东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74VHC32FT(TB,BJ) 编号：C26891450

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS二输入或门。它能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

1+
￥4.18
10+
￥3.73
30+
￥3.51
100+
￥3.28
500+
￥3.15
1000+
￥3.08

有货

立即购买

型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥4.45
10+
￥3.63
50+
￥3.22
100+
￥2.81
500+
￥2.57
1000+
￥2.44

有货

立即购买

型号：TPH2R306NH,L1Q(M 编号：C5370557

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.73
10+
￥4.7
30+
￥4.18
100+
￥3.66
500+
￥3.36

有货

立即购买

型号：TC74VHC595FT(EL) 编号：C39351897

封装：TSSOP-P-0044-0.65

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品是采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器（三态）。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行。该产品包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

1+
￥6.03
10+
￥5.46
30+
￥5.15
100+
￥4.8
500+
￥4.64
1000+
￥4.57

有货

立即购买

型号：TLP105(TPL,F) 编号：C2990748

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出，能够吸电流和拉电流。

数据手册

1+
￥6.05
10+
￥4.97
30+
￥4.37
100+
￥3.7
500+
￥3.4
1000+
￥3.27

有货

立即购买

型号：TK65A10N1,S4X(S 编号：C2990814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。增强模式：VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.22
10+
￥6.59
50+
￥6.19
100+
￥5.78
500+
￥5.6

有货

立即购买

型号：TLP3052A(TP1,F 编号：C7068807

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥7.26
10+
￥6
30+
￥5.3
100+
￥4.52
500+
￥4.17

有货

立即购买

型号：TK22E10N1,S1X(S 编号：C5360502

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 11.5 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥7.57
10+
￥6.23
50+
￥5.49
100+
￥4.66
500+
￥4.29

有货

立即购买

型号：TLP292-4(TP,E 编号：C5349740

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥7.64
10+
￥6.29
30+
￥5.55
100+
￥4.71
500+
￥4.34

有货

立即购买

型号：TPWR8004PL,L1Q(M 编号：C4153796

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥8.08
10+
￥7.36
30+
￥6.92
100+
￥6.46
500+
￥6.25
1000+
￥6.16

有货

立即购买

型号：TPH1R204PB,L1Q 编号：C6718988

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 21 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 0.85 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 2.0 至 3.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥10.68
10+
￥8.98
30+
￥7.92

有货

立即购买

型号：TLP227GA-2(F 编号：C99481

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP227GA系列由一个砷化镓红外发光二极管与一个光电MOSFET光耦合而成，采用4引脚DIP或8引脚DIP封装，其峰值关态电压为400V。

数据手册

1+
￥11.91
10+
￥10.1
50+
￥8.97
100+
￥7.81
500+
￥7.29

有货

立即购买

型号：TK31J60W,S1VE(S 编号：C5361058

封装：TO-3P(N)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 1.5mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥12.0197 ￥15.61
10+
￥11.0803 ￥14.39
50+
￥10.4874 ￥13.62
100+
￥9.8868 ￥12.84
500+
￥9.6096 ￥12.48
1000+
￥9.4941 ￥12.33

有货

立即购买

型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

1+
￥22.59
10+
￥19.37
30+
￥17.46
100+
￥14.55
500+
￥13.66

有货

立即购买

型号：TK39N60W,S1VF(S 编号：C2929218

封装：TO-247-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.055Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 1.9mA。应用：开关稳压器

1+
￥24.17
10+
￥20.69
30+
￥18.62
90+
￥16.52

有货

立即购买

型号：2SA1162-GR,LF 编号：C155455

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压和高电流：VCEO =-50V，IC =-150mA (max)。出色的hFE线性度：hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.98 (typ.)。高hFE：hFE = 70至400。低噪声：NF = 1dB (typ.)，10dB (max)。与2SC2712互补。小封装。应用：音频通用放大器应用

数据手册

50+
￥0.1186
500+
￥0.0916
3000+
￥0.0766

有货

立即购买

型号：TBAT54S,LM 编号：C2757849

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：超高速开关

数据手册

20+
￥0.1462
200+
￥0.1138
600+
￥0.0958
3000+
￥0.0805

有货

立即购买

型号：DF2S24FS,L3M 编号：C1974735

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

10+
￥0.1711
100+
￥0.1491
300+
￥0.1381
1000+
￥0.1298
5000+
￥0.1232

有货

立即购买

型号：DF2S5.6FS,L3M 编号：C1972987

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

20+
￥0.2117
200+
￥0.1631
600+
￥0.1361
2000+
￥0.1199

有货

立即购买

型号：CES388,L3F 编号：C5345086

封装：SC-79

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF(1) = 1μA（最大值）。小型紧凑的ES0封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

数据手册

20+
￥0.2207
200+
￥0.1727
600+
￥0.1487
2000+
￥0.1307

有货

立即购买

型号：CTS520,L3F 编号：C2847407

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低反向电流：IR(2) = 5μA (最大值)。小芯片级封装：厚度 = 0.40mm (最大值)。应用：高速开关

10+
￥0.2674
100+
￥0.2146
300+
￥0.1882
1000+
￥0.1684

有货

立即购买

型号：CMZ51(TE12L,Q,M) 编号：C2687673

封装：M-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：允许损耗：P = 2 W。齐纳电压：Vz = 12~91 V。小型封装，适合高密度安装

数据手册

5+
￥0.311568 ￥1.2982
50+
￥0.274776 ￥1.1449
150+
￥0.259008 ￥1.0792
500+
￥0.239352 ￥0.9973
3000+
￥0.230592 ￥0.9608
6000+
￥0.225336 ￥0.9389

有货

立即购买

型号：CTS521,L3F 编号：C5580251

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.5V (最大值)。薄而紧凑的封装：厚度 = 0.40mm (最大值)。应用：高速开关

10+
￥0.3486
100+
￥0.2718
300+
￥0.2333
1000+
￥0.2045

有货

立即购买

型号：1SS427,L3M 编号：C146351

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：超高速开关

数据手册

10+
￥0.3867
100+
￥0.3067
300+
￥0.2667
1000+
￥0.2367

有货

立即购买

型号：1SS184(TE85L,F) 编号：C5366204

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.4152
100+
￥0.3338
300+
￥0.2931
3000+
￥0.2542

有货

立即购买

型号：CES520,L3XGF 编号：C28022070

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低反向电流：I_REF = 5μA（最大值）。小型紧凑的ESC封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

10+
￥0.4154
100+
￥0.3242
300+
￥0.2786
1000+
￥0.2444
5000+
￥0.217

有货

立即购买

型号：TC7SZ126FU,LJ(CT 编号：C2652128

封装：SSOP-5-1.25mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

带三态输出的总线缓冲器。

10+
￥0.4383
100+
￥0.3423
300+
￥0.2943

有货

立即购买

型号：SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 编号：C396061

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻：Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)

数据手册