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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP383(D4GL-TL,E 编号：C22454475

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

1+
￥2.68
10+
￥2.38
30+
￥2.24
100+
￥2.08
500+
￥2.01
1000+
￥1.96

有货

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CMOS四路总线缓冲器

型号：74VHCT126AFT 编号：C8158

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHCT125A/126A是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极性肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。TC74VHCT125A需要将三态控制输入$\overline{{\mathbf{G}}}$置为高电平，以使输出进入高阻态；而TC74VHCT126A则需要将控制输入G置为低电平，以使输出进入高阻态

数据手册

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￥3.108 ￥7.4
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￥2.1504 ￥6.72
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￥1.397 ￥6.35
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￥1.3046 ￥5.93
500+
￥1.265 ￥5.75
1000+
￥1.2452 ￥5.66

有货

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N沟道MOS（π-MOSIX）

型号：TK750A60F,S4X(S 编号：C396043

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：易于控制栅极开关。低漏源导通电阻：RD(ON) = 0.62Ω（典型值）。增强模式：VHA = 2 至 4V（VDS = 10V，ID = 1mA）。应用：开关电源

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￥3.26
10+
￥2.61
50+
￥2.28
100+
￥1.96
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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CMOS数字集成电路模拟多路复用器/解复用器

型号：74HC4051D 编号：C2673644

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效LSTTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。具有8通道配置和4通道×2配置。控制端子的数字信号可开启每个通道的相应开关，大振幅信号(VCC·VEE)可由小逻辑振幅(VCC·GND)控制信号切换。例如，在VCC = 5 V，GND = 0 V，VEE = -5 V的情况下，-5 V至+5 V之间的信号可以通过5 V单电源的逻辑电路进行切换。由于每个开关的导通电阻较低，它们可以连接到低输入阻抗的电路。

数据手册

1+
￥3.28
10+
￥2.56
30+
￥2.25
100+
￥1.86
500+
￥1.69
1000+
￥1.59

有货

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NPN 电流:1.5A 电压:160V

型号：TTC004B,Q 编号：C150167

封装：TO-126

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = 160V（最小值）。与TTA004B互补。小集电极输出电容：Cob = 12pF（典型值）。高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。应用：音频放大器

数据手册

1+
￥3.94
10+
￥3.15
30+
￥2.75
250+
￥2.36
500+
￥2.13

有货

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TK5P60W,RVQ(S

型号：TK5P60W,RVQ(S 编号：C4153800

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥3.98
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￥3.23
30+
￥2.86
100+
￥2.48
500+
￥2.26

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP268J(V4-TPL,E 编号：C26805125

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥4.18
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￥3.73
30+
￥3.51
100+
￥3.28
500+
￥3.15
1000+
￥3.08

有货

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TLP267J(TPR,E

型号：TLP267J(TPR,E 编号：C7361661

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥4.32
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￥3.45
30+
￥3.02
100+
￥2.59
500+
￥2.34
1000+
￥2.2

有货

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1个N沟道耐压:650V

型号：TK560A65Y,S4X(S 编号：C5361063

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.43Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VHA = 3至4V（VDS = 10V，ID = 0.24mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.37
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￥3.91
50+
￥3.68
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￥2.6565 ￥3.45
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￥2.5564 ￥3.32
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￥2.5025 ￥3.25

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

数据手册

1+
￥4.7
10+
￥3.75
30+
￥3.28
100+
￥2.81
500+
￥2.52
1500+
￥2.38

有货

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双4输入与非门

型号：TC74HC20AF-ELF 编号：C7360597

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC20A 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 四输入与非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时，能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行

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￥4.76
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￥4.31
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￥4.07
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￥3.79
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￥3.66

有货

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8通道源型DMos晶体管阵列

型号：TBD62783AFNG,EL 编号：C2653777

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

数据手册

1+
￥4.86
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￥3.91
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￥3.44
100+
￥2.97
500+
￥2.68
1000+
￥2.54

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP3073(TP1,F 编号：C2693197

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成，采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥5.97
10+
￥4.89
30+
￥4.35
100+
￥3.82
500+
￥3.5
1500+
￥3.33

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP352(F) 编号：C73968

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

场效应管驱动光耦

数据手册

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￥6.7
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￥5.49
50+
￥4.82
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￥4.07
500+
￥3.73
1000+
￥3.58

有货

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光电耦合器，GaAs红外发射二极管 + 光电集成电路

型号：TLP700(TP,F) 编号：C43687210

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

1+
￥7.11
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￥6.48
30+
￥6.09
100+
￥5.69
500+
￥5.51

