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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
  • 1+

    ¥2.36
  • 10+

    ¥2.08
  • 50+

    ¥1.94
  • 100+

    ¥1.8
  • 500+

    ¥1.72
  • 1000+

    ¥1.68
  • 有货
  • TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道,而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4808
    • 50+

      ¥1.9516
    • 200+

      ¥1.5736
    • 500+

      ¥1.2907
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.87
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.13
    • 175+

      ¥1.57
    • 525+

      ¥1.42
    • 1050+

      ¥1.34
  • 有货
  • TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 125 °C)。集电极 - 发射极间的击穿电压(VCEO)高达350 V,TLP388适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.57
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      ¥2.38
    • 500+

      ¥2.27
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.83
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 特性:小型、薄型封装。 高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 9.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 11.3 mΩ(典型值) (V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值) (V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.9
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.16
    • 500+

      ¥1.95
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:VCEO = 160V(最小值)。 与TTA004B互补。 小集电极输出电容:Cob = 12pF(典型值)。 高过渡频率:fT = 100MHz(典型值)。应用:音频放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.7
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.58
    • 250+

      ¥2.21
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      ¥1.99
  • 有货
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥2.8
    • 30+

      ¥2.36
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      ¥1.82
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      ¥1.58
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      ¥1.43
  • 有货
    • 1+

      ¥3.98
    • 10+

      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.48
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      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.15
  • 有货
  • 适用于表面贴装组件的小型扁平耦合器,由红外LED和集成的高增益、高速光电探测器组成。采用6引脚SO封装,保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.13
    • 10+

      ¥3.29
    • 30+

      ¥2.87
    • 100+

      ¥2.45
    • 500+

      ¥2.2
    • 1000+

      ¥2.07
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
  • 有货
  • N沟道,600V,9.7A,0.38Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.6269 ¥8.73
    • 10+

      ¥3.4615 ¥8.05
    • 30+

      ¥2.5146 ¥7.62
    • 100+

      ¥2.3694 ¥7.18
    • 500+

      ¥2.3034 ¥6.98
    • 1000+

      ¥2.277 ¥6.9
  • 有货
  • TC74HC20A 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 四输入与非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥4.31
    • 30+

      ¥4.07
    • 100+

      ¥3.79
    • 500+

      ¥3.66
  • 有货
  • TC74VHC595是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速8位移位寄存器/锁存器。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.41
  • 有货
    • 1+

      ¥5.71
    • 10+

      ¥4.59
    • 50+

      ¥3.87
    • 100+

      ¥3.31
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.8
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 26 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.89
    • 10+

      ¥4.69
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.51
    • 500+

      ¥3.16
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 18 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.07
    • 10+

      ¥5.45
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.73
    • 500+

      ¥4.56
    • 1000+

      ¥4.49
  • 有货
  • 是 DMOS 晶体管阵列,有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.56
    • 10+

      ¥5.48
    • 40+

      ¥4.71
    • 100+

      ¥4.04
    • 500+

      ¥3.74
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -40V)。 增强模式:VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥6.88
    • 10+

      ¥5.63
    • 30+

      ¥4.94
    • 100+

      ¥4.16
    • 500+

      ¥3.82
  • 有货
  • TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥7.09
    • 10+

      ¥6.46
    • 30+

      ¥6.07
    • 100+

      ¥5.67
    • 500+

      ¥5.48
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.45
    • 10+

      ¥6.19
    • 50+

      ¥5.5
    • 100+

      ¥4.71
    • 500+

      ¥4.36
    • 1000+

      ¥4.21
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS,RDS(ON) = 0.43Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:VtA = 3至4V,VDS = 10V,ID = 0.24mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥7.97
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.85
    • 100+

      ¥5
    • 500+

      ¥4.62
    • 1000+

      ¥4.45
  • 有货
  • 是一款采用SO6封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管(LED)与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.22
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.03
    • 500+

      ¥4.53
    • 1000+

      ¥4.34
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.23Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VtA = 3至4V(VDS = 10V,ID = 0.45mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.9096 ¥10.36
    • 10+

      ¥7.258 ¥9.55
    • 30+

      ¥5.9664 ¥9.04
    • 100+

      ¥5.6232 ¥8.52
    • 500+

      ¥5.4648 ¥8.28
    • 1000+

      ¥5.3988 ¥8.18
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥9.3753 ¥9.47
    • 10+

      ¥6.8352 ¥7.68
    • 30+

      ¥5.293 ¥6.7
    • 100+

      ¥4.4161 ¥5.59
    • 500+

      ¥4.0211 ¥5.09
    • 1000+

      ¥3.8473 ¥4.87
  • 有货
  • 全桥直流电机驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥13.31
    • 10+

      ¥11.01
    • 30+

      ¥9.57
    • 100+

      ¥8.09
    • 500+

      ¥7.42
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.073Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7至3.7V,VDS = 10V,ID = 1.5mA。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.61
    • 10+

      ¥12.45
    • 50+

      ¥11.18
    • 100+

      ¥10.44
    • 500+

      ¥10.1
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下以及2.7V至5.5V的电源下工作。采用SDIP6封装,内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    • 1+

      ¥16.35
    • 10+

      ¥13.94
    • 30+

      ¥12.43
    • 100+

      ¥10.88
    • 500+

      ¥10.19
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.1528
    • 200+

      ¥0.1177
    • 600+

      ¥0.0982
    • 3000+

      ¥0.0865
  • 有货
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