ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTR0202PLT1G 编号：C109445

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.5999
50+
￥0.4799
150+
￥0.4199
500+
￥0.3749
3000+
￥0.3389

有货

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型号：SZMMSZ5240BT1G 编号：C604811

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

5+
￥0.614
50+
￥0.494
150+
￥0.434
500+
￥0.389
3000+
￥0.353
6000+
￥0.335

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型号：NTA4153NT1G 编号：C190020

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，915 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SC-75 和 SC-89

数据手册

5+
￥0.6224
50+
￥0.4851
150+
￥0.4165
500+
￥0.365
3000+
￥0.3238

有货

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型号：KSC1815YTA 编号：C424490

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

NPN 外延硅晶体管

数据手册

5+
￥0.6809
50+
￥0.5307
150+
￥0.4556
500+
￥0.3993
2000+
￥0.3542
4000+
￥0.3317

有货

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型号：SL05T1G 编号：C233424

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该浪涌保护系列产品可提供瞬态过电压保护，同时显著降低电容。通过串联一个补偿二极管来降低电容。这种集成解决方案可为高速接口（如通信系统、计算机和计算机外设）提供静电放电（ESD）保护。

数据手册

5+
￥0.707457 ￥1.0253
50+
￥0.417366 ￥0.7074
150+
￥0.279888 ￥0.5712
500+
￥0.196588 ￥0.4012
3000+
￥0.159495 ￥0.3255
6000+
￥0.1372 ￥0.28

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型号：SZMM5Z20VT1G 编号：C894542

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

5+
￥0.7717
50+
￥0.6167
150+
￥0.5392
500+
￥0.481

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型号：NC7SV04P5X 编号：C891941

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

0.9V至3.6V VCC电源供电在VCC为0.9V至3.6V时，I/O端口可承受3.6V过压极高速tPD： - 当VCC为2.7V至3.6V时，典型值为1.5ns - 当VCC为2.3V至2.7V时，典型值为1.8ns - 当VCC为1.65V至1.95V时，典型值为2.0ns - 当VCC为1.4V至1.6V时，典型值为3.2ns - 当VCC为1.1V至1.3V时，典型值为6.0ns - 当VCC为0.9V时，典型值为12.0ns 电源关闭时输入和输出呈高阻态高静态驱动能力（I₀H/I₀L）： - 当VCC为3.00V时，为±24mA - 当VCC为2.30V时，为±18mA - 当VCC为1.65V时，为±6mA - 当VCC为1.4V时，为±4mA - 当VCC为1.1V时，为±2mA - 当VCC为0.9V时，为±0.1mA 采用专利Quiet Series™噪声/电磁干扰抑制电路

数据手册

5+
￥0.8155
50+
￥0.6632
150+
￥0.5871
500+
￥0.53
3000+
￥0.4335
6000+
￥0.4107

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型号：KSC1845FTA 编号：C900959

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：音频低噪声放大器。与KSA992互补。这是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8735
50+
￥0.7103
150+
￥0.6287
500+
￥0.5675
2000+
￥0.5015
4000+
￥0.477

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型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电（ESD）保护栅极。小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。带电平转换的负载/电源开关

数据手册

5+
￥0.9066
50+
￥0.7165
150+
￥0.6214
500+
￥0.5501
2500+
￥0.493
4000+
￥0.4645

有货

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型号：SBC846BDW1T1G 编号：C152466

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

5+
￥0.9312
50+
￥0.7879
150+
￥0.7163
500+
￥0.6626
3000+
￥0.5776

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型号：MMBFJ309LT1G 编号：C58012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。

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5+
￥0.9444
50+
￥0.7593
150+
￥0.6668
500+
￥0.5974
3000+
￥0.5418
6000+
￥0.514

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型号：1SMB5926BT3G 编号：C189653

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥0.9539
50+
￥0.7667
150+
￥0.6731
500+
￥0.603
2500+
￥0.5468
5000+
￥0.5187

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型号：BAS31 编号：C415998

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥1.0225
50+
￥0.8542
150+
￥0.77
500+
￥0.7069
3000+
￥0.6564

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型号：1SMB5952BT3G 编号：C236106

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.0264
50+
￥0.7997
150+
￥0.7025
500+
￥0.5813
2500+
￥0.5273
5000+
￥0.4949

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型号：2N7002DW 编号：C232839

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。

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5+
￥1.0492
50+
￥0.832
150+
￥0.7389
500+
￥0.6228
3000+
￥0.4923
6000+
￥0.4612

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型号：NCV8177BMX330TCG 编号：C604053

封装：XDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8177 是一款 CMOS LDO 稳压器，具有 500 mA 输出电流能力。输入电压低至 1.6 V，输出电压可设置为 0.75 V 以上。它提供了非常稳定准确的电压，以及极低噪声和极高的电源抑制比 (PSRR)，适用于射频应用。NCV8177 适用于为汽车信息娱乐系统和其他功率敏感设备的射频块供电。由于 NCV8177 的功耗较低，可提供高能效和低散热。该器件采用 4 引脚 XDFN4 1.0 mm x 1.0 mm 封装，尤其适用于空间受限的应用。

数据手册

5+
￥1.0495
50+
￥0.8177
150+
￥0.7183
500+
￥0.5944
3000+
￥0.5392
6000+
￥0.506

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型号：NRVUS240VT3G 编号：C604318

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0874
50+
￥0.9402
150+
￥0.8772
500+
￥0.7992
2500+
￥0.7641
5000+
￥0.7431

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型号：NVR5198NLT3G 编号：C896862

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥1.1221 ￥2.29
10+
￥0.7878 ￥2.02
30+
￥0.5539 ￥1.91
100+
￥0.5104 ￥1.76
500+
￥0.493 ￥1.7
1000+
￥0.4814 ￥1.66

有货

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型号：1SMB5916BT3G 编号：C45586

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1353
50+
￥0.8982
150+
￥0.7966
500+
￥0.6698

有货

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型号：LP2951ACDR2G 编号：C232432

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

Vin=30V(Max),Iout=100mA

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5+
￥1.1657
50+
￥0.9036
150+
￥0.7913
500+
￥0.6511
2500+
￥0.5887
5000+
￥0.5513

有货

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型号：NST489AMT1G 编号：C889760

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

1+
￥1.18 ￥2.36
10+
￥0.832 ￥2.08
30+
￥0.591 ￥1.97
100+
￥0.546 ￥1.82
500+
￥0.525 ￥1.75
1000+
￥0.513 ￥1.71

有货

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型号：MUR240RLG 编号：C480720

封装：DO-204AL

品牌：onsemi(安森美)

Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.186
50+
￥0.924
150+
￥0.8117
500+
￥0.6716
2500+
￥0.6093
5000+
￥0.5718

有货

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型号：SZNUP2105LT3G 编号：C719799

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此双路双向适用于需要电压保护功能的应用。它适用于过电压和 ESD 敏感性设备。此器件具有一个双结共阴极配置，用于保护两个单独的线路。

数据手册

5+
￥1.2214
50+
￥1.0567
150+
￥0.9861
500+
￥0.898
2500+
￥0.8588

有货

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型号：NTZS3151PT1G 编号：C236118

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.2288
50+
￥0.8973
150+
￥0.7552
500+
￥0.5779
2500+
￥0.499
4000+
￥0.4516

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型号：NC7SZ74K8X 编号：C128370

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于 TinyLogic 超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5.5V 这一极宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻抗状态

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