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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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    ¥16.54
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    ¥14.95
  • 100+

    ¥13.34
  • 500+

    ¥12.59
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 150 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.062Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1.9mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥25.45
    • 10+

      ¥21.6
    • 30+

      ¥19.32
    • 90+

      ¥17
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA)= 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1294
    • 200+

      ¥0.0997
    • 600+

      ¥0.0832
    • 3000+

      ¥0.0733
  • 有货
  • 适用于高速开关应用和模拟开关应用,1.5V驱动,低导通电阻。导通电阻 RDS(ON) 在不同条件下有不同最大值:VGS = 1.5V 时,RDS(ON) 最大为 5.60Ω;VGS = 1.8V 时,RDS(ON) 最大为 4.05Ω;VGS = 2.5V 时,RDS(ON) 最大为 3.02Ω;VGS = 4.5V 时,RDS(ON) 最大为 2.20Ω。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.21054 ¥0.319
    • 100+

      ¥0.17391 ¥0.2635
    • 300+

      ¥0.155628 ¥0.2358
    • 1000+

      ¥0.1419 ¥0.215
    • 5000+

      ¥0.130944 ¥0.1984
    • 8000+

      ¥0.1254 ¥0.19
  • 有货
  • 低电压高速开关。符合AEC Q101标准。低正向电压Δ:VF(3) = 0.54V(典型值)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3154
    • 100+

      ¥0.2482
    • 300+

      ¥0.2146
    • 3000+

      ¥0.1894
    • 6000+

      ¥0.1692
  • 有货
  • 特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON) = 480 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。RDS(ON) = 840 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.319428 ¥0.4203
    • 50+

      ¥0.282948 ¥0.3723
    • 150+

      ¥0.264708 ¥0.3483
    • 500+

      ¥0.251028 ¥0.3303
    • 2500+

      ¥0.240084 ¥0.3159
    • 5000+

      ¥0.234612 ¥0.3087
  • 有货
  • 特性:小封装。 低正向电压:VF(2) = 0.56 V(典型值)(@IF = 500mA)。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.3959
    • 100+

      ¥0.3095
    • 300+

      ¥0.2663
    • 3000+

      ¥0.2339
  • 有货
  • DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD),不适用于其他用途,包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低:CT = 8.0 pF(典型值)。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4142
    • 100+

      ¥0.3297
    • 300+

      ¥0.2874
    • 1000+

      ¥0.2557
  • 有货
  • TC7S14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS施密特反相器。它在保持C²MOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC7SU04F相同,但输入具有25% Vcc的滞后特性
    数据手册
    • 5+

      ¥0.462
    • 50+

      ¥0.358
    • 150+

      ¥0.306
    • 500+

      ¥0.267
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,hFE线性度出色,hFE值高。
    • 5+

      ¥0.4832
    • 50+

      ¥0.3776
    • 150+

      ¥0.3248
    • 500+

      ¥0.2852
    • 2500+

      ¥0.2535
    • 5000+

      ¥0.2376
  • 有货
  • 带三态输出的总线缓冲器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5064
    • 50+

      ¥0.4404
    • 150+

      ¥0.4074
    • 500+

      ¥0.3827
    • 2500+

      ¥0.3629
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4291
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
  • 2-输入或非门
    • 5+

      ¥0.5698
    • 50+

      ¥0.4958
    • 150+

      ¥0.4588
    • 500+

      ¥0.4311
    • 2500+

      ¥0.4089
  • 有货
    • 5+

      ¥0.584
    • 50+

      ¥0.4598
    • 150+

      ¥0.3976
    • 500+

      ¥0.351
    • 3000+

      ¥0.2982
  • 有货
  • 施密特缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6632
    • 50+

      ¥0.568
    • 150+

      ¥0.5272
    • 500+

      ¥0.4763
    • 2500+

      ¥0.4536
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNI H = VNI L = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    • 5+

      ¥0.7437
    • 50+

      ¥0.645
    • 150+

      ¥0.6027
    • 500+

      ¥0.5499
  • 有货
  • 特性:符合AEC-Q101标准。 小封装:SC-59。 低正向电压:ΔVE = 1.0V(典型值)。 低反向电流:IR = 0.1nA(典型值)。 小总电容:CT = 3.0 pF(典型值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.799
    • 50+

      ¥0.631
    • 150+

      ¥0.547
    • 500+

      ¥0.484
  • 有货
  • 通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9669
    • 50+

      ¥0.765
    • 150+

      ¥0.6785
    • 500+

      ¥0.5705
    • 3000+

      ¥0.4696
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:在 VCC = 3.0V 时为 ±24mA(最小值)。 超高速运行:在 VCC = 5.0V、CL = 50pF 时,tpd = 2.4ns(典型值)。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5V。 5.5V 容限输入。 5.5V 掉电保护输出。 在 3.3VVCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列相匹配
    • 5+

