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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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120 V、30 A PowerFLAT功率肖特基整流器
数据手册
  • 1+

    ¥6.71
  • 10+

    ¥5.54
  • 30+

    ¥4.9
  • 100+

    ¥4.17
  • 500+

    ¥3.85
  • 1000+

    ¥3.71
  • 有货
  • 瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低压供电的集成电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.9
    • 10+

      ¥5.54
    • 30+

      ¥4.86
    • 100+

      ¥4.18
    • 600+

      ¥3.78
  • 有货
  • 互补功率晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥7.01
    • 10+

      ¥5.74
    • 30+

      ¥5.04
    • 90+

      ¥4.25
  • 有货
  • 是一种低压差电压调节器,能够提供高达1.5A的输出电流。在最大输出电流下,压差保证最大为1.2V,在较低负载时会降低。与旧的三端可调稳压器引脚兼容,但在压差和输出公差方面具有更好的性能。与PNP稳压器不同,其静态电流流入负载,提高了效率
    数据手册
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.09
    • 100+

      ¥4.38
    • 500+

      ¥3.96
    • 1000+

      ¥3.74
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器:高达128 Kbytes的闪存,带有保护和可安全区域;36 Kbytes的SRAM(32 Kbytes带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥7.53
    • 10+

      ¥6.85
    • 30+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥6
    • 490+

      ¥5.8
  • 有货
  • N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
    • 1+

      ¥7.86
    • 10+

      ¥6.46
    • 30+

      ¥5.69
    • 100+

      ¥4.81
    • 500+

      ¥4.43
    • 1000+

      ¥4.25
  • 有货
  • N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥8.08
    • 10+

      ¥6.7249 ¥7.39
    • 30+

      ¥5.6457 ¥6.97
    • 100+

      ¥5.2893 ¥6.53
    • 500+

      ¥5.1273 ¥6.33
    • 1000+

      ¥5.0625 ¥6.25
  • 有货
  • P沟道-40 V、0.0115 Ohm典型值、-60 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
    数据手册
    • 1+

      ¥8.11
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥6
    • 100+

      ¥5.16
    • 500+

      ¥4.78
    • 1000+

      ¥4.61
  • 有货
  • 器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.18
    • 10+

      ¥6.95
    • 30+

      ¥6.28
    • 100+

      ¥5.34
    • 500+

      ¥5
  • 有货
  • 60 V、30 A双路高Tj功率肖特基整流器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.2368 ¥8.58
    • 10+

      ¥6.7596 ¥7.86
    • 30+

      ¥5.6316 ¥7.41
    • 100+

      ¥5.2744 ¥6.94
    • 500+

      ¥5.1148 ¥6.73
    • 1000+

      ¥5.0464 ¥6.64
  • 有货
  • 这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合,以实现极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最苛刻的高效转换器。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.47
    • 10+

      ¥6.86
    • 30+

      ¥6.06
    • 100+

      ¥5.26
    • 500+

      ¥4.78
    • 1000+

      ¥4.53
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.57
    • 10+

      ¥7.04
    • 30+

      ¥6.2
    • 100+

      ¥5.25
    • 500+

      ¥4.83
    • 1000+

      ¥4.64
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和三级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8KB Flash,在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:640 字节真正的数据 EEPROM,耐久性 300k 周期。 RAM:1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥8.72
    • 10+

      ¥7.96
    • 30+

      ¥7.48
    • 100+

      ¥6.62
    • 500+

      ¥6.4
    • 1000+

      ¥6.3
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥8.71
    • 30+

      ¥8.56
    • 100+

      ¥8.4
  • 有货
  • N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥4.86
    • 500+

      ¥4.38
  • 有货
  • LD39100可提供最高1 A的电流,输入电压范围为1.5 V至5.5 V,典型压差为200 mV。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.06
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥6.55
    • 100+

      ¥5.55
    • 500+

      ¥5.1
    • 1000+

      ¥4.9
  • 有货
  • 汽车级N沟道500 V、0.7 Ohm典型值、7.5 A MDmesh功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥9.38
    • 10+