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

数据手册

1+
￥7.13
10+
￥5.97
30+
￥5.34
100+
￥4.63
500+
￥4.31
1500+
￥4.16

有货

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光耦合器，红外LED与光控双向可控硅

型号：TLP3052A(TP1,F 编号：C7068807

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥7.28
10+
￥6.02
30+
￥5.32
100+
￥4.54
500+
￥4.19

有货

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1个N沟道耐压:200V

型号：TK25A20D,S5X 编号：C2990812

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.11
10+
￥6.67
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￥5.88
100+
￥4.98

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11.5A

型号：TK290P65Y,RQ 编号：C146274

封装：TO-252(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VtA = 3至4V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.1844 ￥10.36
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￥6.5895 ￥9.55
30+
￥5.3336 ￥9.04
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￥5.0268 ￥8.52
500+
￥4.8852 ￥8.28
1000+
￥4.8262 ￥8.18

有货

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TK100E10NE,S1Q(S

型号：TK100E10NE,S1Q(S 编号：C396034

封装：TO-220AB

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥8.75
10+
￥7.31
50+
￥6.28
100+
￥5.38
500+
￥4.99
1000+
￥4.81

有货

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TLP700F(ABB-TP,F)

型号：TLP700F(ABB-TP,F) 编号：C50214854

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.02
10+
￥7.4
30+
￥6.51
100+
￥5.5
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￥5.06

有货

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TK160F10N1L,LXGQ(O

型号：TK160F10N1L,LXGQ 编号：C7470887

封装：DIP

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥9.23
10+
￥8.41
30+
￥7.9
100+
￥7.37

有货

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光耦合器，红外 LED 与光电二极管

型号：TLP3905(V4-TPL,E 编号：C23067473

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由红外LED与光电二极管阵列光耦合组成。光电二极管串联，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥9.25
10+
￥7.6
30+
￥6.69
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￥5.66
500+
￥5.2
1000+
￥5

有货

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PNP 电流:15A 电压:230V

型号：2SA1943N(S1,E,S) 编号：C6802831

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = -230 V (min)。与2SC5200N互补。推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用：功率放大器

1+
￥10
10+
￥8.46
25+
￥7.5
100+
￥6.51
500+
￥6.07
1000+
￥5.87

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥10.69
10+
￥8.89
30+
￥7.9
100+
￥6.56
500+
￥6.06
1500+
￥5.84

有货

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TLP590B(C,F)

型号：TLP590B(C,F) 编号：C6718105

封装：DIP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥13.36
10+
￥11.25
50+
￥9.93
100+
￥8.58
500+
￥7.97
1000+
￥7.7

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:30.8A

型号：TK31A60W,S4VX 编号：C5155293

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1.5mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥13.61
10+
￥12.45
50+
￥11.18
100+
￥10.44
500+
￥10.1

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:25A

型号：TK25A60X,S5X(M 编号：C25715837

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)= 0.105Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。具有较低电容的高速开关特性。增强模式：Vth = 2.5 至 3.5V，VDS = 10V，ID = 1.2mA。应用：开关稳压器

1+
￥16.84
10+
￥14.43
50+
￥12.92
100+
￥11.37
500+
￥10.68
1000+
￥10.37

有货

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小型扁平光继电器

型号：TLP197G(TP,F) 编号：C5985834

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

迷你扁平光继电器TLP197G是一种小型表面贴装光继电器，适用于表面贴装组装。TLP197G由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET在六引脚2.1毫米高度的封装中光学耦合而成，这使其能够应用于卡片调制解调器。它是一个双向开关，可以替代传真机和调制解调器等设备中的机械继电器。 SOP 6引脚(2.54SOP6): 1-形式-A 最大关断状态电压: 350 V (最小) 触发LED电流: 3 mA (最大) 导通状态电流: 120 mA (最大) (A连接) 导通状态电阻: 35 Ω (最大) 绝缘电压: 1500 Vrms (最小) UL认证: UL 1577, 文件号E67349 cUL认证: CSA组件接受服务编号5A, 文件号E67349重量: 0.13g (典型值)

1+
￥23.65
10+
￥22.5
30+
￥21.79
100+
￥21.2

有货

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东芝 TC358775XBG(EL1) CMOS 数字集成电路硅单片机移动外围设备

型号：TC358775XBG(EL1) 编号：C5333771

封装：BGA-64

品牌：TOSHIBA(东芝)

该芯片的主要功能是DSI-to-LVDS桥接，支持高达1600x1200 24位/像素分辨率的单链路LVDS和高达WUXGA (1920x1200 24位/像素)分辨率的双链路LVDS。

数据手册

1+
￥37.92
10+
￥36.17
30+
￥35.1
100+
￥32.39

有货

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