ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NJW21194G 编号：C150233

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

数据手册

1+
￥23.36
10+
￥19.87
30+
￥17.8
90+
￥15.71
510+
￥14.74
990+
￥14.3

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型号：FJL6920TU 编号：C512904

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

NPN型三重扩散平面硅晶体管

数据手册

1+
￥23.7
10+
￥20.33
25+
￥18.33
100+
￥16.31
375+
￥15.38
1125+
￥14.95

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型号：FQA9N90C-F109 编号：C2711

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

数据手册

1+
￥30.04
10+
￥26.29
30+
￥20.05
90+
￥17.79
510+
￥16.75
1200+
￥16.28

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型号：NCN5121MNTWG 编号：C891972

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于KNX双绞线网络的收发器IC，支持楼宇网络中的执行器、传感器、微控制器、开关等应用。

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1+
￥33.24
10+
￥28.41
30+
￥25.54
100+
￥22.64

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型号：MJ15025G 编号：C2728

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

功率晶体管，适用于高功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用。

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1+
￥36.06
10+
￥30.98
30+
￥25.11
100+
￥22.52

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型号：NTHL080N120SC1 编号：C898280

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 80 mΩ。超低栅极电荷（典型QG(tot) = 56 nC）。低有效输出电容（典型Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% UIL测试。该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：UPS。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥36.2886 ￥58.53
10+
￥29.146 ￥56.05
30+
￥22.9026 ￥54.53
90+
￥22.3692 ￥53.26

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型号：KA5L0380RYDTU 编号：C42305

封装：TO-220F-4

品牌：onsemi(安森美)

专为离线式开关电源设计，只需极少的外部元件。由高压功率感应场效应管和电流模式PWM集成电路组成。集成了固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化的栅极导通/关断驱动器、热关断保护、过压保护以及用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精密电流源。与分立MOSFET和PWM控制器或RCC解决方案相比，可减少元件总数、设计尺寸和重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。适用于反激式转换器或正激式转换器的高性价比设计。

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1+
￥36.33
10+
￥31.09
50+
￥26.76
100+
￥24.08

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型号：NTH4L070N120M3S 编号：C19673850

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = 18 V）。超低栅极电荷（QG(tot) = 57 nC）。低电容高速开关（Coss = 57 pF）。 100%雪崩测试。该器件无卤，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：太阳能逆变器。电动汽车充电站

1+
￥37.46
10+
￥33.43
30+
￥31.04
90+
￥28.61
450+
￥27.5
900+
￥26.99

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型号：FGY160T65SPD-F085 编号：C462113

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥46.52
10+
￥40.52
30+
￥36.87
100+
￥33.8

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型号：MICROFJ-60035-TSV-TR 编号：C603295

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥184.94
30+
￥175.01

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型号：BAS21HT1G 编号：C82466

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。

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20+
￥0.1543
200+
￥0.1185
600+
￥0.0987
3000+
￥0.0868
9000+
￥0.0764
21000+
￥0.0709

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型号：MMBZ5231BLT1G 编号：C16376

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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20+
￥0.191
200+
￥0.1468
600+
￥0.1222
3000+
￥0.1074
9000+
￥0.0946
21000+
￥0.0878

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型号：BZX84C33LT1G 编号：C31775

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.2131
200+
￥0.1665
600+
￥0.1406
3000+
￥0.1122
9000+
￥0.0987
21000+
￥0.0915

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型号：MMSZ5237BT1G 编号：C236103

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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10+
￥0.2426
100+
￥0.1923
300+
￥0.1672
3000+
￥0.1483
6000+
￥0.1333
9000+
￥0.1257

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型号：BC817-25LT1G 编号：C82635

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.2593
100+
￥0.2065
300+
￥0.1801
3000+
￥0.1415
6000+
￥0.1257
9000+
￥0.1177

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型号：RB751V40T1G 编号：C154819

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2706
100+
￥0.2131
300+
￥0.1843
3000+
￥0.1627
6000+
￥0.1455
9000+
￥0.1369

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型号：BC856BLT1G 编号：C165609

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准

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10+
￥0.2895
100+
￥0.2352
300+
￥0.2081
3000+
￥0.1725
6000+
￥0.1562
9000+
￥0.148

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型号：BAT54XV2T1G 编号：C81572

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.3055
200+
￥0.2476
600+
￥0.2154
3000+
￥0.1717
9000+
￥0.155
21000+
￥0.146

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型号：DTC114EET1G 编号：C94400

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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10+
￥0.3069
100+
￥0.243
300+
￥0.2111
3000+
￥0.1744

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型号：MMBZ27VCLT1G 编号：C128609

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。SZ/MMBZ27VCL可用于保护单总线通信网络免受电磁干扰和静电放电瞬态浪涌电压的影响。2000年2月，美国汽车工程师协会（SAE）在J2411《车辆应用单总线CAN网络》规范中推荐使用SZ/MMBZ27VCL来解决瞬态电压问题。

数据手册

20+
￥0.3146
200+
￥0.2417
600+
￥0.2012
3000+
￥0.1769
9000+
￥0.1558
21000+
￥0.1445

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型号：BAT54CWT1G 编号：C82467

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：onsemi(安森美)

该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.3418
200+
￥0.2699
600+
￥0.23
3000+
￥0.1788
9000+
￥0.1581
21000+
￥0.1469

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型号：MMBT2484LT1G 编号：C154782

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.3454
100+
￥0.2768
300+
￥0.2425
3000+
￥0.2168
6000+
￥0.1962
9000+
￥0.1859

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型号：MUN5233DW1T1G 编号：C182463

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

10+
￥0.3922
100+
￥0.3174
300+
￥0.28
3000+
￥0.2441
6000+
￥0.2217
9000+
￥0.2105

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型号：DTA114YM3T5G 编号：C896187

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

数据手册

5+
￥0.3948
50+
￥0.3496
150+
￥0.327
500+
￥0.3101
2500+
￥0.2965
5000+
￥0.2898

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型号：NC7S14M5X 编号：C7416

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7S14 是一款带施密特触发器输入的单路高性能 CMOS 反相器。该电路设计在正向和负向输入阈值之间形成迟滞，从而提高了噪声容限

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10+
￥0.3971
100+
￥0.3107
300+
￥0.2675
3000+
￥0.2351
6000+
￥0.2092
9000+
￥0.1963

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型号：1N4744A 编号：C238928

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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10+
￥0.4292
100+
￥0.3379
250+
￥0.2847

有货

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型号：NDS7002A 编号：C74715

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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