ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STGF3NC120HD 编号：C10076

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

这款 PowerMESH™ IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降

数据手册

1+
￥11.82
10+
￥9.88
30+
￥8.66
100+
￥7.41
500+
￥6.85

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型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

数据手册

1+
￥12.19
10+
￥10.49
30+
￥9.56
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￥8.51
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￥7.52
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￥7.31

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型号：M95M02-DRMN6TP 编号：C915963

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行SPI总线EEPROM

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1+
￥12.25
10+
￥10.4
30+
￥9.25
100+
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型号：STF15N95K5 编号：C2969924

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道950 V、0.41 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装

数据手册

1+
￥13.172 ￥14.8
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￥11.0679 ￥14.01
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￥9.3426 ￥13.54
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￥9.0183 ￥13.07
500+
￥8.8665 ￥12.85
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￥8.7975 ￥12.75

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型号：TSC2011IDT 编号：C1857476

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压精密双向电流感应放大器

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1+
￥13.91
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￥11.7
30+
￥10.31
100+
￥8.9
500+
￥8.26
1000+
￥7.98

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型号：STM32L031F6P7 编号：C1337403

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1+
￥14.45
10+
￥12.22
30+
￥10.83
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￥9.4
518+
￥8.75
1036+
￥8.47

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型号：STNS01PUR 编号：C2848343

封装：DFN-12-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

具有LDO的锂离子线性电池充电器

数据手册

1+
￥14.58
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￥12.36
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￥9.11
500+
￥8.47
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型号：STUSB4700QTR 编号：C2156427

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

独立式USB PD控制器（具有VBUS短路保护）

数据手册

1+
￥15.32
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￥12.89
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￥11.37
100+
￥9.81
500+
￥9.11
1000+
￥8.8

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型号：STW8N120K5 编号：C472643

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

数据手册

1+
￥15.74
10+
￥13.07
30+
￥11.4
90+
￥9.7

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型号：STGWA60H65DFB 编号：C472600

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

1+
￥15.76
10+
￥14.92
30+
￥14.43
100+
￥13.92

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型号：STM32F031C6T6TR 编号：C329281

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

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1+
￥16.65
10+
￥14.1
30+
￥12.5
100+
￥10.13

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型号：STW48NM60N 编号：C110594

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,600V,44A,70mΩ@10V

数据手册

1+
￥17.99
10+
￥15.28
30+
￥13.58
100+
￥11.84

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型号：VN7007AHTR 编号：C2150197

封装：OctaPAK-7

品牌：ST(意法半导体)

具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器，用于汽车应用

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1+
￥18.16
10+
￥15.44
30+
￥13.82
100+
￥12.18
500+
￥11.43

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型号：SCLT3-8BQ7-TR 编号：C2649372

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

具有数字滤波器的高速数字输入限流器

数据手册

1+
￥18.46
10+
￥15.71
30+
￥14.07
100+
￥12.42
500+
￥11.65

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型号：STSPIN32F0ATR 编号：C2651733

封装：VFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器

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1+
￥19.04
10+
￥16.15
30+
￥14.34
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￥11.91

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型号：SPIRIT1QTR 编号：C2654653

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

低数据率、低功耗Sub 1GHz收发器

数据手册

1+
￥19.07
10+
￥16.14
30+
￥14.4
100+
￥12.65
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￥11.83
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￥11.47

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型号：VND5160AJTR-E 编号：C2149769

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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1+
￥19.1807 ￥24.91
10+
￥15.8053 ￥23.59
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￥12.996 ￥22.8
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￥12.5457 ￥22.01
500+
￥12.3348 ￥21.64
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￥12.2436 ￥21.48

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型号：STM32F051K6T6 编号：C88443

封装：QFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

数据手册

1+
￥19.44
10+
￥16.68
30+
￥14.95
250+
￥12.66
500+
￥11.86
1000+
￥11.52

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型号：STM32L433CCT6 编号：C110061

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式（5个唤醒引脚）。28nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式，带RTC时为1.28μA。84μA/MHz运行模式（LDO模式）

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1+
￥22.85
10+
￥19.37
30+
￥17.3
250+
￥15.22

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型号：STM32F411RCT6 编号：C222222

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM）。电源电压：1.7 V至3.6 V。温度范围：-40℃至85/105/125℃。内核：带有浮点单元（FPU）的32位Cortex®-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

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1+
￥23.75
10+
￥20.12
30+
￥17.97
100+
￥15.79

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型号：STPS80170CW 编号：C472640

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

170 V、80 A双路功率肖特基整流器

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1+
￥23.87
10+
￥20.59
30+
￥18.63
90+
￥16.66

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型号：STW12NK90Z 编号：C262982

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

该器件采用 SuperMESH™ 功率 MOSFET 技术制造，该技术是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局进行深度优化而获得的。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最苛刻的应用中具备出色的 dv/dt 能力。

数据手册

1+
￥25.32
10+
￥21.44
30+
￥19.13
100+
￥16.79
500+
￥15.72
1000+
￥15.23

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型号：STM32F101CBT6 编号：C46607

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率36 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：64至128 Kbytes的闪存，10至16 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。调试模式：串行线调试（SwD）和JTAG接口。 DMA：7通道DMA控制器，支持的外设包括定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥25.62
10+
￥21.85
30+
￥19.61
250+
￥17.35
500+
￥16.3
1000+
￥15.83

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型号：L298P013TR 编号：C111210

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

L298是一款采用15引脚Multiwatt和PowerSO20封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准TTL逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流电机和步进电机等感性负载。该器件提供两个使能输入，可独立于输入信号对器件进行使能或禁用操作

数据手册

1+
￥26.87
10+
￥23.09
30+
￥20.85
100+
￥17.82

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型号：STP160N75F3 编号：C501026

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 是意法半导体（ST）STripFET™ 工艺的最新改进成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性和低栅极电荷。

数据手册

1+
￥27.53
10+
￥26.21
30+
￥25.41
100+
￥24.73

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型号：STM8AF52A8TDY 编号：C1339146

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：AEC-Q10x合格。核心:最大CPU频率：24 MHz。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8A内核。平均每条指令1.6个周期，在16 MHz CPU频率下可实现10 MIPS（行业标准基准测试）。存储器:程序存储器：32至128 Kbyte Flash程序；在55℃下数据保留20年。数据存储器：高达2 Kbyte真数据EEPROM；耐久性300 key/le

数据手册

1+
￥27.89
10+
￥23.57
30+
￥21
250+
￥18.4
500+
￥17.2
1000+
￥16.66

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型号：STM32L431CBU6 编号：C915967

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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