ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTJS4151PT1G 编号：C236244

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

沟槽功率 MOSFET，-20 V，-4.2 A，单 P 沟道，SC-88

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5+
￥1.5316
50+
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￥1.0673
500+
￥0.8935
3000+
￥0.8162

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型号：TL431CLPRPG 编号：C233672

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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￥1.6596
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￥1.4697
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型号：NCP1117IST18T3G 编号：C2902118

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将电压编程为 1.25V 至 18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整至 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入电压下工作。

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￥1.7112 ￥2.48
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￥1.2921 ￥2.19
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￥1.0094 ￥2.06
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￥0.931 ￥1.9
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￥0.8967 ￥1.83
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￥0.8771 ￥1.79

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型号：SZ1SMA5925BT3G 编号：C896068

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥1.7385 ￥2.85
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￥1.3005 ￥2.55
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￥0.984 ￥2.4
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￥0.9266 ￥2.26
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型号：FOD817BSD 编号：C139543

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.8014
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￥1.4437
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￥1.2903
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￥1.0674
2000+
￥0.9822
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型号：SZNUP3105LT1G 编号：C233434

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SZ/NUP3105L专为保护24V系统中的CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑的SOT−23封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计人员提供了一种低成本的选择，可提高系统可靠性并满足严格的EMI要求。

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5+
￥1.8723
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￥1.5066
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￥1.3499
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￥1.1543
3000+
￥1.0672
6000+
￥1.015

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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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1+
￥1.9
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￥1.63
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￥1.52
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￥1.37
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￥1.27

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型号：NSS1C200LT1G 编号：C232619

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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5+
￥1.9016
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￥1.5681
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￥1.4252
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￥1.1355

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型号：NCP431AVSNT1G 编号：C97731

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

电压参比，低阴极电流，可编程，分路稳压器

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5+
￥2.0045
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￥1.5859
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￥1.4065
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￥1.1827
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￥0.8987
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型号：BCP56-16T3G 编号：C894813

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

用于音频放大器应用。采用SOT-223封装，专为中功率表面贴装应用设计。

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5+
￥2.0181
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￥1.5962
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￥1.4153
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￥1.1897

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型号：FODM121AR2V 编号：C479711

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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5+
￥2.0307
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￥1.6232
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￥1.4486
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￥1.1336
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￥1.0754

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型号：1N5347BRLG 编号：C114207

封装：DO-14

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥2.0456
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￥1.6172
150+
￥1.4336
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￥1.2046
2500+
￥1.1352
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￥1.074

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型号：MC14069UBDTR2G 编号：C903929

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。

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￥2.0566
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￥1.5982
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￥1.4018
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￥1.1568
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￥1.0476
5000+
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型号：NJT4030PT1G 编号：C233756

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极功率晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

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5+
￥2.1097
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￥1.6333
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￥1.4291
1000+
￥1.1743
2000+
￥1.0608
5000+
￥0.9927

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型号：MC33178DMR2G 编号：C179575

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

采用双极技术的高质量单片放大器，具有创新的高性能概念，适用于优质音频和数据信号处理。该放大器采用高频 PNP 输入晶体管，具有低输入失调电压、噪声和失真。此外，该放大器在每个放大器仅消耗 420μA 漏极电流的情况下，提供高输出电流驱动能力。采用的 NPN 输出级无死区交越失真、输出电压摆幅大、相位和增益裕度出色、开环高频输出阻抗低、源极和吸收交流频率性能对称。提供双放大器和四放大器版本，有多种封装选项。

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5+
￥2.1161
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￥1.6272
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￥1.4177
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￥1.0399
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￥0.97

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型号：NCV33172DR2G 编号：C513029

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。这些器件每个放大器的工作电流为180 A，无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。虽然该系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压包含地电位(VEE)，因此尤其适合单电源供电。这些器件采用达林顿输入级，具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。

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5+
￥2.1477
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￥1.6953
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￥1.4016
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￥1.1597
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￥1.052
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￥0.9873

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型号：MC14093BDTR2G 编号：C233507

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强模式器件，在单个单片结构中构建。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。可代替四2输入与非门，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行整形。

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5+
￥2.1519
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￥1.6681
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￥1.4607
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￥1.202
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￥1.0868
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￥1.0177

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型号：NRVB140SFT1G 编号：C152277

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属-硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流二极管和极性保护二极管。该封装还为无引脚34封装形式提供了一种易于操作的替代方案

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5+
￥2.1797
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￥1.6896
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￥1.4796
500+
￥1.2175
3000+
￥1.1008
6000+
￥1.0308

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型号：MUR2100ERLG 编号：C242294

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快 E 系列，具有高逆向能量功能,此类先进器件适用于开关电源、逆变器或用作续流二极管

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5+
￥2.1903
50+
￥1.7064
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￥1.4991
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￥1.2404
2500+
￥1.1252
5000+
￥1.056

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型号：LM2901DTBR2G 编号：C231841

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.1938
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￥1.7049
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￥1.4954
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￥1.2339
2500+
￥1.1175
5000+
￥1.0477

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型号：S100 编号：C556396

封装：DO-214AC

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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5+
￥2.2446
50+
￥1.7462
150+
￥1.5326
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￥1.2661
2500+
￥1.1474

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型号：MB8S 编号：C232761

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小。MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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5+
￥2.2796
50+
￥1.8602
150+
￥1.6805
500+
￥1.4562

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型号：SZ1SMB5938BT3G 编号：C231292

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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