ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TS974IPT 编号：C283515

封装：TSSOP-14

品牌：ST(意法半导体)

TS97x系列运算放大器可在低至±1.35 V的电压下工作，具备轨到轨输出信号摆幅。TS97x器件特别适用于便携式和电池供电设备。极低的噪声和低失真特性使其成为音频前置放大的理想选择

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型号：STB55NF06T4 编号：C472532

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这些功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。

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型号：STM32C011F6U6TR 编号：C5456206

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex®-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40°C至85°C / 105°C / 125°C。存储器: -高达32 KB的带保护的闪存。6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理: -电压范围：2.0 V至3.6 V

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型号：L7812ACD2T-TR 编号：C54614

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

采用 TO-220、TO-220FP、D²PAK 和 DPAK 封装，有多种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。可提供板载本地稳压，消除单点稳压带来的分配问题。每个型号都内置了内部限流、热关断和安全区保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，可提供超过 1A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压稳压器，但也可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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型号：L6924D013TR 编号：C155635

封装：VFQFPN-16(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

具有集成电源开关的锂离子/锂聚合物电池充电器系统

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型号：1.5KE400A 编号：C3720730

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

1.5KE瞬态电压抑制（TVS）系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并抵御如IEC 61000 - 4 - 4和5所述的电气过应力。它们适用于1500 W、10/1000 µs以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。

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型号：T1235-600G-TR 编号：C155555

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

D2PAK封装的12A Snubberless 三端双向可控硅

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型号：VIPER06XSTR 编号：C2845040

封装：SSOP-10-150mil

品牌：ST(意法半导体)

VIPerPlus系列：用于直接反馈的节能高压转换器

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型号：STF13N65M2 编号：C500974

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.37 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

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型号：STD2NK100Z 编号：C183635

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,1000V,1.85A,8.5Ω@10V

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型号：STGF15M65DF2 编号：C2935300

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗

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型号：STPSC6H065D 编号：C472624

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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型号：STPS30170DJF-TR 编号：C501054

封装：Power-FLAT(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

170 V、30 A PowerFLAT功率肖特基整流器

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型号：TSH82IDT 编号：C221510

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

提供单通道、双通道和四通道运算放大器，具有高视频性能，带宽大、失真低、电源电压抑制比出色。这些放大器还具有大输出电压摆幅和高输出电流能力，可驱动标准150Ω负载。工作在4.5至12V的单电源或双电源电压下，在5V（±2.5V）和10V（±5V）电源下进行测试。某款器件还具有待机模式，可为运算放大器提供低功耗和高输出阻抗，此功能可实现高速和视频应用的节能或信号切换/复用。为节省电路板空间和重量，采用SOT23-5、SO8、TSSOP8和TSSOP14塑料微封装。

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型号：STD2805T4 编号：C672201

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该器件采用“基极岛”布局，运用 PNP 平面技术制造。由此制成的晶体管具有极高的增益性能，同时饱和电压极低。

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型号：STL18N65M2 编号：C2970653

封装：VDFN-8-Power

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.29 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装

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型号：STPS30120DJF-TR 编号：C501053

封装：Power-FLAT(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

120 V、30 A PowerFLAT功率肖特基整流器

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型号：1.5KE440CA 编号：C2936095

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：LD1086DTTR 编号：C2890029

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

是一种低压差电压调节器，能够提供高达1.5A的输出电流。在最大输出电流下，压差保证最大为1.2V，在较低负载时会降低。与旧的三端可调稳压器引脚兼容，但在压差和输出公差方面具有更好的性能。与PNP稳压器不同，其静态电流流入负载，提高了效率

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型号：STM32G071G8U6N 编号：C707495

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STD11N60DM2 编号：C2688635

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装

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型号：STL60P4LLF6 编号：C2688588

封装：PowerFlat-8

品牌：ST(意法半导体)

P沟道-40 V、0.0115 Ohm典型值、-60 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

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型号：M24M01-DFDW6TP 编号：C222243

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：TIP142T 编号：C501105

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

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型号：STPS30H60CG-TR 编号：C2965437

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

60 V、30 A双路高Tj功率肖特基整流器

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￥8.2368 ￥8.58
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￥5.0464 ￥6.64

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型号：STD10NM60N 编号：C42088

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，以实现极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。

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￥5.26
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￥4.53

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型号：VN7050ASTR 编号：C443993

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：STM8S103F3P3TR 编号：C2053135

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和三级流水线，扩展指令集。程序存储器：8KB Flash，在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：640 字节真正的数据 EEPROM，耐久性 300k 周期。 RAM：1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC

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