东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ULN2003AFWG(C,NEHZA) 编号：C5331613

封装：SOL-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高电压、高电流达林顿驱动器，由七个 NPN 达林顿对组成。所有单元都具有用于开关感性负载的集成钳位二极管。

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￥3.3
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￥1.69
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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

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￥1.7815
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￥1.388
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￥1.0089
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￥0.9152
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型号：74VHC165FT 编号：C5349732

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 位移位寄存器（并行输入，串行输出）。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位并行/串行输入、串行输出移位寄存器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出 8 位移位寄存器组成

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￥1.9698
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￥1.5414
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￥1.3578
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￥1.1287
2500+
￥1.0267

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型号：2SA1721-O(TE85L,F) 编号：C150150

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压：VcBO = -300V。低饱和电压：VCE(sat) = -0.5V (max)。小集电极输出电容：Cob = 5.5 pF (typ.)。与2SC4497互补。应用：等离子显示器高压控制应用。数码管驱动应用

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￥2.0066
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型号：TC7WT125FUTE12LF 编号：C2675726

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WT125FU是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双总线缓冲器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。其输入阈值电平与TTL输出电压兼容

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型号：SSM6J412TU,LF 编号：C5349735

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 99.6mΩ（最大值） (VG S =-1.5V)。RDS(ON) = 67.8mΩ（最大值） (VG S =-1.8V)。RDS(ON) = 51.4mΩ（最大值） (VG S =-2.5V)。RDS(ON) = 42.7mΩ（最大值） (VG S =-4.5V)

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型号：SSM6K513NU,LF 编号：C3008601

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动。低导通电阻：RDS(ON) = 8.0mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 6.5mΩ（典型值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

3000+
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型号：2SK3078A(TE12L,F) 编号：C224373

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

RF用途,N沟道,10V,0.5A

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型号：TC7W240FU,LF 编号：C39364440

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7W240FU是采用硅栅C²MOS技术制造的高速C2MOS双总线缓冲器。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。这是一款反相三态缓冲器，具备两个低电平有效输出使能端

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型号：TC74HC595AF(EL,F) 编号：C146328

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC595A是一款采用硅栅极C²MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器。它能实现与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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￥3.0675 ￥4.09
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型号：TC7WZ125FULJ(CT 编号：C28616475

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双总线缓冲器，具有三态输出

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型号：TC78H621FNG,EL 编号：C2150461

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC78H621FNG是一款双桥驱动IC，其输出晶体管采用了DMOS。该芯片能够驱动2个有刷直流电机或1个步进电机。

数据手册

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￥3.76
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型号：TLP5702(TP,E 编号：C163201

封装：SOP-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

2.5A，IGBT/MOS驱动光耦

数据手册

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型号：TB67H450FNG(O,EL) 编号：C2932785

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波型直流有刷电机驱动器，内置一个通道的电机输出模块。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50V，最大电流为3.5A。

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￥3.99
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型号：TPCA8131,LQ(S 编号：C27534296

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.4 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低泄漏电流：IRSS = -10 μA（最大值）(VDS = -30 V)。增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

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￥3.37
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￥3.02
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￥2.96

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

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￥2.22
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型号：2SK3756(TE12L.F) 编号：C2762664

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：VHF和UHF频段放大器应用。电信设备的高频功率放大器

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型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

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￥2.04

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型号：TC74HC151AF(EL,F) 编号：C23067472

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高速CMOS 8通道多路复用器，采用硅栅C²MOS技术制造。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。通过对三位地址输入（A、B、C）进行解码，从八个数据输入信号（D0-D7）中选择一个。所选数据出现在两个输出端：同相（Y）和反相（W）。选通输入提供两种输出条件；选通输入为低电平时，将所选数据传输到输出端。选通输入为高电平时，无论数据或选择输入条件如何，Y输出为低电平，W输出为高电平。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥4.52
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￥4.03
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￥3.79
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￥3.4
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型号：TPN11006NL,LQ 编号：C146304

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V

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￥4.78
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￥3.84
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￥3.37
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￥2.9
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￥2.62
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￥2.47

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型号：TLP387(D4-TPR,E 编号：C5370575

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP387是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6L（4引脚）封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP387适用于可编程控制器的100VDC输出模块等应用

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￥5.03
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￥4.01
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￥3.5
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￥3
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￥2.7
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￥2.54

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型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥5.03
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￥4
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￥3.49
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￥2.98
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￥2.68
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￥2.52

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型号：TPH1R403NL1,LQ(M 编号：C5370568

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 10.6 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 50 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VTH = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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￥5.03
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￥4.08
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￥3.61
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￥3.14
500+
￥2.86

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型号：TC4053BF(EL,N,F) 编号：C5331541

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置，TC4052B为4通道×2配置，TC4053B为2通道×3配置。

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1+
￥5.1
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￥4.06
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￥3.54
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￥3.03
500+
￥2.72
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￥2.56

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型号：TK12E60W,S1VX(S 编号：C5374700

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.265Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V（VDS = 10V，ID = 0.6mA）。应用：开关稳压器

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￥5.14
10+
￥4.61
50+
￥4.32
100+
￥3.1521 ￥3.99
500+
￥3.0336 ￥3.84
1000+
￥2.9783 ￥3.77

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型号：TK10P60W,RVQ(S 编号：C2840188

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）。应用：开关稳压器

数据手册

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￥5.17
10+
￥4.68
30+
￥4.41
100+
￥3.67
500+
￥3.54
1000+
￥3.47

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型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ 编号：C7068953

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.6 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低漏电流：ILS = -10 μA（最大值）(VDS = -60 V)。增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。应用：汽车。电机驱动器