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特性:32-bit Arm Cortex-M7核心,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存,允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行;频率高达400MHz,具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存,支持读时写。 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口
数据手册
  • 15+

    ¥70.5978
  • 100+

    ¥62.86566
  • 1000+

    ¥60.5124
带稳压器的微型KNX收发器
数据手册
  • 1+

    ¥21.35
  • 10+

    ¥18.51
  • 30+

    ¥16.82
  • 100+

    ¥15.11
  • 500+

    ¥14.33
  • 有货
  • N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
    • 1+

      ¥22.41
    • 10+

      ¥19.4
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      ¥16.16
    • 100+

      ¥14.35
  • 有货
  • 高侧开关控制器(带智能熔断保护),适用于12 V、 24 V、以及48 V汽车应用
    • 1+

      ¥22.73
    • 10+

      ¥19.4
    • 30+

      ¥17.42
    • 100+

      ¥15.42
    • 500+

      ¥14.49
    • 1000+

      ¥14.08
  • 有货
  • 采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥24.61
    • 10+

      ¥20.59
    • 30+

      ¥18.21
    • 100+

      ¥15.79
    • 500+

      ¥14.68
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,有专有代码读取保护(PCROP)和可保护存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB有硬件奇偶校验;程序增强器:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机),VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC(可选PLL,±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)。 多达86个快速I/O,均可映射到外部中断向量,部分I/O有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥26.65
    • 10+

      ¥22.6
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      ¥20.2
    • 100+

      ¥17.76
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 通道),转换范围:0 至 3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
    数据手册
    • 1+

      ¥26.88
    • 10+

      ¥22.94
    • 30+

      ¥20.6
    • 100+

      ¥18.24
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,有专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口
    数据手册
    • 1+

      ¥30.07
    • 10+

      ¥25.84
    • 30+

      ¥23.32
    • 160+

      ¥20.78
  • 有货
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      ¥30.5
    • 10+

      ¥26.22
    • 30+

      ¥23.67
    • 100+

      ¥21.09
  • 有货
  • 160W+160W双BTL D类音频放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.16
    • 10+

      ¥27.67
    • 30+

      ¥25.6
    • 100+

      ¥23.51
    • 500+

      ¥22.54
  • 有货
  • 这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 是意法半导体(ST)STripFET™ 工艺的最新改进成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、出色的雪崩特性和低栅极电荷。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.49
    • 10+

      ¥27.153 ¥30.17
    • 30+

      ¥23.496 ¥29.37
    • 100+

      ¥22.952 ¥28.69
  • 有货
  • 高效数字输入汽车级四路功率放大器,具有内置诊断功能,兼容开始/停止
    • 1+

      ¥33.56
    • 10+

      ¥31.97
    • 30+

      ¥31.01
    • 100+

      ¥30.2
  • 有货
  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成
    数据手册
    • 1+

      ¥35.3
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      ¥30.47
    • 30+

      ¥27.61
    • 100+

      ¥24.71
  • 有货
  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
    数据手册
    • 1+

      ¥36.18
    • 10+

      ¥31.22
    • 30+

      ¥28.27
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥36.59
    • 10+

      ¥31.01
    • 30+

      ¥27.69
    • 250+

      ¥24.34
  • 有货
  • 特性:核心:带有DPFFPU、ART加速器和L1缓存的ARM 32位Cortex M7 CPU:16KB I/D缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器进行零等待状态执行,最高可达216MHz,具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。高达2MB的闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行。SRAM:512KB(包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM)+ 16KB指令TCM RAM(用于关键实时程序)+ 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器,具有高达32位的数据总线:支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。Chrom-ART加速器(DMA2D),图形硬件加速器,可增强图形用户界面。硬件JPEG编解码器。LCD-TFT控制器,支持高达XGA分辨率
    数据手册
    • 1+

      ¥40.75
    • 10+

      ¥38.99
    • 30+

      ¥37.91
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥41.74
    • 10+

      ¥40.04
    • 30+

      ¥39
    • 100+

      ¥38.13
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,有专有代码读取保护(PCROP)和可保护存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB有硬件奇偶校验;程序增强器:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机),VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC(可选PLL,±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)。 多达86个快速I/O,均可映射到外部中断向量,部分I/O有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥41.85
    • 10+

