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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
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  • 1+

    ¥8.48
  • 10+

    ¥6.95
  • 30+

    ¥6.11
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    ¥5.16
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    ¥4.74
  • 1000+

    ¥4.55
  • 有货
  • L6219是一款双极型单片集成电路,旨在控制和驱动双极步进电机的两个绕组,或双向控制两台直流电机。 L6219与少量外部元件构成一个完整的控制和驱动电路,适用于LS-TTL或微处理器控制的步进电机系统。功率级为双全桥,能承受46V电压,并包含四个用于电流续流的二极管。 提供交叉导通保护,以避免在切换电流方向时出现同时交叉导通的情况。 内部脉冲宽度调制(PWM)将输出电流控制在750 mA,启动峰值电流可达1 A。 通过两个逻辑输入和一个外部参考电压,可实现750 mA(每个桥)的宽范围电流控制。每个桥的相位输入决定负载电流方向。若芯片温度超过安全工作极限,热保护电路将禁用输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.61
    • 10+

      ¥7.17
    • 30+

      ¥6.39
    • 100+

      ¥5.5
    • 500+

      ¥5.1
  • 有货
  • N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥4.86
    • 500+

      ¥4.38
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.97
    • 10+

      ¥7.41
    • 30+

      ¥6.56
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      ¥5.59
    • 500+

      ¥5.17
  • 有货
  • N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥7.55
    • 30+

      ¥6.67
    • 100+

      ¥5.41
    • 500+

      ¥4.97
    • 1000+

      ¥4.77
  • 有货
  • 特性:包含先进的专利技术。核心:32 位 Arm Cortex-M0+ CPU,频率高达 48 MHz。工作温度范围:-40℃至 85℃/105℃/125℃。高达 128 Kbytes 的闪存,带有保护和可安全区域。24 Kbytes 的 SRAM,带有硬件奇偶校验。CRC 计算单元
    • 1+

      ¥9.48
    • 10+

      ¥7.8
    • 30+

      ¥6.87
    • 100+

      ¥5.83
  • 有货
  • A7985A是一款专为汽车应用设计的降压开关调节器,具有2.5A限流嵌入式功率MOSFET,能够提供高达2A的输出电流。输入电压范围为4.5V至38V,输出电压可调范围为0.6V至输入电压。开关频率为250kHz,可编程至1MHz。该器件采用HSOP8封装,具有AEC-Q100认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.66
    • 10+

      ¥8.03
    • 30+

      ¥7.13
    • 100+

      ¥5.85
    • 500+

      ¥5.4
    • 1000+

      ¥5.2
  • 有货
  • 单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥9.71
    • 10+

      ¥8.83
    • 30+

      ¥8.28
    • 100+

      ¥7.72
    • 500+

      ¥7.47
    • 1000+

      ¥7.36
  • 有货
  • 该器件是一款双中心抽头200 V肖特基整流器,适用于开关模式电源和高频直流-直流转换器。其采用TO 220AB、窄引脚TO 220AB、TO 220FPAB和DFPAK封装,特别适用于开关模式电源的次级整流,也非常适合所有LED照明应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.01
    • 10+

      ¥8.33
    • 30+

      ¥7.4
    • 100+

      ¥6.35
    • 500+

      ¥5.89
  • 有货
  • SuperMESH™ 系列是通过成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外,还特别注重确保该系列在最严苛的应用场景下具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的全系列高压功率 MOSFET,其中包括具有革新意义的 MDmesh™ 产品
    数据手册
    • 1+

      ¥10.15
    • 10+

      ¥8.54
    • 30+

      ¥7.54
    • 100+

      ¥6.52
    • 500+

      ¥6.05
  • 有货
  • 这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它们采用了先进的Power MESH™工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.4228 ¥14.68
    • 10+

      ¥8.2533 ¥13.53
    • 30+

      ¥6.5331 ¥12.81
    • 100+

      ¥6.1557 ¥12.07
    • 500+

      ¥5.9874 ¥11.74
    • 1000+

      ¥5.9109 ¥11.59
  • 有货
  • 适用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器
    • 1+

      ¥10.55
    • 10+

      ¥9.61
    • 30+

      ¥9.02
    • 100+

      ¥8.42
    • 500+

      ¥8.15
    • 1000+

      ¥8.03
  • 有货
  • N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封装
    数据手册
    • 1+

      ¥10.96
    • 10+

      ¥9.3
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    • 100+

      ¥7.19
    • 500+

      ¥6.71
  • 有货
  • N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装
    数据手册
    • 1+

