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价格(含税)

库存

操作

hfe=350~1200 NPN 电流:300mA 电压:20V

型号：2SC3326-B,LF 编号：C27829

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。高反向hFE。反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用

数据手册

5+
￥0.5873
50+
￥0.4601
150+
￥0.3965
500+
￥0.3488

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.4A

型号：SSM3J56ACT,L3F 编号：C146297

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.61028 ￥0.836
50+
￥0.538229 ￥0.7373
150+
￥0.50735 ￥0.695
500+
￥0.468806 ￥0.6422
2500+
￥0.451651 ￥0.6187
5000+
￥0.441358 ￥0.6046

有货

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双极晶体管硅PNP/NPN外延型（内置偏置电阻）

型号：RN4903,LF(CT 编号：C7421326

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。采用US6封装（超小型6引脚），包含两个器件。集成偏置电阻，减少所需外部部件数量，可减小系统尺寸和组装时间。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.6149
50+
￥0.4805
150+
￥0.4133
500+
￥0.3629

有货

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PNP 50V 100mA

型号：RN2903,LXGF 编号：C23066030

封装：US6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。小封装（双类型）。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1901至RN1906互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.629
50+
￥0.545
150+
￥0.509
500+
￥0.464

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：SSM3J331R,LF 编号：C3008600

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 150 mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 100 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 75 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 55 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.6616
50+
￥0.5721
150+
￥0.5337
500+
￥0.427592 ￥0.4859
3000+
￥0.408848 ￥0.4646
6000+
￥0.397584 ￥0.4518

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：HN1C01FU-GR,LF 编号：C17458125

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装（双类型）。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。高hFE：hFE = 120至400。出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA） = 0.95（典型值）。应用：低频放大器

5+
￥0.6718
50+
￥0.5374
150+
￥0.4702
500+
￥0.4198

有货

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CMOS数字集成电路，四路2输入与非门

型号：74VHC00FT(BJ) 编号：C2762687

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC00FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与非门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。

数据手册

5+
￥0.7722
50+
￥0.6042
150+
￥0.5202
500+
￥0.4572

有货

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CMOS数字集成电路，四路2输入与门

型号：74VHC08FT(BJ) 编号：C5379816

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四 2 输入与门。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入与门。在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行。内部电路由包括缓冲输出的 4 级组成，具有高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及电池备份等双电源系统的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

5+
￥0.8562
50+
￥0.6882
150+
￥0.6042
500+
￥0.5412

有货

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双路二输入与门

型号：TC7WZ08FU,LJ(CT 编号：C6916293

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

5+
￥0.913
50+
￥0.7918
150+
￥0.7399
500+
￥0.6751

有货

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2SA1362-GR,LF(T

型号：2SA1362-GR,LF 编号：C258011

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。

数据手册

5+
￥0.9384
50+
￥0.7332
150+
￥0.6453
500+
￥0.5355

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:50V

型号：2SC5692(TE85L,F) 编号：C194834

封装：2-3S1C

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hPE = 400 至 1000（IC = 0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.14 V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.0267
50+
￥0.8896
150+
￥0.8308
500+
￥0.7575

有货

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TC4069UBFT(EL,N)

型号：TC4069UBFT(EL,N) 编号：C5348957

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成，因此除用作反相器外，它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。

数据手册

5+
￥1.0774
50+
￥0.945
150+
￥0.8883
500+
￥0.8175

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:9A

型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1319
50+
￥0.8787
150+
￥0.7702
500+
￥0.6348

有货

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用于高速开关和DC-DC转换器应用的硅NPN外延型晶体管

型号：2SC6135,LF 编号：C5382755

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：HF = 400 至 1000 (Ic = 0.1A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.17V (最大值)。高速开关：tf = 85 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.2244
50+
￥1.0609
150+
￥0.9908
500+
￥0.9034

有货

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三路施密特触发反相器

型号：TC7WH14FU,LJ(CT 编号：C150165

封装：MSOP-8-2.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WH14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SH14相同，但输入具有迟滞特性

数据手册

5+
￥1.2818
50+
￥0.9697
150+
￥0.8359
500+
￥0.669

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2A

型号：SSM6J402TU,LF 编号：C5930513

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 225 mΩ（最大值）(@VGS = -4V)；RDS(ON) = 117 mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。应用：DC-DC转换器。高速开关

5+
￥1.2986
50+
￥1.1243
150+
￥1.0496
500+
￥0.9564

有货

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1SS250(TE85L,F)

型号：1SS250(TE85L,F) 编号：C5364336

封装：SOT-23-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.369
50+
￥1.0666
150+
￥0.937
500+
￥0.7753

有货

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低压六施密特反相器

型号：74LCX14FT(AE) 编号：C7421263

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压六施密特反相器，具有 5V 容限输入和输出。适用于 3.3V 系统，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但也可用于与 5V 电源环境的输入接口。引脚配置和功能与 74LCX04FT 相同，但输入具有滞后特性，带有施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.4047
50+
￥1.2367
150+
￥1.1647
500+
￥1.0748