      ¥7.59
    • 30+

      ¥6.31
    • 100+

      ¥5.2
    • 500+

      ¥4.7
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:1.7 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.09
    • 10+

      ¥9.21
    • 30+

      ¥8.66
    • 100+

      ¥8.1
    • 490+

      ¥7.84
  • 有货
  • 400 V、16 A双超高速二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥10.12
    • 10+

      ¥8.6762 ¥9.23
    • 30+

      ¥7.2912 ¥8.68
    • 100+

      ¥6.8124 ¥8.11
    • 500+

      ¥6.594 ¥7.85
    • 1000+

      ¥6.5016 ¥7.74
  • 有货
  • STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心,工作频率高达 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART),一个 USB 全速设备(无晶体),一个 CAN,一个 12 位 ADC,四个 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.33
    • 10+

      ¥8.68
    • 30+

      ¥7.64
    • 250+

      ¥6.58
    • 500+

      ¥6.1
  • 有货
  • L6566B是一款极其通用的电流模式初级控制器IC,专为高性能离线反激式转换器而设计。它也适用于需符合EN61000 - 3 - 2或JEITA - MITI法规的单级单开关输入电流整形转换器(单级PFC)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.3356 ¥15.66
    • 10+

      ¥8.7648 ¥13.28
    • 30+

      ¥7.7814 ¥11.79
    • 100+

      ¥6.7716 ¥10.26
    • 500+

      ¥6.3162 ¥9.57
    • 1000+

      ¥6.1182 ¥9.27
  • 有货
  • 特性:核心:最大fCPU:高达24 MHz,在fCPU ≤ 16 MHz时0等待状态。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8内核。扩展指令集。24 MHz时最大20 MIPS。 存储器:程序:高达128 Kbytes闪存;在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据:高达2 Kbytes真数据EEPROM;耐久性300 kcycles
    数据手册
    • 1+

      ¥10.37
    • 10+

      ¥8.73
    • 30+

      ¥7.7
    • 100+

      ¥6.65
  • 有货
  • N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装
    数据手册
    • 1+

      ¥10.44
    • 10+

      ¥9
    • 50+

      ¥8.22
    • 100+

      ¥7.33
    • 500+

      ¥6.94
    • 1000+

      ¥6.76
  • 有货
  • 该器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这款具有革新意义的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.84
    • 10+

      ¥8.99
    • 30+

      ¥7.97
    • 90+

      ¥6.82
  • 有货
  • 高压高侧/低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.11
    • 10+

      ¥9.39
    • 30+

      ¥8.32
    • 100+

      ¥7.22
    • 500+

      ¥6.72
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • 这款功率MOSFET采用了独特的“单特征尺寸”条形工艺。由此产生的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性以及不太关键的对准步骤,因此具有出色的制造再现性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.12
    • 10+

      ¥9.43
    • 30+

      ¥8.38
    • 100+

      ¥6.96
    • 500+

      ¥6.47
  • 有货
  • STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心,工作频率高达 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART),一个 USB 全速设备(无晶体),一个 CAN,一个 12 位 ADC,四个 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.13
    • 10+

      ¥9.57
    • 30+

      ¥8.59
    • 100+

      ¥6.96
  • 有货
  • 基于ARM的32位MCU,高达128 KB闪存,USB FS 2.0,11个定时器,ADC,通信接口,2.4-3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.22
    • 10+

      ¥9.35
    • 30+

      ¥8.33
    • 100+

      ¥6.77
    • 500+

      ¥6.26
  • 有货
  • 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥11.38
    • 10+

      ¥9.51
    • 30+

      ¥8.35
    • 90+

      ¥7.15
    • 510+

      ¥6.61
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 qualified。 核心:最大fCPU:16 MHz。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8A核心。扩展指令集。 存储器:程序存储器:4至8 Kbyte Flash程序;在55℃下经过1 kcycle后数据保留20年。数据存储器:640 byte真数据EEPROM;耐久性300 kcycle
    数据手册
    • 1+

      ¥11.46
    • 10+

      ¥10.43
    • 30+

      ¥9.78
    • 100+

      ¥9.12
    • 500+

      ¥8.83
  • 有货
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