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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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ST485ERB是一款用于RS-485和RS-422通信的低功耗收发器。每个驱动输出和接收输入都受到±15kV静电放电(HBM)和±8kV(IEC-1000-4-2接触放电)的保护。
数据手册
  • 1+

    ¥7.98
  • 10+

    ¥6.58
  • 30+

    ¥5.8
  • 100+

    ¥4.93
  • 500+

    ¥4.54
  • 1000+

    ¥4.37
  • 有货
  • 双通道数字隔离器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.11
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥5.88
    • 100+

      ¥4.98
    • 500+

      ¥4.58
    • 1000+

      ¥4.4
  • 有货
  • 100 V、20 A场效应整流二极管(FERD)
    数据手册
    • 1+

      ¥8.13
    • 10+

      ¥6.7
    • 30+

      ¥5.92
    • 100+

      ¥5.03
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.48
    • 10+

      ¥6.95
    • 30+

      ¥6.11
    • 100+

      ¥5.16
    • 500+

      ¥4.74
    • 1000+

      ¥4.55
  • 有货
  • 300V,20 A超高速二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥8.51
    • 10+

      ¥7.09
    • 50+

      ¥5.76
    • 100+

      ¥4.88
  • 有货
    • 1+

      ¥8.71
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.49
    • 250+

      ¥5.61
    • 500+

      ¥5.21
    • 1000+

      ¥5.03
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥8.71
    • 30+

      ¥8.56
    • 100+

      ¥8.4
  • 有货
  • N沟道650 V、0.29 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装
    数据手册
    • 1+

      ¥9.2872 ¥9.88
    • 10+

      ¥6.9384 ¥8.26
    • 30+

      ¥5.4538 ¥7.37
    • 100+

      ¥4.7138 ¥6.37
    • 500+

      ¥4.3808 ¥5.92
    • 1000+

      ¥4.2328 ¥5.72
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥9.35
    • 10+

      ¥7.8384 ¥8.52
    • 30+

      ¥6.56 ¥8
    • 100+

      ¥6.1254 ¥7.47
    • 500+

      ¥5.9286 ¥7.23
    • 1000+

      ¥5.8466 ¥7.13
  • 有货
  • P沟道60 V、0.023 Ohm典型值、42 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
    数据手册
    • 1+

      ¥9.86
    • 10+

      ¥8.24
    • 30+

      ¥7.35
    • 100+

      ¥6.34
    • 500+

      ¥5.89
  • 有货
  • 这款功率MOSFET采用了独特的“单特征尺寸”条形工艺。由此产生的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性以及不太关键的对准步骤,因此具有出色的制造再现性。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.67
    • 10+

      ¥9.05
    • 30+

      ¥8.04
    • 100+

      ¥6.68
    • 500+

      ¥6.21
    • 1000+

      ¥6.01
  • 有货
  • OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥10.83
    • 10+

      ¥9.18
    • 30+

      ¥8.27
    • 100+

      ¥7.24
    • 500+

      ¥6.78
  • 有货
  • L7987是一款61V 3A异步降压开关调节器,具有可调输出电压范围(0.8V到VIN),宽输入电压范围(4.5V到61V),低静态电流(1mA典型值),可调开关频率(250kHz到1.5MHz),以及可调电流限制。该器件适用于工业系统,具有100%占空比能力,可提高轻载效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.01
    • 10+

      ¥9.4
    • 30+

      ¥8.4
    • 100+

      ¥7.38
    • 500+

      ¥6.91
    • 1000+

      ¥6.71
  • 有货
  • N沟道75V - 0.009 Ohm - 75A - D2PAK STripFET(TM) II功率MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥11.6
    • 10+

      ¥10.09
    • 30+

      ¥9.15
    • 100+

      ¥8.18
    • 500+

      ¥7.75
  • 有货
  • N沟道650 V、0.230 Ohm典型值、12 A MDmesh M5功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥12.08
    • 10+

      ¥10.94
    • 30+

      ¥10.23
    • 100+

      ¥9.51
    • 500+

      ¥9.18
    • 1000+

      ¥9.04
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU 配备 FPU,频率高达 250 MHz,具备 MPU、375 DMIPS(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。 8 Kbyte 指令缓存,允许从闪存进行零等待状态执行(频率高达 250 MHz)。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark®(4.092 CoreMark®/MHz)。 128 Kbyte 嵌入式闪存,带 ECC,两个可读写存储体。 2 Kbyte OTP(一次性可编程)。 32 Kbyte SRAM,带 ECC
    • 1+

      ¥12.16
    • 10+

      ¥11.08
    • 30+

      ¥10.4
    • 260+

      ¥9.71
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥12.3437 ¥23.29
    • 10+

      ¥9.5374 ¥22.18
    • 30+

      ¥7.1016 ¥21.52
    • 100+

      ¥6.8805 ¥20.85
    • 500+

      ¥6.7782 ¥20.54
    • 1000+

      ¥6.732 ¥20.4
  • 有货
  • 互补功率晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥13.65
    • 10+

