东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TK16A60W,S4VX 编号：C3011030

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω (典型值)，采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 0.79mA。应用：开关稳压器

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型号：TLP2366(TPL,E 编号：C150130

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C699470

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度。SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器有一个内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，因此适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TC4584BF(EL,N,F) 编号：C107730

封装：SOP-14-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4584B是一款在输入端具备施密特触发器功能的6路反相器。也就是说，由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电压不同（V P 、V N ），除了普通反相器应用外，TC4584B还可广泛应用于线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器、单稳态多谐振荡器等领域。由于其引脚与TC4069UB兼容，因此也可以相互替换

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型号：TBD62503AFG(Z,EL) 编号：C7495064

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：7 个电路内置。高电压：VOUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = 300mA/ch（最大值）。输入电压（输出开启）：TBD62502A 系列 14V（最小值），TBD62503A 系列 2.5V（最小值）。输入电压（输出关闭）：TBD62502A 系列 7.0V（最大值），TBD62503A 系列 0.6V（最大值）。封装：PG 型 DIP16-P-300-2.54A；FG 型 SOP16-P-225-1.27；FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B；FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002

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型号：TPH2900ENH,L1Q(M 编号：C5370529

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 8.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 200 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TLX9185A(GRWGBTF 编号：C43687258

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLX9185A超小型扁平光电耦合器适用于表面贴装组装。TLX9185A由一个红外发光二极管和一个光电晶体管光耦合而成。该光电耦合器可用于广泛的应用场景

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型号：TLP292-4(LA-TP,E 编号：C17488870

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：2SK3878(STA1,E,S) 编号：C726000

封装：SC-65

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0 S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）(VDS = 720 V)。增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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型号：TMPM374FWUG 编号：C49213561

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

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型号：TLP7820(D4-TP4,E 编号：C2991191

封装：SO-8L

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。

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型号：TLP197A(TP,F) 编号：C5155294

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP197A由一个铝镓砷化物红外发光二极管和一个光电MOS FET光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP197A适用于许多需要节省空间的应用场景中，以替代机械继电器。

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型号：TMBT3904,LM 编号：C145154

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

音频通用放大器应用高压大电流：VCEO = 50 V，IC = 150 mA（最大值）与TMBT3906互补

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型号：1SS387,L3F 编号：C146426

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑的2引脚封装。适用于高密度安装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：Crr = 0.3pF（典型值）

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型号：CUS520,H3F 编号：C324473

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低反向电流：IR(2) = 5 μA (max)。通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关

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型号：1SS413,L3M 编号：C5485620

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

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型号：T2N7002AK,LM 编号：C516175

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD保护栅极。低导通电阻：RDS(on) = 2.8Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(on) = 3.1Ω（典型值）(@ VGS = 5V)；RDS(on) = 3.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)

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型号：SSM3K37FS,LF 编号：C150189

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,20V,0.2A,2.2Ω@4.5V

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￥0.3184
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￥0.2512
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型号：2SC4117-GR,LF 编号：C3002937

封装：SC-70-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。高电压：VCEO = 120V。出色的 hFE 线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高 hFE：hFE = 200 至 700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与 2SA1587 互补。应用：音频通用放大器应用

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￥0.379092 ￥0.4513
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￥0.267214 ￥0.3611
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型号：TC7SZ08FU,LJ(CT 编号：C146375

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

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型号：SSM3K72KFS,LF 编号：C2880448

封装：SSM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

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￥0.2768
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型号：TC7SZ07FU,LXGJ(CT 编号：C7421346

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

非反相器（开漏）

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￥0.4203
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￥0.3243
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￥0.2763
3000+
￥0.2403
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￥0.2115
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￥0.197

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型号：TC7SZ125FE,LJ(CT 编号：C2676800

封装：SOT-553-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

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型号：TC7S32F,LF 编号：C5156531

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：tpH = 7 ns（典型值），VCC = 5V。低功耗：ICC = 1 μA（最大值），Ta = 25℃。高抗噪性：VMIN = VNIL = 28% VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2 mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH÷tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2 至 6V

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5+
￥0.5572
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￥0.4372
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型号：RN1902,LF(CT 编号：C7421323

封装：SOT363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装（双类型）。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应不同的电路设计。与RN2901至RN2906互补。应用：开关。逆变器电路

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￥0.5634
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￥0.4575
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￥0.4311
3000+
￥0.4099
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￥0.3993

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型号：2SC3326-B,LF 编号：C27829

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。高反向hFE。反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用

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型号：SSM3J56ACT,L3F 编号：C146297

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(@VGS = -1.2V)。应用：高速开关

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