ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MUR820G 编号：C90996

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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型号：MOC3063SR2M 编号：C13411

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：UC3843BNG 编号：C5290

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案

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型号：FDD8444 编号：C10869

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDD7N20TM 编号：C241784

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：BD681G 编号：C38376

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：HCPL0600R2 编号：C500389

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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型号：FDD6685 编号：C10866

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。

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型号：NVTFS5C673NLTAG 编号：C604646

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：NVATS5A112PLZT4G 编号：C556451

封装：TO-252-3

品牌：onsemi(安森美)

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型号：ESD7008MUTAG 编号：C260424

封装：UDFN-18(1.5x5.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7008静电放电（ESD）保护二极管专为保护四对高速差分线而设计。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想选择。直插式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速线路的阻抗一致性至关重要。

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型号：MUR1660CTG 编号：C40990

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：NVTFS9D6P04M8LTAG 编号：C900546

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，适合紧凑设计。低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。NVTFWS9D6P04M8L 可焊侧翼产品。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准

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型号：NCP1631DR2G 编号：C154590

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1631 控制器用于 2 相交错式功率因数校正预转换器。交错由并联的两个小级组成，代替了一个大级。此方式具有若干优点，如实施简单、能够使用更小组件，更好的散热。这些属性使得该交错式 PFC 拓扑结构适用于薄型应用，如平板电视和超薄笔记本电脑适配器。交错还可以扩展到高能效且成本高效（无需低 trr 二极管）的临界导通运行模式的功率范围。NCP1631 在频率箝位临界导通模式 (FcCrM) 下运行。该电路利用频率折回将箝位频率作为功率的函数进行线性降低。因此，NCP1631 在整个负载范围内提供了优化的能效。另外，NCP1631 驱动器具有 180 相移位，可大大减少电流波纹，因此降低了 EMI，减少了大容量电容器中的 rms 电流。NCP1631 结合了构建耐用紧凑的交错式 PFC 级所需的所有功能，且外部组件数量极少。采用 SOIC-16 封装。

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型号：NTD250N65S3H 编号：C2902164

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

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型号：NTMFS5C645NLT1G 编号：C513302

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 60V 100A 4.0 mΩ 单 N 沟道

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型号：FQPF7N80C 编号：C467788

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：NCP1562ADR2G 编号：C603602

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

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型号：NCP1377BD1R2G 编号：C463576

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1377集成了一个真正的电流模式调制器和一个去磁检测器，可确保在任何负载/线路条件下实现完全边界/临界导通模式，同时实现最低漏极电压开关（准谐振操作）。由于其固有的跳周期能力，一旦功率需求降至预定水平以下，控制器便会进入 burst 模式。由于这种情况发生在低峰值电流时，因此不会听到可闻噪声

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型号：NCP1562BDR2G 编号：C462900

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：FAN7688SJX 编号：C604981

封装：SOP-16-5.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FAN7688 是一款用于 LLC 谐振转换器的先进脉冲频率调制 (PFM) 控制器，且带有同步整流 (SR)，为隔离式 DC/DC 转换器提供业内最佳能效。它采用基于电荷控制的最新模式控制技术，其中来自振荡器的三角波形与集成开关电流信息相结合来确定开关频率。这提供了功率级更好的控制-输出传递功能，简化了反馈回路设计，同时实现了真正的输入功率限制功能。闭环软启动防止了误差放大器的饱和，允许输出电压的单调上升，而不管负载条件如何。双缘跟踪自适应停滞时间控制最大程度缩短了体二极管导通时间，从而最大程度提高能效。

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型号：NCS21911SN2T1G 编号：C603837

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCS2191x系列高精度运算放大器具有低输入失调电压，且随时间和温度的漂移近乎为零。这些运算放大器在4 V至36 V的宽电源电压范围内工作，静态电流低。轨到轨输出摆幅可达到离电源轨10 mV以内。该系列包括单通道NCS(V)21911、双通道NCS(V)21912和四通道NCS(V)21914，提供多种封装形式。所有版本均规定在-40°C至+125°C的温度范围内工作。带有NCV前缀的产品为汽车级合格选项。

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：FDP2532 编号：C606056

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，79 A，16 mΩ

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型号：MC33364DR2G 编号：C903953

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC33364系列是一款可变频率电流模式临界导通解决方案，集成了高压启动和保护电路，可用于实现现代消费电子电源的离线反激式转换器。不同的频率钳位选项可满足不同的定制需求。该器件系列集成了700 V超高压（VHV）启动电路。因此，无需任何额外的启动电路或组件，即可设计出输入电压范围为85 Vac至265 Vac的通用输入电压应用。临界导通特性具有诸多优势。首先，MOSFET在零电流时导通，二极管在零电流时关断。零电流可降低这些导通和关断的开关损耗。它还能降低开关电源（SMPS）的电磁干扰（EMI），并可使用成本较低的整流器。其次，通过防止开关电源进入不连续导通模式（DCM），MOSFET漏极峰值电流仅限制为平均输入电流的两倍。这使得可以使用更小、更便宜的MOSFET。第三，通过防止开关电源进入连续导通模式（CCM），反激式拓扑传递函数保持为一阶，其反馈补偿网络得到显著简化。它还能使反激变压器的功率传输达到其1/2 LI²的极限。

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