      ¥11
    • 10+

      ¥9.27
    • 30+

      ¥8.18
    • 100+

      ¥7.07
    • 500+

      ¥6.56
  • 有货
    • 1+

      ¥11.61
    • 10+

      ¥9.74
    • 30+

      ¥8.57
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥12.1
    • 10+

      ¥10.16
    • 30+

      ¥9.1
    • 250+

      ¥7.25
    • 500+

      ¥6.71
  • 有货
  • 8位超低功耗微控制器,高达64KB闪存 + 2KB数据EEPROM,具备RTC、LCD、定时器、USART、I²C、SPI、ADC、DAC、比较器。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.33
    • 10+

      ¥10.59
    • 30+

      ¥9.49
  • 有货
  • 瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.39
    • 10+

      ¥10.43
    • 30+

      ¥9.21
    • 100+

      ¥7.96
  • 有货
  • 600 V,60 A超高速二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥12.41
    • 10+

      ¥10.45
    • 30+

      ¥9.22
    • 90+

      ¥7.97
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃。存储器:128 KB带保护的闪存;36 KB SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥12.7
    • 10+

      ¥10.73
    • 30+

      ¥9.5
    • 100+

      ¥8.23
    • 500+

      ¥7.66
  • 有货
  • SuperMESH系列通过对ST成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除显著降低导通电阻外,还特别确保了其在最苛刻应用中的良好dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括创新的MDmesh产品。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.92
    • 10+

      ¥11.05
    • 30+

      ¥9.5
    • 90+

      ¥8.3
    • 510+

      ¥7.75
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的双通道高边驱动器,可用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥13.49
    • 10+

      ¥12.29
    • 30+

      ¥11.54
    • 100+

      ¥10.77
    • 500+

      ¥10.42
    • 1000+

      ¥10.27
  • 有货
    • 1+

      ¥14.45
    • 10+

      ¥12.4
    • 30+

      ¥11.12
    • 100+

      ¥9.81
    • 500+

      ¥9.21
  • 有货
  • ST490A是一款用于RS-485和RS-422通信的低功耗收发器。该设备包含一个驱动器和一个接收器,全双工配置。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.69
    • 10+

      ¥12.47
    • 30+

      ¥11.09
    • 100+

      ¥9.67
    • 500+

      ¥9.03
    • 1000+

      ¥8.75
  • 有货
  • 汽车级PWM调光单通道LED驱动器,具有集成增压控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.74
    • 10+

      ¥13.97
    • 30+

      ¥13.52
    • 100+

      ¥12.36
  • 有货
  • 采用 H2PAK-2 封装的汽车级 N 沟道 800 V、0.60 欧姆(典型值)、8 A MDmesh K5 功率 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥15.84
    • 10+

      ¥13.4
    • 30+

      ¥11.88
    • 100+

      ¥10.32
  • 有货
  • 8位超低功耗MCU,最高64KB闪存,2KB数据EEPROM,RTC,LCD,定时器,USART,I2C,SPI,ADC,DAC,比较器。高密度和中等+密度的STM8L15xx6/8超低功耗设备采用增强型STM8 CPU内核,提供更高的处理能力(在16MHz下高达16 MIPS),同时保持CISC架构的优势,具有改进的代码密度、24位线性寻址空间以及针对低功耗操作优化的架构。该系列包括一个集成调试模块,带有硬件接口(SWiM),允许非侵入式应用程序调试和超快速闪存编程。所有高密度和中等+密度的STM8L15xx6/8微控制器都具有嵌入式数据EEPROM和低功耗低压单电源程序闪存。这些设备集成了广泛的增强型I/O和外设,包括12位ADC、两个DAC、两个比较器、实时时钟、四个16位定时器、一个8位定时器,以及标准通信接口如两个SPI、一个I2C接口和三个USART。STM8L152x8设备上可使用8x40或4x44段LCD。外设集的模块化设计使得相同的外设可以在不同的ST微控制器家族中找到,包括32位家族。这使得向不同家族的转换变得非常容易,并且通过使用一套通用的开发工具进一步简化了这一过程。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.2
    • 10+

      ¥13.59
    • 30+

      ¥11.95
    • 250+

      ¥10.28
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥16.7
    • 10+

      ¥14.01
    • 30+

      ¥12.32
  • 有货
  • N沟道600 V、0.06 Ohm典型值、42 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
    • 1+

      ¥17.58
    • 10+

      ¥13.93
    • 30+

      ¥12.39
    • 90+

      ¥10.81
  • 有货
  • N沟道950 V、0.65 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥18.47
    • 10+

      ¥15.54
    • 30+

      ¥13.71
    • 100+

      ¥11.84
    • 500+

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