有货

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六路反相器

型号：TC4069UBF(EL,N,F) 编号：C2897656

封装：SOIC-14-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4069UB六反相器 TC4069UB包含六个反相器电路。由于内部电路由单级反相器组成，因此除用作反相器外，它还适用于CR振荡器电路、晶体振荡器电路和线性放大器等应用。

数据手册

5+
￥1.4509
50+
￥1.2746
150+
￥1.199
500+
￥1.1047

有货

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16V 100nA@14V

型号：CUHZ16V,H3F 编号：C7236804

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

5+
￥1.4613
50+
￥1.1357
150+
￥0.9962
500+
￥0.8221
3000+
￥0.7445

有货

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光电耦合器，红外LED与光电晶体管

型号：TLP183(YH-TPL,E 编号：C5370587

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种低输入型光电晶体管耦合器，由一个光电晶体管与一个红外发光二极管光耦合组成，采用 SO6 封装。保证高隔离电压（3750Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55 至 125℃），比 DIP 封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥1.93
10+
￥1.67
30+
￥1.56
100+
￥1.42
500+
￥1.36
1000+
￥1.32

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:200mA

型号：2SJ168TE85LF 编号：C3279667

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 100 mS（最小值），aID =-50 mA。低导通电阻：RDS(ON) = 1.3 Ω（典型值），aID =-50 mA。增强模式。与2SK1062互补。应用：高速开关应用。模拟开关应用

1+
￥1.95
10+
￥1.72
30+
￥1.62
100+
￥1.5
500+
￥1.45
1000+
￥1.41

有货

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3.3V 150mA 15V

型号：TAR5S33(TE85L,F) 编号：C5331533

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

由通用双极单电源器件组成，包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。输出电路内置过温、过流保护电路。

数据手册

5+
￥2.0234
50+
￥1.5698
150+
￥1.3754
500+
￥1.1329

有货

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74VHC4053AFT 三通道双选模拟多路复用器/解复用器

型号：74VHC4053AFT 编号：C2673469

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC4053AFT 是一个高速、低电压驱动的模拟多路复用器/解复用器，使用硅栅CMOS技术。在3V和5V系统中可以实现高速操作并具有低功耗特性。

数据手册

5+
￥2.025
50+
￥1.5677
150+
￥1.3717
500+
￥1.1271
2500+
￥1.0182

有货

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1个N沟道耐压:100V

型号：TK11S10N1L,LQ 编号：C5360501

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：汽车。电机驱动器

数据手册

1+
￥2.1372 ￥2.74
10+
￥1.911 ￥2.45
30+
￥1.8018 ￥2.31
100+
￥1.6926 ￥2.17
500+
￥1.6224 ￥2.08
1000+
￥1.5912 ￥2.04

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：TLP265J(T7-TPL,E 编号：C3008591

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP265J 由一个非零交叉光三端双向可控硅开关元件组成，并通过光耦合器连接到一个红外 LED。TLP265J 采用SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0 毫米，电气间隙最小为 5.0 毫米，绝缘厚度最小为 0.4 毫米。

数据手册

1+
￥2.8911 ￥4.19
10+
￥2.2066 ￥3.74
30+
￥1.7248 ￥3.52
100+
￥1.617 ￥3.3
500+
￥1.5533 ￥3.17
1000+
￥1.519 ￥3.1

有货

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高速CMOS八进制总线收发器

型号：TC74AC245FT(EL) 编号：C5331544

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是先进的高速CMOS八进制总线收发器，采用硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信，数据传输方向由DIR输入电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用设备，使总线有效隔离。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.99
30+
￥2.81
100+
￥2.63
500+
￥2.52
1000+
￥2.47

有货

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3.21V~3.39V 200mA 15V

型号：TAR5S33(TE85L.F) 编号：C2762700

封装：SSOP-5-1.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由通用双极单电源设备组成，包含一个可用于开启/关闭的控制引脚。过温保护和过流保护电路内置在设备的输出电路中。

数据手册

1+
￥3.54
10+
￥2.81
30+
￥2.5
100+
￥2.11
500+
￥1.93
1000+
￥1.83

有货

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TC74HCT7007AF-ELF

型号：TC74HCT7007AF-ELF 编号：C7066969

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HCT7007A 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 缓冲器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行。该器件可用作电平转换器，用于 TTL 或 NMOS 与高速 CMOS 的接口连接

1+
￥3.81
10+
￥3.36
30+
￥3.13
100+
￥2.91
500+
￥2.77
1000+
￥2.7

有货

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CMOS数字集成电路四2输入与非门

型号：TC4011BFT(EL,N) 编号：C22452593

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是2输入正逻辑与非门。由于这些门的所有输出均设有反相器作为缓冲器，因此改善了输入/输出特性，并将因负载电容增加而导致的传播延迟时间变化降至最低。

1+
￥3.85
10+
￥3.07
30+
￥2.68
100+
￥2.3
500+
￥2.07
1000+
￥1.95

有货

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