      ¥35.82
    • 30+

      ¥32.14
    • 100+

      ¥29.06
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART Accelerator™)和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU,8KB数据缓存和8KB指令缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 64KB闪存,具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护(PCROP))。 528字节一次性可编程(OTP)内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存(TCM)RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。 双模式四路串行外设接口(Quad-SPI)。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、可编程电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)
    数据手册
    • 1+

      ¥42.96
    • 10+

      ¥35.72
    • 30+

      ¥32.69
    • 100+

      ¥30.16
  • 有货
  • STM690/704/795/802/804/805/806 监控器是独立设备,可提供微处理器监控功能,具备对外部低功耗静态随机存取存储器(LPSRAM)进行非易失性存储和写保护的能力。一个精密电压基准源和比较器会监测 Vcc 输入,以判断是否超出容差范围。当 Vcc 出现异常时,复位输出(RST)会被强制拉低(对于 RST 则为拉高)
    数据手册
    • 1+

      ¥46.72
    • 10+

      ¥40.63
    • 30+

      ¥35.33
    • 100+

      ¥17.3934 ¥32.21
  • 有货
  • 采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥47.17
    • 10+

      ¥40.86
    • 30+

      ¥33.04
    • 100+

      ¥29.81
  • 有货
  • N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥50.07 ¥66.76
    • 10+

      ¥42.835 ¥65.9
    • 30+

      ¥35.431 ¥64.42
    • 100+

      ¥34.7215 ¥63.13
  • 有货
  • 工业四路线驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥53.4
    • 10+

      ¥46.54
    • 30+

      ¥42.37
    • 100+

      ¥38.87
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥60.81
    • 10+

      ¥55.74
    • 30+

      ¥54.23
    • 100+

      ¥52.96
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
    • 1+

      ¥61.46
    • 10+

      ¥52.54
    • 30+

      ¥47.1
    • 100+

      ¥42.54
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体(ST)最先进的专利技术。Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器零等待状态执行;4 Kbyte外部存储器数据缓存。1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1);1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。高达2 Mbytes带ECC的嵌入式闪存,2个存储体可读写;每个存储体高达48 Kbyte的DATA闪存,具备高循环能力(100 K周期);1 Kbyte OTP(一次性可编程);640 Kbytes SRAM(64 Kbyte SRAM2带ECC和320 Kbyte SRAM3带灵活ECC);4 Kbytes备份SRAM,在最低功耗模式下可用;灵活的外部存储器控制器,高达16位数据总线,支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器;一个Octo-SPI存储器接口,支持即时解密,支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/闪存帧格式;两个SD/SDIO/MMC接口。内部振荡器:64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI;外部振荡器:4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE。高达139个快速I/O,具备中断能力(大多数5 V耐压);高达10个I/O,独立电源低至1.08 V。睡眠、停止和待机模式;VBAT为RTC、32x 32位备份寄存器供电
    • 1+

      ¥64.88
    • 10+

      ¥55.77
    • 30+

      ¥50.22
    • 100+

      ¥45.56
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥67.9
    • 10+

      ¥58.83
    • 60+

      ¥53.31
    • 120+

      ¥48.68
  • 有货
  • 超低功耗、小尺寸、经过认证的2.4 GHz无线模块。支持蓝牙低功耗(Bluetooth LE)、Zigbee 3.0、OpenThread、动态和静态并发模式以及IEEE 802.15.4专有协议。凭借良好的接收器灵敏度和高输出功率信号,提供一流的射频性能。其低功耗特性可延长电池使用寿命,适用于小型纽扣电池。无需射频专业知识,是加速应用开发和降低相关成本的最佳方式。该模块的协议栈完全免版税。
    • 1+

      ¥68.72
    • 10+

      ¥67.01
  • 有货
  • 3W 12.5V 500MHz LDMOS,PowerSO-10RF塑料封装
    数据手册
    • 1+

      ¥70.1288 ¥71.56
    • 10+

      ¥62.1632 ¥70.64
    • 50+

      ¥53.859 ¥69.05
    • 100+

      ¥52.7826 ¥67.67
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。32位Arm Cortex-M7内核,具有双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存;频率高达480MHz,具备MPU,1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。高达2MB的闪存,支持读写操作。高达1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),高达864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口,运行速度高达133MHz。灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护
    数据手册
    • 1+

      ¥72.95
    • 10+

      ¥69.55
    • 30+

      ¥63.66
  • 有货
  • 立创商城为您提供ST模拟芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买ST模拟芯片提供详细信息
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