      ¥1.0607
    • 50+

      ¥0.9452
    • 150+

      ¥0.8957
    • 500+

      ¥0.834
    • 3000+

      ¥0.7115
    • 6000+

      ¥0.695
  • 有货
  • 八进制总线缓冲器 74VHC540FT:反相、三态输出 74VHC541FT:同相、三态输出 74VHC540FT/74VHC541FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速先进 CMOS 八进制总线缓冲器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1208
    • 50+

      ¥0.8688
    • 150+

      ¥0.7608
    • 500+

      ¥0.6261
  • 有货
  • 正向电压:VFM = 0.37V(最大值) 平均正向电流:IF (AV) = 2.0A 重复峰值反向电压:VRRM = 30V 由于采用小型表面贴装封装M - FLATTM(东芝封装名称),适合紧凑型组装。
    • 5+

      ¥1.1358
    • 50+

      ¥0.8838
    • 150+

      ¥0.7758
    • 500+

      ¥0.6411
  • 有货
  • 同步可预置4位计数器 74VHC161FT:二进制、异步清零;74VHC163FT:二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.211067 ¥1.2233
    • 50+

      ¥0.959242 ¥1.0778
    • 150+

      ¥0.802245 ¥1.0155
    • 500+

      ¥0.740783 ¥0.9377
    • 2500+

      ¥0.713449 ¥0.9031
    • 5000+

      ¥0.697017 ¥0.8823
  • 有货
  • 双单稳态多谐振荡器 74VHC123AFT:可重触发;74VHC221AFT:不可重触发。74VHC123A/221AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 单稳态多谐振荡器。
    • 5+

      ¥1.2609
    • 50+

      ¥0.9761
    • 150+

      ¥0.8541
    • 500+

      ¥0.7018
  • 有货
  • 特性:峰值正向电压:VFM = 0.45V (最大值)@IFM = 2 A。 平均正向电流:IF(AV) = 2 A。 重复峰值反向电压:VRRM = 30V。 小而薄的封装,适用于高密度电路板组装 东芝昵称:S-FLAT。应用:开关稳压器中的二次整流。 移动设备中的反向电流保护
    • 5+

      ¥1.4151
    • 50+

      ¥1.2261
    • 150+

      ¥1.1451
    • 500+

      ¥1.044
    • 3000+

      ¥0.999
    • 6000+

      ¥0.972
  • 有货
  • 是一款CMOS单运算放大器,内置相位补偿电路。采用低电压和低电流电源设计,与通用双极运算放大器不同。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5691
    • 50+

      ¥1.2163
    • 150+

      ¥1.0651
    • 500+

      ¥0.8765
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值),hFE线性良好,hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值),hFE为120至400,与2SA2154MFV互补。
    • 5+

      ¥1.58
    • 50+

      ¥1.37
    • 150+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.16
    • 2500+

      ¥1.11
    • 5000+

      ¥1.08
  • 有货
  • 特性:重复峰值反向电压:VRRM = 400 V。 平均正向电流:IFUM = 1.0 A。 峰值正向电压:VFM = 1.1 V(最大值),IFM = 0.7 A(脉冲测量)。 高ESD保护。 使用小型、薄型表面贴装封装,是高密度安装的最佳方式。应用:通用整流器
    • 5+

      ¥1.58
    • 50+

      ¥1.37
    • 150+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.16
  • 有货
  • 低电压八进制总线缓冲器,具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出均为 5V 电源环境的接口。是一个非反相三态缓冲器,有两个低电平有效输出使能端。当 OE1 或 OE2 为高电平时,终端输出处于高阻抗状态。设计用于三态内存地址驱动器等。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.6207
    • 50+

      ¥1.4308
    • 150+

      ¥1.3494
    • 500+

      ¥1.2479
    • 2500+

      ¥1.2027
    • 5000+

      ¥1.1755
  • 有货
  • 低电压八进制总线缓冲器,输入和输出具有5V容限。是高性能CMOS八进制总线缓冲器,专为3.3V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC应用而设计,但可用于与5V电源环境进行输入和输出接口。是具有两个低电平有效输出使能的非反相三态缓冲器,设计用于与三态存储器地址驱动器等一起使用。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 5+

      ¥1.6401
    • 50+

      ¥1.4511
    • 150+

      ¥1.3701
    • 500+

      ¥1.269
  • 有货
  • TC74VHC138 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3 线 - 8 线解码器。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    • 1+

      ¥1.751 ¥10.3
    • 10+

      ¥1.496 ¥8.8
    • 30+

      ¥1.3345 ¥7.85
    • 100+

      ¥1.1713 ¥6.89
    • 500+

      ¥1.0965 ¥6.45
    • 1000+

      ¥1.0642 ¥6.26
  • 有货
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