.0542
    • 500+

      ¥0.84
  • 有货
  • 是高速C²MOS施密特触发器,采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持C²MOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。引脚配置和功能与TC7WU04相同,但输入具有25% VCC的滞后特性,凭借其施密特触发功能,可作为接收慢速输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.5871
    • 50+

      ¥1.2343
    • 150+

      ¥1.0831
    • 500+

      ¥0.8945
  • 有货
  • 74VHC9541FT是一款采用硅栅CMOS技术制造的超高速八进制施密特缓冲器。74VHC9541FT将CMOS的低功耗特性与肖特基TTL的速度相结合。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.03
    • 10+

      ¥1.75
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.49
    • 500+

      ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.38
  • 有货
  • 双四通道模拟多路复用器/解复用器,低电压驱动,适用于3 V和5 V系统。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1093
    • 50+

      ¥1.6809
    • 150+

      ¥1.4973
    • 500+

      ¥1.2683
    • 2500+

      ¥1.1663
    • 5000+

      ¥1.105
  • 有货
  • 特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ(最大值,VGS = -2.5V),RDS(ON) = 10mΩ(最大值,VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2714
    • 50+

      ¥1.7676
    • 150+

      ¥1.5517
    • 500+

      ¥1.2823
    • 3000+

      ¥1.1624
  • 有货
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