      ¥11.66
    • 30+

      ¥10.41
    • 90+

      ¥9.13
  • 有货
  • VN820 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件。VN820 - E旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响
    数据手册
    • 1+

      ¥14.13
    • 10+

      ¥11.96
    • 30+

      ¥10.6
    • 100+

      ¥9.21
    • 500+

      ¥8.58
    • 1000+

      ¥8.3
  • 有货
  • 具有低静态电流的 38V、1.5A 同步降压转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.37
    • 10+

      ¥12.06
    • 30+

      ¥10.62
    • 100+

      ¥9.14
    • 500+

      ¥8.47
    • 1000+

      ¥8.18
  • 有货
  • 是基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器,工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器(高达 64 Kbyte 闪存和 12 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM),以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设,还有一个 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制,如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和两个 16 位低功耗定时器。还嵌入了多达 21 个电容感应通道。具有标准和高级通信接口,即三个 I2C、两个 SPI、四个 USART 和两个低功耗 UART
    • 1+

      ¥14.39
    • 10+

      ¥12.2
    • 30+

      ¥10.83
    • 250+

      ¥9.42
    • 500+

      ¥8.79
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM
    数据手册
    • 1+

      ¥14.9
    • 10+

      ¥12.61
    • 30+

      ¥11.18
    • 100+

      ¥9.71
  • 有货
  • 特性:核心: -最大CPU频率:高达24 MHz,在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序:高达128 KB Flash,在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据:高达2 KB真正的数据EEPROM,耐久性300k周期
    数据手册
    • 1+

      ¥15.18
    • 10+

      ¥12.87
    • 30+

      ¥11.41
    • 100+

      ¥9.93
  • 有货
  • VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件,用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合,有助于保护器件免受过载影响
    数据手册
    • 1+

      ¥15.52
    • 10+

      ¥12.75
    • 30+

      ¥11.01
    • 100+

      ¥9.23
    • 500+

      ¥8.43
    • 1000+

      ¥8.09
  • 有货
  • 8位超低功耗MCU,最高64KB闪存,2KB数据EEPROM,RTC,LCD,定时器,USART,I2C,SPI,ADC,DAC,比较器。高密度和中等+密度的STM8L15xx6/8超低功耗设备采用增强型STM8 CPU内核,提供更高的处理能力(在16MHz下高达16 MIPS),同时保持CISC架构的优势,具有改进的代码密度、24位线性寻址空间以及针对低功耗操作优化的架构。该系列包括一个集成调试模块,带有硬件接口(SWiM),允许非侵入式应用程序调试和超快速闪存编程。所有高密度和中等+密度的STM8L15xx6/8微控制器都具有嵌入式数据EEPROM和低功耗低压单电源程序闪存。这些设备集成了广泛的增强型I/O和外设,包括12位ADC、两个DAC、两个比较器、实时时钟、四个16位定时器、一个8位定时器,以及标准通信接口如两个SPI、一个I2C接口和三个USART。STM8L152x8设备上可使用8x40或4x44段LCD。外设集的模块化设计使得相同的外设可以在不同的ST微控制器家族中找到,包括32位家族。这使得向不同家族的转换变得非常容易,并且通过使用一套通用的开发工具进一步简化了这一过程。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.53
    • 10+

      ¥13.18
    • 30+

      ¥11.71
    • 250+

      ¥10.2
  • 有货
  • 特性:动态效率线,带批量采集模式(BAM)。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心:带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程(OTP)内存。高达64 KB的静态随机存取存储器(SRAM)。时钟、复位和电源管理:1.7V至3.6V应用电源和I/O,POR、PDR、PVD和BOR,4至26 MHz晶体振荡器,内部16 MHz工厂校准RC,带校准的32 kHz RTC振荡器,带校准的内部32 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥15.69
    • 10+

      ¥13.28
    • 30+

      ¥11.77
    • 100+

      ¥10.23
  • 有货
  • 串行实时时钟(RTC),具有报警功能
    数据手册
    • 1+

      ¥15.88
    • 10+

      ¥13.32
    • 30+

      ¥11.72
    • 100+

      ¥10.08
    • 500+

      ¥9.34
    • 1000+

      ¥9.01
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达256KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥16.17
    • 10+

      ¥13.68
    • 30+

      ¥11.73
  • 有货
  • VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件,用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合,可保护器件免受过载影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.43
    • 10+

      ¥14.11
    • 30+

      ¥12.66
    • 100+

      ¥11.17
    • 500+

      ¥10.5
  • 有货
  • 特性:核心: -最大CPU频率:高达24 MHz,在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序:高达128 KB Flash,在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据:高达2 KB真正的数据EEPROM,耐久性300k周期
    数据手册
    • 1+

      ¥17.09
    • 10+

      ¥14.91
    • 30+

      ¥13.54
  • 有货
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